Excelitas Technologies的PGEW系列单外延和多外延905 nm脉冲半导体激光器由一系列器件组成，这些器件具有多达四个外延生长在单个GaAs衬底芯片上的有源激射层。这种多层设计将输出功率乘以外延层的数量。例如，QPGEW Quad激光器的有源层宽度为225µm，具有四个外延生长的激射层，输出峰值功率接近100 W。T1¾（类TO）塑料封装补充了Excelitas采用密封金属封装的Epi-Cavity激光器，非常适合大批量应用。该激光器采用Excelitas的新型多活性区域激光器芯片，在较小的发射区域内提供高输出功率。PGEW系列的激光芯片具有75和225µm的条纹宽度，并提供单（PGEW）、双（DPGEW）、三（TPGEW）或四（QPGEW）外腔版本。这些器件在垂直于芯片表面的方向上具有25°的光束发散角，在结平面内具有10°的光束扩展。功率输出在整个MIL规格温度范围内表现出极佳的稳定性。使用金属有机化学气相沉积（MOCVD）来制造结构。在涉及光纤耦合应用的情况下，外腔有源区的横向间隔将更多的光功率集中到更小的几何结构中，从而允许增加耦合到光纤中的光功率。峰值波长集中在大多数硅光电二极管的较大响应度附近。PGEW激光器与Excelitas EPI-APD系列C30737的器件匹配得特别好。这些器件非常适合以成本为首要考虑因素且需要大批量生产能力的应用。

Gentec-EO光电探测器系列包括九个光电探测器传感器。PH100-Si、PH100Si-HA探测器使用硅光电二极管。PH100-SiUV、PH10B-Si、PE10B-Si、PE3B-Si探测器也使用硅光电二极管，但在较短波长下具有增强的灵敏度。PH20-Ge、PH5B-Ge、PE5B-Ge探测器使用锗光电二极管。PE3B-IN探测器使用InGaAs光电二极管。所有探测头的厚度为27.4毫米，直径为38.1毫米。

Gentec-EO光电探测器系列包括九个光电探测器传感器。PH100-Si、PH100Si-HA探测器使用硅光电二极管。PH100-SiUV、PH10B-Si、PE10B-Si、PE3B-Si探测器也使用硅光电二极管，但在较短波长下具有增强的灵敏度。PH20-Ge、PH5B-Ge、PE5B-Ge探测器使用锗光电二极管。PE3B-IN探测器使用InGaAs光电二极管。所有探测头的厚度为27.4毫米，直径为38.1毫米。

Gentec-EO光电探测器系列包括九个光电探测器传感器。PH100-Si、PH100Si-HA探测器使用硅光电二极管。PH100-SiUV、PH10B-Si、PE10B-Si、PE3B-Si探测器也使用硅光电二极管，但在较短波长下具有增强的灵敏度。PH20-Ge、PH5B-Ge、PE5B-Ge探测器使用锗光电二极管。PE3B-IN探测器使用InGaAs光电二极管。所有探测头的厚度为27.4毫米，直径为38.1毫米。

Excelitas Technologies的PGEW系列单外延和多外延905 nm脉冲半导体激光器由一系列器件组成，这些器件具有多达四个外延生长在单个GaAs衬底芯片上的有源激射层。这种多层设计将输出功率乘以外延层的数量。例如，QPGEW Quad激光器的有源层宽度为225µm，具有四个外延生长的激射层，输出峰值功率接近100 W。T1¾（类TO）塑料封装补充了Excelitas采用密封金属封装的Epi-Cavity激光器，非常适合大批量应用。该激光器采用Excelitas的新型多活性区域激光器芯片，在较小的发射区域内提供高输出功率。PGEW系列的激光芯片具有75和225µm的条纹宽度，并提供单（PGEW）、双（DPGEW）、三（TPGEW）或四（QPGEW）外腔版本。这些器件在垂直于芯片表面的方向上具有25°的光束发散角，在结平面内具有10°的光束扩展。功率输出在整个MIL规格温度范围内表现出极佳的稳定性。使用金属有机化学气相沉积（MOCVD）来制造结构。在涉及光纤耦合应用的情况下，外腔有源区的横向间隔将更多的光功率集中到更小的几何结构中，从而允许增加耦合到光纤中的光功率。峰值波长集中在大多数硅光电二极管的较大响应度附近。PGEW激光器与Excelitas EPI-APD系列C30737的器件匹配得特别好。这些器件非常适合以成本为首要考虑因素且需要大批量生产能力的应用。

