• FLO-65/mp-i 半导体激光器
    德国
    工作模式: CW Laser 波长: 660 nm 输出功率: 0.015 W 阈值电流: 40 to 70 mA 类型: Fiber-Coupled Laser Diode

    Frankfurt Laser Company的FLO-65/MP-I是一款激光二极管,波长为660 nm,输出功率为0.015 W,阈值电流为40至70 mA,输出功率(CW)为0.015 W,工作温度为-40至55摄氏度。有关FLO-65/MP-I的更多详细信息,请联系我们。

  • 折叠-35S-658-VGB 半导体激光器
    德国
    工作模式: CW Laser 波长: 658 nm 输出功率: 0.035 W 阈值电流: 30 to 50 mA 类型: Fiber-Coupled Laser Diode

    来自Frankfurt Laser Company的FOLD-35S-658-VGB是一种激光二极管,波长为658 nm,输出功率为0.035 W,阈值电流为30至50 mA,输出功率(CW)为0.035 W,工作温度为0至50摄氏度。FOLD-35S-658-VGB的更多详细信息见下文。

  • V980-6GUA-1TGA 半导体激光器
    美国
    厂商:Inneos
    应用行业: Automotive, Industrial, Aerospace 技术: Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser (VCSEL) 工作模式: CW Laser 波长: 965 to 990 nm 输出功率: 1 to 2.7 mW

    Inneos的V980-6GUA-1TGA是一款垂直腔面发射激光二极管,工作波长为980 nm.光输出功率为2.7 MW,斜率效率为0.4-0.6 MW/mA.这种单通道顶部发射VCSEL在小于4.5GHz的带宽下具有6Gbps的数据速率。它的光谱宽度为0.4nm,光束发散半角为13度。V980-6GUA-1TGA可集成到收发器或传感器中,经过设计和测试,可在恶劣环境应用中保持高性能。该激光二极管的阈值电流为1 mA,反向电压高达8 V.它需要1.9-3.0 V的直流电源,消耗5 mA的电流。这款VCSEL采用裸片封装,尺寸为0.20 X 0.25 mm,非常适合恶劣环境传感器、发射器光学子组件和宽温度收发器。

  • V980-6GXA-1TGA 半导体激光器
    美国
    厂商:Inneos
    应用行业: Automotive, Industrial, Aerospace 技术: Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser (VCSEL) 工作模式: CW Laser 波长: 965 to 990 nm 输出功率: 1 to 1.6 mW

    Inneos的V980-6GXA-1TGA是一款6 Gbps VCSEL激光二极管,工作波长为980 nm.其光输出功率为1.6mW,斜率效率为0.5-0.75mW/mA.该单通道顶部发射激光二极管的光谱宽度为0.4nm,最小小信号带宽为4.5GHz,光束发散半角为16度。它需要2-3.3 V的直流电源,功耗为3 mA.该激光二极管的反向电压高达8 V,需要0.7 mA的阈值电流。该器件采用尺寸为250 X 250 X 200微米的封装,非常适合汽车、工业和航空航天应用中的恶劣环境传感器、发射器光学子组件和宽温度收发器。

  • QD-C1940-IALDA 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: QCW 波长: 830 nm 输出功率: 40 to 100 W 堆栈/阵列: Array/Stack

    Quantel Laser by Lumibird生产的QD-C1940-IALDA是一款激光二极管,波长为830 nm,输出功率为40至100 W,工作温度为5至45摄氏度,存储温度为-40至85摄氏度。有关QD-C1940-IALDA的更多详细信息,请联系我们。

  • EYP-BAL-0905-00010-1040-TOE02-0010 半导体激光器
    德国
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 905 nm 输出功率: 0 to 10 W 阈值电流: 0 to 1500 mA 激光增益介质: GaAs

    Toptica Eagleyard的EYP-BAL-0905-00010-1040-TOE02-0010是一款激光二极管,波长905 nm,输出功率0至10 W,阈值电流0至1500 mA,输出功率(连续波)0至10 W,工作温度-40至80摄氏度。EYP-BAL-0905-00010-1040-TOE02-0010的更多详情见下文。

  • EYP-DFB-0780-00080-1500-BFW01-000x 半导体激光器
    德国
    技术: Distributed Feedback Laser (DFB) 工作模式: Pulsed Laser 波长: 780 nm 输出功率: 0.02 to 0.08 W 阈值电流: 180 mA

