稳频连续单频环形染料激光器，型号DYE-SF-077，是型号DYE-SF-07的进一步发展。它现在包括一个基于热稳定干涉仪的频率稳定系统和一个快速电子驱动器。Laser Dye-SF-077具有极窄的谱线宽度，小于100kHz/s。DYE-SF-077为商用激光器的谱线宽度设定了新标准。在该模型之前，商用染料激光器的较窄线宽为500kHz-1MHz。需要注意的是，在DYE-SF-077中实现了100kHz的线宽，而没有使用声光调制器，这通常会使设计变得复杂并引入额外的损耗。为了在较宽的频率范围内有效抑制激光染料SF-077的辐射频率波动，采用了一种特殊设计的超快压电陶瓷。DYE-SF-077激光腔具有水平取向，腔元件的光学支架连接到刚性基板上，该基板由下面带有三个殷钢棒的体积框架进一步稳定。激光器基座的隔振设计提供了腔元件位置的附加被动稳定性。

Electroline EG1550TX系列是一系列高性能1550 nm外调制发射机，适用于FTTx、RFOG或HFC接入网应用。模拟视频、QAM数字视频和数据可在45至1003MHz频带内传输。EG1550TX系列采用方便的1 RU 19格式，提供具有出色性能的高性价比解决方案。它提供高达9 dBm的窄光学线宽。当它与一个或多个EDFA连接时，EG1550TX为长距离传输提供高CNR。EG1550TX系列具有专利RF预失真电路，可提供出色的CSO和CTB性能。可提供可调节SBS抑制控制的附加特征。该系列发射机是Electroline提供的全套产品的一部分，用于支持和增强传统HFC、无源HFC和光纤到户（FTTH）网络的部署。

IPG公司的新型高功率连续铒光纤激光器的中心波长为1567nm，输出功率高达2000W，功率稳定度为±2%，线宽<2nm。IPG的高功率铒激光器可用于研究、材料加工和低损耗功率传输应用，为应用开发开辟了新的令人兴奋的领域。在1500 nm波长范围内，只有IPG Photonics才能为您提供各种功率和配置的设备，从激光器到放大器，从可调谐激光器到宽带光源。我们先进的光纤设备是一个巨大的飞跃，提供了较佳的二极管泵浦固态可靠性和性能。我们在该领域拥有数千台设备，您可以放心，IPG产品是经过验证的可靠产品，适合您的苛刻应用。“眼睛安全”操作通常是指激光辐射在眼睛角膜和晶状体强烈吸收的波长范围内，因此不能到达明显更敏感的视网膜。然而，IPG建议较终用户考虑激光类型、介质和分类所需的所有安全预防措施。必须佩戴合适的眼镜，并遵守激光安全程序。

Er~（3+）和Yb~（3+）共掺磷酸盐玻璃具有较宽的波长调谐范围、较低的折射率、较窄的激光线宽、较高的转换效率和很宽的泵浦波段，可用于制作光波导放大器和激光器，理想的材料可以实现1535nm激光输出，作为激光二极管泵浦的辐射源，可以发射对人眼安全的1535nm光束，可直接用于测距和通信。由于它具有更多的优点，在光纤通信中已被用来取代EDFA。

GaAs基锥形放大器用于极端谐振器配置中，以将高达2000W的近衍射极限输出功率与小谱线宽度和高边模抑制比相结合。它们的后端面具有小于0.01%的高抗反射涂层，以保证与光栅的良好耦合。前表面具有抗反射涂层，以保护芯片不受背向反射的影响。典型的应用是高分辨率吸收光谱或非线性倍频。

GaAs基锥形放大器用于极端谐振器配置中，以将高达2000mW的近衍射极限输出功率与小谱线宽度和高边模抑制比相结合。它们的后端面具有小于0.01%的高抗反射涂层，以保证与光栅的良好耦合。前表面具有抗反射涂层，以保护芯片不受背向反射的影响。典型的应用是高分辨率吸收光谱或非线性倍频。

GaAs基锥形放大器用于极端谐振器配置中，以将高达1000W的近衍射极限输出功率与小谱线宽度和高边模抑制比相结合。它们的后端面具有小于0.01%的高抗反射涂层，以保证与光栅的良好耦合。前表面具有抗反射涂层，以保护芯片不受背向反射的影响。典型的应用是高分辨率吸收光谱或非线性倍频。

GaAs基锥形放大器用于极端谐振器配置中，以将高达2000W的近衍射极限输出功率与小谱线宽度和高边模抑制比相结合。它们的后端面具有小于0.01%的高抗反射涂层，以保证与光栅的良好耦合。前表面具有抗反射涂层，以保护芯片不受背向反射的影响。典型的应用是高分辨率吸收光谱或非线性倍频。