Excelitas Technologies的PGEW系列单外延和多外延905 nm脉冲半导体激光器由一系列器件组成，这些器件具有多达四个外延生长在单个GaAs衬底芯片上的有源激射层。这种多层设计将输出功率乘以外延层的数量。例如，QPGEW Quad激光器的有源层宽度为225µm，具有四个外延生长的激射层，输出峰值功率接近100 W。T1¾（类TO）塑料封装补充了Excelitas采用密封金属封装的Epi-Cavity激光器，非常适合大批量应用。该激光器采用Excelitas的新型多活性区域激光器芯片，在较小的发射区域内提供高输出功率。PGEW系列的激光芯片具有75和225µm的条纹宽度，并提供单（PGEW）、双（DPGEW）、三（TPGEW）或四（QPGEW）外腔版本。这些器件在垂直于芯片表面的方向上具有25°的光束发散角，在结平面内具有10°的光束扩展。功率输出在整个MIL规格温度范围内表现出极佳的稳定性。使用金属有机化学气相沉积（MOCVD）来制造结构。在涉及光纤耦合应用的情况下，外腔有源区的横向间隔将更多的光功率集中到更小的几何结构中，从而允许增加耦合到光纤中的光功率。峰值波长集中在大多数硅光电二极管的较大响应度附近。PGEW激光器与Excelitas EPI-APD系列C30737的器件匹配得特别好。这些器件非常适合以成本为首要考虑因素且需要大批量生产能力的应用。

产品型号 :Centrale 该光纤半导体激光管驱动器集成了两个半导体激光管驱动器、6 个光电二极管电子器件、一个脉冲选择器同步工具和许多其他专用功能，适用于几乎任何类型的光纤激光器架构。 该光纤半导体激光管驱动器使您可以在仅需几周的时间开发出完整的光纤激光原型。 种子源半导体激光管有一个“脉冲/连续”通道，泵浦半导体激光管有一个“连续”通道。它与任何类型的光纤激光器架构兼容：锁模、Q-Switch、MOPA 以及任何类型的种子源模块，如 EOM 调制激光管、增益开关激光管、微芯片等。

产品型号 :TOMBAK 该脉冲延迟发生器提供高频脉冲、延迟和突发模式。 它是电子、激光或相机设置的理想测试和时序控制仪器。 该脉冲延迟发生器提供多种操作模式，包括独立发生器、数字延迟发生器、分频器、突发发生器、脉冲选择器、电压电平转换器和任意波形发生器 (AWG) 。 适用于带有 EOM、AOM 或 SOA 的光纤调制设置。 应用包括组件测试、激光时序控制、激光脉冲拾取、光电二极管信号的相机同步等。 适用于各类产品板载OEM集成。

产品型号 :Tombak-DDG 它是用于光电仪器时序和门控的理想工具，例如相机或激光器，或应用于皮秒分辨的特殊仪器中。 该数字延迟发生器还可用作独立发生器、150 MHz 电压电平转换器、AWG（任意波形发生器）、分频器、脉冲选择器或短脉冲串发生器。 它的低较低输入电压电平和可选的光电二极管使其成为各种仪器同步的理想工具。 应用 包括组件测试、相机同步、激光定时控制和仪器门控。

Qphotonics的QDFBLD-105X-20是一款光纤耦合DFB激光二极管，工作波长为1049至1064 nm.输出功率为20mW，上升时间为0.5ns.该激光器具有内置热电冷却器、热敏电阻和可选的光电二极管。它可在带有HI1060或PM980光纤尾纤的模块中使用。还提供可选的FC/APC连接器。

来自Qphotonics的QDFBLD-105X-50是一种光纤耦合DFB激光二极管，可在1049至1064 nm范围内工作时提供50 MW的输出功率。它有一个内置热电冷却器，热敏电阻和可选的光电二极管。激光二极管的上升时间为5 ns，工作温度范围为15 C至40 C.它采用14引脚蝶形封装，提供可选的FC/PC或FC/APC连接器。

Qphotonics的QDFBLD-1550-100是一款波长稳定的单模光纤耦合DFB激光二极管，工作波长范围为1528至1565 nm.输出功率为100 MW，上升时间为0.5 ns.该激光器具有内置的光隔离器、监控光电二极管、热电冷却器和热敏电阻。它可以在带有保偏（PM）光纤尾纤的模块中使用。还提供可选的FC/APC连接器。

