• QL78D6SB 半导体激光器
    奥地利
    技术: Quantum Well 工作模式: CW Laser 波长: 770 to 800 nm 输出功率: 0.005 W 工作电压: 1.9 to 2.3 V

    来自Roithner Lasertechnik的QL78D6SB是波长为770至800 nm、输出功率为0.005 W、工作电压为1.9至2.3 V、工作电流为0.03至0.04 A、阈值电流为20至30 mA的激光二极管。有关QL78D6SB的更多详细信息,请联系我们。

  • QL78F6SA 半导体激光器
    奥地利
    技术: Quantum Well 工作模式: CW Laser 波长: 775 to 800 nm 输出功率: 0.01 W 工作电压: 1.5 to 2.4 V

    来自Roithner Lasertechnik的QL78F6SA是波长为775至800 nm、输出功率为0.01 W、工作电压为1.5至2.4 V、工作电流为0.02 2至0.04 A、阈值电流为8至18 mA的激光二极管。有关QL78F6SA的更多详细信息,请联系我们。

  • QL78I6SA 半导体激光器
    奥地利
    技术: Quantum Well 工作模式: CW Laser 波长: 775 to 795 nm 输出功率: 0.025 W 工作电压: 2 to 2.6 V

    来自Roithner Lasertechnik的QL78I6SA是波长为775至795nm、输出功率为0.025W、工作电压为2至2.6V、工作电流为0.055至0.075A、阈值电流为20至30mA的激光二极管。有关QL78I6SA的更多详细信息,请联系我们。

  • QL78J6SA 半导体激光器
    奥地利
    技术: Quantum Well 工作模式: CW Laser 波长: 775 to 795 nm 输出功率: 0.05 W 工作电压: 2 to 2.8 V

    来自Roithner Lasertechnik的QL78J6SA是波长为775至795nm、输出功率为0.05W、工作电压为2至2.8V、工作电流为0.075至0.1A、阈值电流为25至40mA的激光二极管。有关QL78J6SA的更多详细信息,请联系我们。

  • QL78M6SA 半导体激光器
    奥地利
    技术: Quantum Well 芯片技术: AlGaAs 工作模式: CW Lasers 波长: 780 nm 输出功率: 0.09 W

    Roithner Lasertechnik的QL78M6SA是一款工作波长为770至790 nm的AlGaAs红外激光二极管。它的输出功率为90 MW,LD反向电压为2 V,PD反向电压为30 V.该单横模激光二极管具有量子阱结构,可在高达60摄氏度的温度下工作。它采用5.6 mm TO-CAN封装,是工业应用的理想辐射源。

  • QL83F6SA 半导体激光器
    奥地利
    技术: Quantum Well 芯片技术: AlGaAs 工作模式: CW Lasers 波长: 830 nm 输出功率: 0.01 W

    来自Roithner Lasertechnik的QL83F6SA是波长为830 nm、输出功率为10 MW、输出功率为0.01 W、工作电压为1.7至2.4 V、工作电流为30至55 mA的激光二极管。有关QL83F6SA的更多详细信息,请联系我们。

  • QL83H6SA 半导体激光器
    奥地利
    技术: Quantum Well 芯片技术: AlGaAs 工作模式: CW Lasers 波长: 830 nm 输出功率: 0.02 W

    Roithner Lasertechnik的QL83H6SA是一款具有量子阱结构的单模AlGaAs红外激光二极管,工作波长为830 nm.它的光输出功率为20mW,斜率效率为0.6W/A.该激光二极管具有9°的平行光束发散角和30°的垂直光束发散角。它需要1.9 V的工作电压和45 mA的电流。该器件采用集成PD的5.6 mm TO-CAN封装,是许多工业应用的理想选择。

  • QL85D6SA 半导体激光器
    奥地利
    工作模式: CW Laser 波长: 845 to 855 nm 输出功率: 0.005 W 工作电压: 1.9 to 2.5 V 工作电流: 0.015 to 0.03 A

    来自Roithner Lasertechnik的QL85D6SA是波长为845至855 nm、输出功率为0.005 W、工作电压为1.9至2.5 V、工作电流为0.015至0.03 A、阈值电流为5至20 mA的激光二极管。有关QL85D6SA的更多详细信息,请联系我们。

  • QL85F6SA 半导体激光器
    奥地利
    工作模式: CW Laser 波长: 845 to 855 nm 输出功率: 0.01 W 工作电压: 1.9 to 2.5 V 工作电流: 0.015 to 0.035 A

    来自Roithner Lasertechnik的QL85F6SA是波长为845至855 nm、输出功率为0.01 W、工作电压为1.9至2.5 V、工作电流为0.015至0.035 A、阈值电流为5至20 mA的激光二极管。有关QL85F6SA的更多详细信息,请联系我们。

  • QL85H6SA 半导体激光器
    奥地利
    技术: Quantum Well 工作模式: CW Laser 波长: 845 to 865 nm 输出功率: 0.02 W 工作电压: 2 to 2.5 V

    来自Roithner Lasertechnik的QL85H6SA是波长为845至865 nm、输出功率为0.02 W、工作电压为2至2.5 V、工作电流为0.04至0.07 A、阈值电流为5至35 mA的激光二极管。有关QL85H6SA的更多详细信息,请联系我们。

  • QL85I6SA 半导体激光器
    奥地利
    工作模式: CW Laser 波长: 845 to 860 nm 输出功率: 0.03 W 工作电压: 2 to 2.5 V 工作电流: 0.05 to 0.09 A

    来自Roithner Lasertechnik的QL85I6SA是波长为845至860 nm、输出功率为0.03 W、工作电压为2至2.5 V、工作电流为0.05至0.09 A、阈值电流为5至35 mA的激光二极管。有关QL85I6SA的更多详细信息,请联系我们。