    Toptica Eagleyard的EYP-DFB-0780-00080-1500-BFW01-000X是一款激光二极管,波长为780 nm,输出功率为0.02至0.08 W,阈值电流为180 mA,输出功率(连续波)为0.02至0.08 W,工作温度为-20至65摄氏度。有关EYP-DFB-0780-00080-1500-BFW01-000X的更多详细信息,请联系我们。

  • EYP-RWS-0760-00040-1500-SOT02-0000 半导体激光器
    德国
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 760 nm 输出功率: 0.01 to 0.04 W 阈值电流: 70 mA 类型: Free Space Laser Diode

    来自Eagleyard的EYP-RWS-0760-00040-1500-SOT02-0000是单频稳定脊形波导激光二极管,工作波长为760nm.它在15至35摄氏度的温度下工作时,可提供10至40 MW的输出功率。该激光器采用带监控二极管的3引脚封装,是氧气检测和计量应用的理想选择。

  • EYP-RWS-0785-00080-1500-SOT02-0000 半导体激光器
    德国
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 785 nm 输出功率: 0.02 to 0.08 W 阈值电流: 70 mA 激光增益介质: GaAs

    Toptica Eagleyard的EYP-RWS-0785-00080-1500-SOT02-0000是一款激光二极管,波长为785 nm,输出功率为0.02至0.08 W,阈值电流为70 mA,输出功率(连续波)为0.02至0.08 W,工作温度为15至40摄氏度。有关EYP-RWS-0785-00080-1500-SOT02-0000的更多详细信息,请联系我们。

  • EYP-RWS-0785-00080-1500-TOS52-0000 半导体激光器
    德国
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 785 nm 输出功率: 0.02 to 0.08 W 阈值电流: 70 mA 类型: Free Space Laser Diode

    Toptica Eagleyard的EYP-RWS-0785-00080-1500-TOS52-0000是一款激光二极管,波长为785 nm,输出功率为0.02至0.08 W,阈值电流为70 mA,输出功率(连续波)为0.02至0.08 W,工作温度为15至40摄氏度。EYP-RWS-0785-00080-1500-TOS52-0000的更多详情见下文。

  • EYP-RWS-0852-00100-1500-SOT02-0000 半导体激光器
    德国
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 852 nm 输出功率: 0.02 to 0.1 W 阈值电流: 70 mA 激光增益介质: GaAs

    来自Toptica Eagleyard的EYP-RWS-0852-00100-1500-SOT02-0000是波长为852 nm、输出功率为0.02至0.1 W、阈值电流为70 mA、输出功率(连续波)为0.02至0.1 W、工作温度为15至40摄氏度的激光二极管。EYP-RWS-0852-00100-1500-SOT02-0000的更多详情见下文。

  • EYP-RWS-1064-00080-1500-SOT02-0000 半导体激光器
    德国
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 1064 nm 输出功率: 0.02 to 0.08 W 阈值电流: 70 mA 激光增益介质: GaAs

    来自Toptica Eagleyard的EYP-RWS-1064-00080-1500-SOT02-0000是波长为1064 nm的激光二极管,输出功率为0.02至0.08 W,阈值电流为70 mA,输出功率(CW)为0.02至0.08 W,工作温度为15至40摄氏度。

  • ML562G85 半导体激光器
    日本
    工作模式: CW Laser 波长: 639 nm 输出功率: 0 to 2.1 W 工作电压: 2.25 V 阈值电流: 550 mA

    三菱电机(Mitsubishi Electric)的ML562G85是一款红色激光二极管,工作波长为639 nm.它产生2.1 W的CW输出功率和250流明的亮度,效率为41%。这款横向多模激光二极管采用独创的高功率技术和优化的外延结构,可在高达45摄氏度的高温下工作。它采用TO-CAN封装,尺寸为Ø9.0 mm,非常适合需要高亮度的大型场地激光投影仪。

  • LNCQ28MS01WW 半导体激光器
    日本
    技术: Multi-Quantum Well (MQW) 工作模式: CW/Pulsed Laser 波长: 656 to 665 nm 输出功率: 0.1 to 0.35 W 工作电压: 2 to 3 V

