Gentec-EO光电探测器系列包括9个光电探测器传感器。PH100-Si、PH100Si-HA探测器使用硅光电二极管。PH100-SiUV、PH10B-Si、PE10B-Si、PE3B-Si探测器也使用硅光电二极管，但在较短波长下具有增强的灵敏度。PH20-Ge、PH5B-Ge、PE5B-Ge探测器使用锗光电二极管。PE3B-IN探测器使用InGaAs光电二极管。

Gentec-EO光电探测器系列包括九个光电探测器传感器。

Gentec-EO光电探测器系列包括九个光电探测器传感器。

Gentec-EO光电探测器系列包括九个光电探测器传感器。PH100-Si、PH100Si-HA探测器使用硅光电二极管。PH100-SiUV、PH10B-Si、PE10B-Si、PE3B-Si探测器也使用硅光电二极管，但在较短波长下具有增强的灵敏度。PH20-Ge、PH5B-Ge、PE5B-Ge探测器使用锗光电二极管。PE3B-IN探测器使用InGaAs光电二极管。

Gentec-EO光电探测器系列包括九个光电探测器传感器。PH100-Si、PH100Si-HA探测器使用硅光电二极管。PH100-SiUV、PH10B-Si、PE10B-Si、PE3B-Si探测器也使用硅光电二极管，但在较短波长下具有增强的灵敏度。PH20-Ge、PH5B-Ge、PE5B-Ge探测器使用锗光电二极管。PE3B-IN探测器使用InGaAs光电二极管。

Gentec-EO光电探测器系列包括九个光电探测器传感器。PH100-Si、PH100Si-HA探测器使用硅光电二极管。PH100-SiUV、PH10B-Si、PE10B-Si、PE3B-Si探测器也使用硅光电二极管，但在较短波长下具有增强的灵敏度。PH20-Ge、PH5B-Ge、PE5B-Ge探测器使用锗光电二极管。PE3B-IN探测器使用InGaAs光电二极管。

Gentec-EO光电探测器系列包括九个光电探测器传感器。PH100-Si、PH100Si-HA探测器使用硅光电二极管。PH100-SiUV、PH10B-Si、PE10B-Si、PE3B-Si探测器也使用硅光电二极管，但在较短波长下具有增强的灵敏度。PH20-Ge、PH5B-Ge、PE5B-Ge探测器使用锗光电二极管。PE3B-IN探测器使用InGaAs光电二极管。

Gentec-EO UP系列激光功率探测器包括七个系列（XLP12、UP12、UP10、UP17、UP19、UP25、UP55）的光热传感器，具有不同的冷却选项（独立、散热器、风扇和水），带或不带放大功能。高功率表面吸收传感器设计用于高平均功率密度。Gentec-EO UP系列激光功率探测器包括七个系列（XLP12，UP12，UP10，UP17，UP19，UP25，UP55），具有不同的冷却选项（独立、散热器、风扇和水），带或不带放大器。高功率表面吸收传感器设计用于高平均功率密度。

基于InAs/GaAs量子点的半导体激光器独特的波长范围专有镜面涂层技术实现高可靠性CW或脉冲（低至2ns脉冲宽度）操作高度可靠的Au/Sn技术可选：集成监视器光电二极管

基于InAs/GaAs量子点的半导体激光器独特的波长范围专有镜面涂层技术实现高可靠性CW或脉冲（低至2ns脉冲宽度）操作高度可靠的Au/Sn技术可选：集成监视器光电二极管

OSI激光二极管公司InGaAs PIN探测器在微型同轴模块中提供了小尺寸和高性能。LDI的探测器模块专为提供高响应度和低泄漏而设计，具有低背反射和低偏振相关损耗（PDL）。探测器模块具有高可靠性，符合Telcordia GR-468-CORE的要求。LPD 3080同轴器件可提供245um或900um护套光纤，并提供两种背向反射水平。

