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波长: 850 nm 工作温度: -10-60 Degree C 储存温度: -40-85 Degree C 电流: 20mA10mW 850 nm VCSEL 芯片
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波长: 850 nm 工作温度: -10-70 Degree C 储存温度: -40-85 Degree C 电流: 40mA用于传感器的 25mW 850 nm VCSEL 芯片
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波长: 850 nm 工作温度: -10-60 Degree C 储存温度: -40-75 Degree C 电流: 150mA用于传感器的 100mW 850 nm VCSEL 芯片
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波长: 850 nm 工作温度: -20-85 Degree C 储存温度: -40-85 Degree C 电压: 5 V(max 10 sec) 电流: 2.5 A(max 10 sec)1 瓦 850 纳米 VCSEL 芯片，60 摄氏度
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波长: 850 nm 工作温度: -20-85 Degree C 储存温度: -40-85 Degree C 电压: 5 V(max 10 sec) 电流: 4.5 A(max 10 sec)2 瓦 850 纳米 VCSEL 芯片，60 摄氏度
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波长: 850 nm 工作温度: -10-60 Degree C 储存温度: -40-85 Degree C 电流: 15mA8mW 850 nm VCSEL 芯片
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波长: 850 nm 工作温度: -10-60 Degree C 储存温度: -40-85 Degree C 电流: 50mA30mW 850 nm 高斯光束 VCSEL 芯片
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波长: 940 nm 工作温度: -10-70 Degree C 储存温度: -40-85 Degree C 电流: 15mA用于传感器的 8mW 940 nm VCSEL 芯片
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波长: 940 nm 工作温度: -20-85 Degree C 储存温度: -40-85 Degree C 电流: 2.5 A(max 10 sec)1 瓦 940 纳米 VCSEL 芯片，温度 60 摄氏度
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波长: 940 nm 工作温度: -20-85 Degree C 储存温度: -40-85 Degree C 电压: 5 V(max 10 sec) 电流: 4.5 A(max 10 sec)2 瓦 940 纳米 VCSEL 芯片，温度 60 摄氏度
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波长: 850 nm 工作温度: -10-70 Degree C 储存温度: -40-85 Degree C 电压: 5V (@10μA) 电流: 6mA用于传感器的 850 nm VCSEL 芯片
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储存温度: -40 to 85℃ 工作温度: -10 to 85℃ 连续正向电流: 5mA 连续反向电压: 5V (@10μA) 阈值电流: 0.5 to 1.0mA CW850 nm高斯光束VCSEL芯片，具有高可靠性和低电流操作的特点，可根据要求提供其他配置。
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发射波长: 840-860nm 数据速率: ~112Gbit/s 阈值电流: 0.5mA 峰值输出功率: 3-5mW 最大数据速率: 50-56GBaud/sVM100-850-SG-qSM-Cxx紧凑且具有非常高调制速率的顶发射GaAs基垂直腔面发射激光器（VCSEL）芯片和1xN（N=4,12）阵列作为工程样品，供开发和评估光学互连、光学背板和集成波导以及下一代光学数据通信系统使用。VCSEL通过顶部表面单独接触，使用地-源（GS）微探针、线键合或倒装芯片键合。
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发射波长: 850nm (range 840 – 860nm) 数据速率: Up to 112Gbit/s 56GBaud/s PAM-4 阈值电流: <0.6mA 峰值输出功率: ~4mW 光学带宽: 25-30GHzVM100-850-GSG-Cxx紧凑且具有非常高调制速率的GaAs基垂直腔面发射激光器（VCSEL）芯片，现已作为工程样品提供，用于开发和评估光互连、光背板、集成波导以及下一代光数据通信系统。这些VCSEL器件通过顶部分别使用地源-地源（GSG）微探针或线键进行接触。
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发射波长: 840-860 nm 最大数据速率: 25-28 GBaud/s 光学带宽: 16-18 GHz 斜率效率: 0.3-0.5 W/A 阈值电流: 0.8 mAV50-850-Cxx紧凑且具有非常高调制速率的顶发射GaAs基垂直腔面发射激光器（VCSEL）芯片和1xN（N=4,12）阵列可作为工程样品用于开发和评估光互连、光背板和集成波导以及下一代光数据通信系统。VCSEL通过地-源（GS）微探针、线键合或倒装键合在顶面单独接触。
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发射波长: 940 nm 数据速率: 50-56 GBaud/s 光学带宽: 18-23 GHz 斜率效率: 0.3 W/A 阈值电流: 0.5 mA这些紧凑且具有非常高调制速率的顶部发射GaAs基垂直腔面发射激光器（VCSEL）芯片是用于开发和评估光互连、光背板和集成波导以及下一代光数据通信系统的工程样品。VCSEL通过地-源-地（GSG）微探针或线键合在顶面单独接触。
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发射波长: 900-920nm 数据速率: 50-56GBaud/s 光学带宽: 23-25GHz 斜率效率: 0.4W/A 阈值电流: 0.9-1mAVM100-910-SM-MA-GSG-Cxx紧凑且具有非常高调制速率的顶发射GaAs基垂直腔面发射激光器（VCSEL）芯片可作为工程样品用于光互连、光背板和集成波导以及下一代光数据通信系统的开发和评估。这些VCSEL通过地-源-地（GSG）微探针或线键合在顶表面进行接触。新的多孔径设计实现了单模发射和高输出功率下的高速操作。
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发射波长: 835-865nm 数据速率: 28Gbit/s 阈值电流: <0.6mA 峰值输出功率: 6mW 光学带宽: 18GHzV25-850-HT紧凑且具有高调制速率的高温顶发射GaAs基垂直腔面发射激光器（VCSEL）芯片和1xN（N=4）阵列作为工程样品提供，用于开发和评估光学互连、光学背板和集成波导以及下一代光学数据通信系统。VCSELs在顶表面上单独接触，使用地源（GS）微探针、线键合或倒装芯片键合。此VCSEL版本具有非常高的温度稳定性，并且可以在25°C至125°C范围内工作。适用于以太网、汽车应用和有源光缆（AOC），具有高达28 Gbit/s的速率。
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发射波长: 870-890nm 数据速率: 50-56GBaud/s 光学带宽: 23-28GHz 斜率效率: 0.5W/A 阈值电流: 0.9-1mAVM100-880-GSG-MA-SM-Cxx紧凑且具有非常高调制速率的顶发射GaAs基垂直腔面发射激光器(VCSEL)芯片可作为工程样品，用于开发和评估光互连、光背板和集成波导以及下一代光数据通信系统。这些VCSEL可以通过接地-源-接地(GSG)微探针或线键合在顶表面上单独接触。新的多孔径设计实现了单模发射和高输出功率下的高速运行。
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发射波长: 900-920nm 数据速率: 50-56GBaud/s 光学带宽: 24-28GHz 斜率效率: 0.45W/A 阈值电流: 0.5-0.6mAVM100-910-GSG-Cxx紧凑且具有非常高调制速率的顶发射GaAs基垂直腔面发射激光器（VCSEL）芯片可作为工程样品，用于开发和评估光互连、光背板和集成波导以及下一代光数据通信系统。VCSEL通过地-源-地（GSG）微探针或线键合在顶部表面单独接触。
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