来自Nichia Corporation的NDB4216E是4类激光二极管，其工作波长为450nm至460nm.它的连续波输出功率为0.1 W，斜率效率为1.2 W/A，波束指向精度为±2.5°（平行）和±3°（垂直）。这款单发射器激光二极管的光束发散角为8.5°（平行）和23°（垂直），符合RoHS规范。阈值电流为30 mA，工作电压为5.2 V，功耗为0.11 A.这款单模激光二极管采用浮动安装的CAN封装，尺寸为Ø5.6 mm，带有一个光电二极管和一个齐纳二极管。它是评估或设计应用程序的理想选择。

NDU4116是一款紫外激光二极管，工作波长为370-380 nm，斜率效率为1.2 W/A，光输出功率为70 MW，光束指向精度为±3°。该激光二极管的平行光束发散角为9°，垂直光束发散角为22.5°。该器件的阈值电流为50 mA，PD反向电压高达5 V.这款单模激光二极管采用浮动安装式CAN封装，带一个光电二极管和一个齐纳二极管，尺寸为Ø5.6。它是激光加工、3D打印机、曝光设备、激光显微镜、医疗设备、光刻流式细胞仪、内窥镜和光纤应用的理想选择。

Roithner Lasertechnik的LD-450-100SG是一款基于GaN的宝蓝色激光二极管，工作波长为450 nm.它的输出功率为100 MW，调制带宽超过100 MHz.这款单横模激光器采用TO38封装，不带光电二极管，非常适合激光投影、全息摄影、计量和生物医学应用。

来自Laserscom的LDS-1310-FP-1.25G-15/80是耦合到光纤的1310nm InGaAsP激光二极管。在单模光纤G.657.A1中，它在CW模式下提供高达15 MW的光输出功率，在脉冲模式下提供高达80 MW的光输出功率。这款法布里-珀罗激光二极管提供高达1.25 Gbps的数据速率，并内置监控光电二极管。该激光二极管是激光系统和数据速率高达1.25 Gbps的光纤通信系统的理想选择。

Laserscom公司的LDS-1550-DFB-2.5G-15/50是一种多量子阱激光二极管，工作波长为1550 nm.输出光功率50mW（脉冲）&15mW（连续），光谱宽度0.08nm，斜率效率0.16W/A，上升/下降时间80ps，跟踪误差0.15dB.它的电容为10 PF，暗电流小于100 nA，阈值电流为8 mA.该激光二极管具有DFB腔、内置监控光电二极管，并提供高达2.5 Gbps的数据速率。它使用LDS技术来提高光功率的热稳定性。LDS-1550-DFB-2.5G-15/50需要1.4 V的直流电源，消耗100 mA的电流。该激光二极管采用同轴、带支架的同轴或14针DIL封装，并具有带FC/APC、SC/APC、FC/UPC和SC/UPC连接器选项的SM/PM光纤选项。它非常适合数据速率高达2.5 Gbps的光纤通信系统和激光系统应用。

Laserscom的LDS-1590-DFB-2.5G-15/45是一款InGaAsP多量子阱激光二极管，工作波长为1587至1593 nm.激光二极管提供高达15 MW（CW）和45 MW（峰值脉冲）的光输出功率。它具有边模抑制比大于40dB的DFB腔，并且具有低于500kHz的谱线宽度。激光二极管基于LDS技术，可提供增强的光功率热稳定性，跟踪误差为0.15 dB.它需要1.7 V的直流电源，电流消耗高达120 mA.激光二极管集成了光电二极管，并采用带光纤连接器的同轴封装。它非常适合数据速率高达2.5 Gbps的光纤通信。该激光二极管可从制造商处订购特定配置。

Quantum Semiconductor International的QL63D4S-A/B/C是MOCVD生长的具有量子阱结构的635 nm波段InGaAlP激光二极管。它为光学水平仪和模块等光电器件提供5mW的输出功率。激光二极管采用5.6 mm TO-18封装，内置用于监控激光二极管的光电二极管。

来自QSI的QL94J6SA/B/C是MOCVD生长的具有量子阱结构的940nm波段InGaAs激光二极管。它为工业光学模块和传感器应用提供50 MW的光输出功率。激光二极管采用5.6 mm TO-18封装，内置光电二极管，用于监控激光二极管。