高达4 Gbps的SFF/SFP激光驱动器采用4x4 MLF封装M02061是一款高度集成的可编程激光驱动器，适用于高达4.25 Gbps的SFP/SFF模块应用。利用差分PECL数据和时钟输入，M02061提供驱动边缘发射激光器所需的偏置和调制电流。M02061具有自动功率控制功能，可在整个温度范围和使用寿命内保持恒定的平均激光输出功率。此外，可以对调制电流进行温度补偿，以使消光比随温度的变化较小。许多特性可由用户调整，包括自动功率控制（APC）环路偏置控制（通过监控光电二极管）、调制电流、调制电流的温度补偿控制和脉冲宽度调整。

M02098是一款高度集成的可编程突发模式激光驱动器和限幅放大器，适用于2.67 Gbps的ONU/ONT应用。使用LVDS/PECL/CML差分猝发和数据输入，M02098激光驱动器的猝发启用/禁用时间小于3.3 ns，并将自动保持所需的消光比。激光器偏置和调制电流可以以3种方式之一独立地控制：（1）双闭环控制，其中监视光电二极管动态响应保持为目标值，（2）单闭环控制，其中平均监视光电二极管输出保持为目标值，或者（3）开环控制，其中偏置和/或调制电流由基于温度的查找表控制。在闭环情况下，用于先进突发的偏置和调制电流值也可以使用内部温度传感器和外部查找表。M02098限幅放大器输入具有可选带宽和可选输出摆幅。输入灵敏度在1.25Gbps时优于6mV，在2.5Gbps时优于10mV。如果与MindSpeed M02026或M02015 TIAs配合使用，可获得额外的设计余量。CML差分输出以较小额定输入信号产生全摆幅。限幅放大器具有可编程信号电平检测器，具有典型的2dB光学迟滞和内部编程干扰功能，可用于在无信号时抑制输出上的抖动。如果不需要限幅放大器，则可以将其关断。

M02099/M02100是一款低功耗、高度集成、可编程突发模式激光驱动器和连续模式限幅放大器，适用于3.1 Gbps的ONU/ONT应用。内部状态机和EEPROM执行独立操作所需的所有功能（M02100内置EEPROM，M02099可以使用外部EEPROM，但不是必需的）。内部状态机将实时获取和缩放所有必要的监控参数，并使其可用于MAC或外部主机控制器。EEPROM允许M02099/M02100进行多次重新校准，并在无外部控制或外部微控制器或MAC的控制下工作。所有光学元件校准信息都存储在内部EEPROM中，模块上不需要外部微控制器。使用M02099/M02100可较大限度地降低功耗和部件数量，提供设计灵活性并简化制造流程。激光驱动器可配置为通过开环查找表或使用监控光电二极管反馈的三种不同闭环方法之一（包括Macom专有的双闭环和单闭环（调制）模式）来控制激光器。

MALD-02079/MALD-02080与M02076和M02077器件引脚兼容。新的双闭环支持宽动态MPD输入电流范围，增强了工作条件下的ER稳定性和模式依赖性抗扰性。MALD-02079/MALD-02080是一款低功耗、高度集成的激光驱动器和连续模式限幅放大器，适用于3.125 Gbps的ONT应用。内部状态机和EEPROM执行独立操作所需的所有功能（EEPROM位于MALD-02080内部，外部EEPROM可与MALD-02079一起使用，但不是必需的）。内部状态机将实时获取和缩放所有必要的监控参数，并使其可用于MAC或外部主机控制器。使用MALD-02079/MALD-02080将较大限度地降低功耗和部件数量，提供设计灵活性并简化制造过程。激光驱动器可配置为通过开环查找表或使用监控光电二极管反馈的三种不同闭环方法之一（包括Macom专有的双闭环和单闭环（调制）模式）来控制激光器。

