• MTD8600N-T 光电晶体管
    美国
    分类:光电晶体管
    材料: Metal 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor RoHS: Yes 集电极发射极电压(击穿): 30 V

    Marktech Optoelectronics的MTD8600N-T是一款峰值灵敏度波长为880 nm的光电晶体管。它的光谱范围为400-1100nm,开关时间(上升/下降)为10μs.该晶体管的集电极-发射极电流为3 mA,C-E饱和电压为0.2 V,集电极暗电流高达100 nA.该器件采用TO-18金属罐封装,尺寸为Ø5.4 mm,是光学开关、光学传感器、边缘检测和烟雾探测器应用的理想选择。

  • MTD8600N4-T 光电晶体管
    美国
    分类:光电晶体管
    材料: Metal 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor RoHS: Yes 集电极发射极电压(击穿): 30 V

    Marktech Optoelectronics的MTD8600N4-T是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)30 V,集电极暗电流100 nA,集电极发射极电压(饱和)0.2 V,发射极集电极电压(击穿)5 V,功耗250 MW.有关MTD8600N4-T的更多详细信息,请联系我们。

  • MTD8600T-T 光电晶体管
    美国
    分类:光电晶体管
    材料: Metal 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor RoHS: Yes 集电极发射极电压(击穿): 30 V

    Marktech Optoelectronics的MTD8600T-T是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)30 V,集电极暗电流100 nA,集电极发射极电压(饱和)0.2 V,发射极集电极电压(击穿)5 V,功耗250 MW.有关MTD8600T-T的更多详细信息,请联系我们。

  • MTD8600T4-T 光电晶体管
    美国
    分类:光电晶体管
    材料: Metal 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor RoHS: Yes 集电极发射极电压(击穿): 30 V

    Marktech Optoelectronics的MTD8600T4-T是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)30 V,集电极暗电流100 nA,集电极发射极电压(饱和)0.2 V,发射极集电极电压(击穿)5 V,功耗250 MW.有关MTD8600T4-T的更多详细信息,请联系我们。

  • OP300SL 光电晶体管
    加拿大
    分类:光电晶体管
    厂商:TT Electronics
    输入功率(辐照度): 0.4 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Surface Mount 光电晶体管型: Photodarlington 极性: NPN

    来自TT Electronics的OP300SL是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)为15 V,集电极暗电流为1µA,集电极发射极电压(饱和)为1.1 V,发射极集电极电压(击穿)为5 V,导通状态集电极电流为0.8 mA.有关OP300SL的更多详情,请联系我们。

  • OP301SL 光电晶体管
    加拿大
    分类:光电晶体管
    厂商:TT Electronics
    输入功率(辐照度): 0.4 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Surface Mount 光电晶体管型: Photodarlington 极性: NPN

    来自TT Electronics的OP301SL是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)为15 V,集电极暗电流为1µA,集电极发射极电压(饱和)为1.1 V,发射极集电极电压(击穿)为5 V,导通状态集电极电流为0.8至2.4 mA.有关OP301SL的更多详细信息,请联系我们。

  • OP302SL 光电晶体管
    加拿大
    分类:光电晶体管
    厂商:TT Electronics
    输入功率(辐照度): 0.4 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Surface Mount 光电晶体管型: Photodarlington 极性: NPN

    来自TT Electronics的OP302SL是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)为15 V,集电极暗电流为1µA,集电极发射极电压(饱和)为1.1 V,发射极集电极电压(击穿)为5 V,导通状态集电极电流为1.8至5.4 mA.有关OP302SL的更多详细信息,请联系我们。

  • OP303SL 光电晶体管
    加拿大
    分类:光电晶体管
    厂商:TT Electronics
    输入功率(辐照度): 0.4 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Surface Mount 光电晶体管型: Photodarlington 极性: NPN

    来自TT Electronics的OP303SL是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)为15 V,集电极暗电流为1µA,集电极发射极电压(饱和)为1.1 V,发射极集电极电压(击穿)为5 V,导通状态集电极电流为3.6至12.0 mA.有关OP303SL的更多详细信息,请联系我们。

  • OP304SL 光电晶体管
    加拿大
    分类:光电晶体管
    厂商:TT Electronics
    输入功率(辐照度): 0.4 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Surface Mount 光电晶体管型: Photodarlington 极性: NPN

    来自TT Electronics的OP304SL是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)为15 V,集电极暗电流为1µA,集电极发射极电压(饱和)为1.1 V,发射极集电极电压(击穿)为5 V,导通状态集电极电流为7.0至21.0 mA.有关OP304SL的更多详细信息,请联系我们。

