近红外脉冲半导体激光器通常用于长距离飞行时间或相移测距仪或激光雷达系统。Excelitas提供各种理想的脉冲905 nm激光器设计，包括多腔单片结构，每个芯片较多有4个有效区域，可产生高达100 W的峰值光输出功率。激光器芯片的物理堆叠也是可能的，产生高达300W的峰值光输出功率。板上芯片组件可用于混合集成。有6种金属密封封装类型可供选择，适用于恶劣环境应用。对于大批量应用，可提供模制环氧树脂TO-18型封装和表面贴装超模压陶瓷覆晶封装。关键参数是脉冲宽度和上升/下降时间。可以减小脉冲宽度，从而允许增加的电流驱动并导致更高的峰值光功率。量子阱激光器设计提供<1ns的上升和下降时间，但驱动电路布局和封装电感在决定上升/下降时间方面起着更大的作用，因此应进行相应的设计。为此，Excelitas提供了具有不同电感值的多种封装类型。我们的核心能力包括：MOVPE晶圆生长；生长的GaAs晶片的晶片处理；使用环氧树脂或焊料芯片附着的组件；引线框架上激光器的环氧树脂封装密封产品符合MIL STD和客户要求。

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Excelitas Technologies的PGEW系列单外延和多外延905 nm脉冲半导体激光器由一系列器件组成，这些器件具有多达四个外延生长在单个GaAs衬底芯片上的有源激射层。这种多层设计将输出功率乘以外延层的数量。例如，QPGEW Quad激光器的有源层宽度为225µm，具有四个外延生长的激射层，输出峰值功率接近100 W。T1¾（类TO）塑料封装补充了Excelitas采用密封金属封装的Epi-Cavity激光器，非常适合大批量应用。该激光器采用Excelitas的新型多活性区域激光器芯片，在较小的发射区域内提供高输出功率。PGEW系列的激光芯片具有75和225µm的条纹宽度，并提供单（PGEW）、双（DPGEW）、三（TPGEW）或四（QPGEW）外腔版本。这些器件在垂直于芯片表面的方向上具有25°的光束发散角，在结平面内具有10°的光束扩展。功率输出在整个MIL规格温度范围内表现出极佳的稳定性。使用金属有机化学气相沉积（MOCVD）来制造结构。在涉及光纤耦合应用的情况下，外腔有源区的横向间隔将更多的光功率集中到更小的几何结构中，从而允许增加耦合到光纤中的光功率。峰值波长集中在大多数硅光电二极管的较大响应度附近。PGEW激光器与Excelitas EPI-APD系列C30737的器件匹配得特别好。这些器件非常适合以成本为首要考虑因素且需要大批量生产能力的应用。

这种系列交叉激光模块完全独立于集成的激光驱动器、激光二极管和光学器件。独特的性能包括完美的直线和精细的可调交叉线。我们的标准交叉光学有一个25度的风扇。我们还提供库存的5度、10度和45度交叉线。交叉激光器的功率和波长范围很广。如果您没有看到所需的组合，请与我们联系。

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UCL系列十字线激光模块是完全独立的，集成了激光驱动电路、表面抛光玻璃非球面透镜光学器件、激光二极管和十字线发生器。独特的性能包括完美的直线交叉，紧凑的阳极氧化铝机身，精细可调焦距，清洁光束，低发散度，高瞄准精度和工业强度。强烈推荐用于校准应用。我们的标准交叉线激光器的扇形角为25度。我们还提供5度、10度和45度的扇角。

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Gentec-EO UD10-2-H5-L热传感器磁盘。Ultra磁盘设计用于集成到激光系统中。如果您已经将冷却和信号处理设计到您的系统中，那么它们就是解决方案。下面和下一页的图表显示了Gentec-EO为OEM用户提供的各种可能性。集成度的选择取决于您在校准、输出信号电平、冷却可用性等方面的需求。

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