OT-27是Optitask公司的高能量Q开关1.54mm二极管泵浦固态（DPSS）激光器。这种空气冷却的被动Q开关激光器是专门为高能量激光传输而设计的。在-40oC至75oC的工作温度范围内，OT-27提供超过2 MJ的脉冲能量，半高宽（FWHM）脉冲宽度为10 ns，脉冲重复频率在连续工作模式下为1 Hz，在突发模式下为5 Hz。输出光束直径<0.8 mm，光束发散度小于5毫弧度。这些激光器非常适合长距离传输。OT-27还具有内置光电二极管作为参考。作为启动信号。

OT-29是Optitask公司的高能量Q开关1.54mm二极管泵浦固态（DPSS）激光器。这种空气冷却的被动Q开关激光器是专门为高能量激光传输而设计的。在-40oC至75oC的工作温度范围内，OT-29提供超过1.2 MJ的脉冲能量，半峰全宽（FWHM）脉冲宽度为10 ns，脉冲重复频率在连续工作模式下为1 Hz，在突发模式下为5 Hz。输出光束直径<0.8 mm，光束发散度小于5毫弧度。这些激光器非常适合长距离传输。OT-29还内置光电二极管用作参考。作为启动信号。

OT-37是Optitask公司的高能量Q开关1.54mm二极管泵浦固态（DPSS）激光器。这种空气冷却的被动Q开关激光器是专门为高能量激光传输而设计的。在-40oC至75oC的工作温度范围内，OT-37提供超过2 MJ的脉冲能量，半高宽（FWHM）脉冲宽度为10 ns，脉冲重复频率在连续工作模式下为1 Hz，在突发模式下为5 Hz。输出光束直径<0.8 mm，光束发散度小于5毫弧度。这些激光器非常适合长距离传输。OT-37还具有内置光电二极管作为参考。作为启动信号。

OT-39是Optitask公司的高能量Q开关1.54mm二极管泵浦固态（DPSS）激光器。这种空气冷却的被动Q开关激光器是专门为高能量激光传输而设计的。在-40oC至75oC的工作温度范围内，OT-39提供超过3 MJ的脉冲能量，半高宽（FWHM）脉冲宽度为10 ns，脉冲重复频率在连续工作模式下为1 Hz，在突发模式下为5 Hz。输出光束直径<0.8 mm，光束发散度小于5毫弧度。这些激光器非常适合长距离传输。OT-39还具有内置光电二极管作为参考。作为启动信号。

Excelitas Technologies的PGEW系列单外延和多外延905 nm脉冲半导体激光器由一系列器件组成，这些器件具有多达四个外延生长在单个GaAs衬底芯片上的有源激射层。这种多层设计将输出功率乘以外延层的数量。例如，QPGEW Quad激光器的有源层宽度为225µm，具有四个外延生长的激射层，输出峰值功率接近100 W。T1¾（类TO）塑料封装补充了Excelitas采用密封金属封装的Epi-Cavity激光器，非常适合大批量应用。该激光器采用Excelitas的新型多活性区域激光器芯片，在较小的发射区域内提供高输出功率。PGEW系列的激光芯片具有75和225µm的条纹宽度，并提供单（PGEW）、双（DPGEW）、三（TPGEW）或四（QPGEW）外腔版本。这些器件在垂直于芯片表面的方向上具有25°的光束发散角，在结平面内具有10°的光束扩展。功率输出在整个MIL规格温度范围内表现出极佳的稳定性。使用金属有机化学气相沉积（MOCVD）来制造结构。在涉及光纤耦合应用的情况下，外腔有源区的横向间隔将更多的光功率集中到更小的几何结构中，从而允许增加耦合到光纤中的光功率。峰值波长集中在大多数硅光电二极管的较大响应度附近。PGEW激光器与Excelitas EPI-APD系列C30737的器件匹配得特别好。这些器件非常适合以成本为首要考虑因素且需要大批量生产能力的应用。