  • OP305SL 光电晶体管
    加拿大
    分类:光电晶体管
    厂商:TT Electronics
    输入功率(辐照度): 0.4 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Surface Mount 光电晶体管型: Photodarlington 极性: NPN

    来自TT Electronics的OP305SL是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)为15 V,集电极暗电流为1µA,集电极发射极电压(饱和)为1.1 V,发射极集电极电压(击穿)为5 V,导通状态集电极电流为14 mA.有关OP305SL的更多详细信息,请联系我们。

  • OP505A 光电晶体管
    加拿大
    分类:光电晶体管
    厂商:TT Electronics
    输入功率(辐照度): 1 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

    来自TT Electronics的OP505A是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)30 V,集电极暗电流100 nA,集电极发射极电压(饱和)0.40 V,发射极集电极电压(击穿)5 V,导通状态集电极电流4.3 mA.有关OP505A的更多详细信息,请联系我们。

  • OP505B 光电晶体管
    加拿大
    分类:光电晶体管
    厂商:TT Electronics
    输入功率(辐照度): 1 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

    来自TT Electronics的OP505B是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)30 V,集电极暗电流100 nA,集电极发射极电压(饱和)0.40 V,发射极集电极电压(击穿)5 V,导通状态集电极电流2.15至5.95 mA.有关OP505B的更多详细信息,请联系我们。

  • OP505C 光电晶体管
    加拿大
    分类:光电晶体管
    厂商:TT Electronics
    输入功率(辐照度): 1 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

    来自TT Electronics的OP505C是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)30 V,集电极暗电流100 nA,集电极发射极电压(饱和)0.40 V,发射极集电极电压(击穿)5 V,导通状态集电极电流1.1至3 mA.有关OP505C的更多详细信息,请联系我们。

  • OP505D 光电晶体管
    加拿大
    分类:光电晶体管
    厂商:TT Electronics
    输入功率(辐照度): 1 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

    来自TT Electronics的OP505D是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)30 V,集电极暗电流100 nA,集电极发射极电压(饱和)0.40 V,发射极集电极电压(击穿)5 V,导通状态集电极电流0.55 mA.有关OP505D的更多详细信息,请联系我们。

  • OP505W 光电晶体管
    加拿大
    分类:光电晶体管
    厂商:TT Electronics
    输入功率(辐照度): 0.75 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

    TT Electronics的OP505W是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)30 V,集电极暗电流100 nA,集电极发射极电压(饱和)0.40 V,发射极集电极电压(击穿)5 V,导通状态集电极电流0.1 mA.有关OP505W的更多详细信息,请联系我们。

  • OP506A 光电晶体管
    加拿大
    分类:光电晶体管
    厂商:TT Electronics
    输入功率(辐照度): 1 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

    来自TT Electronics的OP506A是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)30 V,集电极暗电流100 nA,集电极发射极电压(饱和)0.40 V,发射极集电极电压(击穿)5 V,导通状态集电极电流4.3 mA.有关OP506A的更多详细信息,请联系我们。

  • OP506B 光电晶体管
    加拿大
    分类:光电晶体管
    厂商:TT Electronics
    输入功率(辐照度): 1 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

    来自TT Electronics的OP506B是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)30 V,集电极暗电流100 nA,集电极发射极电压(饱和)0.40 V,发射极集电极电压(击穿)5 V,导通状态集电极电流2.15至5.95 mA.有关OP506B的更多详细信息,请联系我们。

  • OP506C 光电晶体管
    加拿大
    分类:光电晶体管
    厂商:TT Electronics
    输入功率(辐照度): 1 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

    来自TT Electronics的OP506C是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)30 V,集电极暗电流100 nA,集电极发射极电压(饱和)0.40 V,发射极集电极电压(击穿)5 V,导通状态集电极电流1.1至3 mA.有关OP506C的更多详细信息,请联系我们。

  • OP506D 光电晶体管
    加拿大
    分类:光电晶体管
    厂商:TT Electronics
    输入功率(辐照度): 1 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

    来自TT Electronics的OP506D是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)30 V,集电极暗电流100 nA,集电极发射极电压(饱和)0.40 V,发射极集电极电压(击穿)5 V,导通状态集电极电流0.55 mA.有关OP506D的更多详细信息,请联系我们。

  • OP506W 光电晶体管
    加拿大
    分类:光电晶体管
    厂商:TT Electronics
    输入功率(辐照度): 0.75 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

    TT Electronics的OP506W是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)30 V,集电极暗电流100 nA,集电极发射极电压(饱和)0.40 V,发射极集电极电压(击穿)5 V,导通状态集电极电流0.1 mA.有关OP506W的更多详细信息,请联系我们。