GaAs基锥形放大器用于极端谐振器配置中，以将高达2000W的近衍射极限输出功率与小谱线宽度和高边模抑制比相结合。它们的后端面具有小于0.01%的高抗反射涂层，以保证与光栅的良好耦合。前表面具有抗反射涂层，以保护芯片不受背向反射的影响。典型的应用是高分辨率吸收光谱或非线性倍频。

GaAs基锥形放大器用于极端谐振器配置中，以将高达2000W的近衍射极限输出功率与小谱线宽度和高边模抑制比相结合。它们的后端面具有小于0.01%的高抗反射涂层，以保证与光栅的良好耦合。前表面具有抗反射涂层，以保护芯片不受背向反射的影响。典型的应用是高分辨率吸收光谱或非线性倍频。

GaAs基锥形放大器用于极端谐振器配置中，以将高达2000W的近衍射极限输出功率与小谱线宽度和高边模抑制比相结合。它们的后端面具有小于0.01%的高抗反射涂层，以保证与光栅的良好耦合。前表面具有抗反射涂层，以保护芯片不受背向反射的影响。典型的应用是高分辨率吸收光谱或非线性倍频。

GaAs基锥形放大器用于极端谐振器配置中，以将高达2000W的近衍射极限输出功率与小谱线宽度和高边模抑制比相结合。它们的后端面具有小于0.01%的高抗反射涂层，以保证与光栅的良好耦合。前表面具有抗反射涂层，以保护芯片不受背向反射的影响。典型的应用是高分辨率吸收光谱或非线性倍频。

GaAs基锥形放大器用于极端谐振器配置中，以将高达500mW的近衍射极限输出功率与小谱线宽度和高边模抑制比相结合。它们的后端面具有小于0.01%的高抗反射涂层，以保证与光栅的良好耦合。前表面具有抗反射涂层，以保护芯片不受背向反射的影响。典型的应用是高分辨率吸收光谱或非线性倍频。

GaAs基锥形放大器用于极端谐振器配置中，以将高达500mW的近衍射极限输出功率与小谱线宽度和高边模抑制比相结合。它们的后端面具有小于0.01%的高抗反射涂层，以保证与光栅的良好耦合。前表面具有抗反射涂层，以保护芯片不受背向反射的影响。典型的应用是高分辨率吸收光谱或非线性倍频。

GaAs基锥形放大器用于极端谐振器配置中，以将高达3000mW的近衍射极限输出功率与小谱线宽度和高边模抑制比相结合。它们的后端面具有小于0.01%的高抗反射涂层，以保证与光栅的良好耦合。前表面具有抗反射涂层，以保护芯片不受背向反射的影响。典型的应用是高分辨率吸收光谱或非线性倍频。

GaAs基锥形放大器用于极端谐振器配置中，以将高达1500mW的近衍射极限输出功率与小谱线宽度和高边模抑制比相结合。它们的后端面具有小于0.01%的高抗反射涂层，以保证与光栅的良好耦合。前表面具有抗反射涂层，以保护芯片不受背向反射的影响。典型的应用是高分辨率吸收光谱或非线性倍频。

GaAs基锥形放大器用于极端谐振器配置中，以将高达2000mW的近衍射极限输出功率与小谱线宽度和高边模抑制比相结合。它们的后端面具有小于0.01%的高抗反射涂层，以保证与光栅的良好耦合。前表面具有抗反射涂层，以保护芯片不受背向反射的影响。典型的应用是高分辨率吸收光谱或非线性倍频。

GaAs基锥形放大器用于极端谐振器配置中，以将高达1000mW的近衍射极限输出功率与小谱线宽度和高边模抑制比相结合。它们的后端面具有小于0.01%的高抗反射涂层，以保证与光栅的良好耦合。前表面具有抗反射涂层，以保护芯片不受背向反射的影响。典型的应用是高分辨率吸收光谱或非线性倍频。

GaAs基锥形放大器用于极端谐振器配置中，以将高达2000mW的近衍射极限输出功率与小谱线宽度和高边模抑制比相结合。它们的后端面具有小于0.01%的高抗反射涂层，以保证与光栅的良好耦合。前表面具有抗反射涂层，以保护芯片不受背向反射的影响。典型的应用是高分辨率吸收光谱或非线性倍频。

GaAs基锥形放大器用于极端谐振器配置中，以将高达2000mW的近衍射极限输出功率与小谱线宽度和高边模抑制比相结合。它们的后端面具有小于0.01%的高抗反射涂层，以保证与光栅的良好耦合。前表面具有抗反射涂层，以保护芯片不受背向反射的影响。典型的应用是高分辨率吸收光谱或非线性倍频。