    Panasonic公司的LNCQ28MS01WW是一种MOCVD制造的激光二极管,具有多量子阱结构,工作波长为655至665nm.它提供高达350 MW的脉冲输出功率,工作温度范围为-10至+85°C.激光二极管的脉冲宽度高达40 ns,占空比高达33%。它需要2至3 V的直流电源,功耗为165 mA.激光二极管具有7.5至13度的平行光束发散度和13至19.5度的垂直光束发散度。它采用TO-56 CAN封装,非常适合用于光盘驱动器、传感、分析、测量和农业应用。

  • DFB15 半导体激光器
    技术: Distributed Feedback (DFB) 工作模式: CW Laser 工作电压: 1.6 V 阈值电流: 8 to 29 mA 激光颜色: Infrared

    II-VI Incorporated的DFB15是一款激光二极管,波长为1269.5 nm、1289.5 nm、1309.5 nm,工作电压为1.6 V,阈值电流为8至29 mA,工作温度为0至85摄氏度,存储温度为-40至100摄氏度。

  • HPC 50W 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: CW Laser, Pulsed Laser 工作电压: 1.5 to 1.65 V 工作电流: 50 to 55 A 阈值电流: 4 to 4.7 A

    II-VI Incorporated的HPC 50W是一种多发射器激光二极管,工作波长为915、940、980、1030或1060 nm.它的输出功率为50W,功率转换效率超过60%,斜率效率为1–1.1W/A.该激光二极管的光谱宽度可达4nm,在FWHM处的光束发散角为5.5度(平行)和26度(垂直)。它的填充因子为18%,波长温度系数为0.3 nm/℃。该TE偏振激光二极管具有10个发射极,发射极间距为500μm,发射极宽度为90μm.HPC 50W符合RoHS规范,具有单量子阱MBE结构。即使在极高的输出功率下,专有的E2前镜钝化工艺也可防止激光二极管端面的灾难性光学损伤(COD)。低于1μm的低线栅微笑值和小发射极宽度提高了光纤耦合效率,特别是对于低纤芯直径。5.4 mm激光二极管半条安装在扩展匹配的底座上,采用传导冷却的铜块封装,在CW和脉冲工作模式下提供卓越的可靠性。HPC 50W需要4-4.7 A的阈值电流和消耗50-55 A电流的1.5-1.65 V直流电源。这款激光二极管采用尺寸为24.9 X 24.9 X 14.19 mm的封装,非常适合材料加工(焊接、切割等)、准直固态激光泵浦、光纤激光泵浦、印刷和医疗应用。

  • 卡拉特 半导体激光器
    以色列
    巴条配置: Horizontal Stack 工作模式: CW Laser 波长: 808 nm 输出功率: 80 W 工作电流: 90 A

    来自SIMIConductor Devices的KARAT是波长为808nm、输出功率为80W、工作电流为90A、输出功率(CW)为80W、工作温度为25℃的激光二极管。

  • 霓虹灯 半导体激光器
    以色列
    工作模式: CW Laser 输出功率: Up to 50 W 工作电流: 12 A 类型: Fiber-Coupled Laser Diode

    来自半导体器件的氖是一种激光二极管,波长为808/-5nm、915/-5nm、950/-5 nm、975/-5 nm,输出功率高达50 W,工作电流为12 A,输出功率(CW)高达50 W,工作温度为20至30摄氏度。

  • QCW-1000-G 半导体激光器
    以色列
    工作模式: CW Laser, Pulsed Laser 波长: 808 ±3 nm 输出功率: 100 W 工作电流: 105 A 堆栈/阵列: Array/Stack

    来自SIMIConductor Devices的QCW-1000-G是一款激光二极管,波长为808±3 nm,输出功率为100 W,工作电流为105 A,输出功率(CW)为100 W,工作温度为55摄氏度。有关QCW-1000-G的更多详细信息,请联系我们。

  • 氙气 半导体激光器
    以色列
    工作模式: CW Laser 输出功率: Up to 320 W 工作电流: 10 to 12 A 类型: Fiber-Coupled Laser Diode 纤芯直径: 200 to 220, 400 to 440 µm

    来自半导体器件的氙是一种激光二极管,波长为808/-5nm、915/-5nm、950/-5 nm、975/-5 nm,输出功率高达320 W,工作电流为10至12 A,输出功率(CW)高达320 W,工作温度为20至30摄氏度。