  • QL85J6SA-L 半导体激光器
    奥地利
    技术: Quantum Well 工作模式: CW Laser 波长: 845 to 860 nm 输出功率: 0.04 W 工作电压: 2 to 2.5 V

    来自Roithner Lasertechnik的QL85J6SA-L是波长为845至860 nm、输出功率为0.04 W、工作电压为2至2.5 V、工作电流为0.07至0.11 A、阈值电流为30至45 mA的激光二极管。有关QL85J6SA-L的更多详细信息,请联系我们。

  • QL86T4HD 半导体激光器
    奥地利
    技术: Quantum Well 工作模式: CW Laser 波长: 850 to 875 nm 输出功率: 1 W 工作电压: 2.5 to 3 V

    来自Roithner Lasertechnik的QL86T4HD是波长为850至875 nm、输出功率为1 W、工作电压为2.5至3 V、工作电流为1.3至2 A、阈值电流为0.28至0.35 mA的激光二极管。有关QL86T4HD的更多详细信息,请联系我们。

  • QL90F7SA 半导体激光器
    奥地利
    工作模式: CW Laser 波长: 895 to 915 nm 输出功率: 0.01 W 工作电压: 1.6 to 2.5 V 工作电流: 0.04 to 0.06 A

    来自Roithner Lasertechnik的QL90F7SA是波长为895至915 nm、输出功率为0.01 W、工作电压为1.6至2.5 V、工作电流为0.04至0.06 A、阈值电流为15至25 mA的激光二极管。有关QL90F7SA的更多详细信息,请联系我们。

  • QL94J6SA 半导体激光器
    奥地利
    技术: Quantum Well 芯片技术: AlGaAs 工作模式: CW Lasers 波长: 940 nm 输出功率: 0.05 W

    Roithner Lasertechnik GmbH生产的QL94J6SA是一款输出波长为940 nm的AlGaAs红外激光二极管。它提供高达50 MW的光输出功率,并在高达60°C的宽工作温度范围内产生单模发射。激光二极管的光束发散度为6-12度(平行)、23-33度(垂直),光束角为±3°(平行和垂直)。它需要高达2.5 V的电源电压,功耗低于90 mA.这种单横模激光器是利用MOCVD(金属有机化学气相沉积)技术设计的,具有量子阱结构。它采用TO18封装,带有一个平面窗口,适合工业应用。

  • QL94R6SA 半导体激光器
    奥地利
    技术: Quantum Well 芯片技术: AlGaAs 工作模式: CW Lasers 波长: 940 nm 输出功率: 0.2 W

    来自Roithner Lasertechnik的QL94R6SA是波长为940 nm、输出功率为200 MW、输出功率为0.2 W、工作电压为2至2.5 V、工作电流为270至320 mA的激光二极管。有关QL94R6SA的更多详细信息,请联系我们。

  • SHD4850MG 半导体激光器
    奥地利
    技术: Quantum Well 芯片技术: InAlGaN 工作模式: CW Lasers 波长: 488 nm 输出功率: 0.05 W

    Roithner Lasertechnik的SHD4850MG是一款InAlGaN青色激光二极管,工作波长为488 nm.该激光器的输出功率为50mW,斜率效率为0.8W/A,阈值电流为40mA,采用多量子阱结构,工作在TE横模。它需要6 V直流电源,功耗为105 mA.这款激光二极管采用TO-CAN封装,尺寸为Ø5.6 mm,带平面窗口,非常适合激光投影、全息摄影、计量和生物医学应用。

  • LD-10XX-BA-15W 半导体激光器
    德国
    厂商:Innolume
    工作模式: CW 波长: 1030 to 1130 nm 输出功率: 15 W 工作电压: 1.5 to 1.7 V 工作电流: 18 to 20 A

    Innolume的LD-10xx-BA-15W是一款激光二极管,在1064 nm下工作时可提供12 W的输出功率。在准连续波(QCW)工作模式下,它提供35 W的输出功率。激光二极管的波长范围为1030~1130nm.它可用于C-Mount封装,但TO-CAN封装可用于QCW操作。

  • LDS-1450-DFB-2.5G-15/45 半导体激光器
    白俄罗斯
    厂商:LasersCom
    技术: Distributed Feedback (DFB), Multi-Quantum Well (MQW) 工作模式: CW/Pulsed Laser 波长: 1447 to 1453 nm 输出功率: 15 to 45 mW 工作电压: 1.4 to 1.7 V

    来自Laserscom的LDS-1450-DFB-2.5G-15/45是耦合到光纤的1450nm InGaAsP MQW激光二极管。在单模光纤G.657.A1中,它在CW模式下提供高达15 MW的光功率,在脉冲模式下提供高达45 MW的光功率。该激光二极管具有高达2.5Gbps的数据速率和小于500kHz的线宽。该二极管的工作电压为1.4至1.7 V,功耗高达120 mA.该激光二极管采用同轴封装,是光纤通信系统的理想选择。

  • LDS-1550-DFB-2.5G-15/50 半导体激光器
    白俄罗斯
    厂商:LasersCom
    技术: Distributed Feedback (DFB), Multi-Quantum Well (MQW) 工作模式: CW/Pulsed Laser 波长: 1547 to 1553 nm 输出功率: 15 to 50 mW 工作电压: 1.3 to 1.7 V

    Laserscom公司的LDS-1550-DFB-2.5G-15/50是一种多量子阱激光二极管,工作波长为1550 nm.输出光功率50mW(脉冲)&15mW(连续),光谱宽度0.08nm,斜率效率0.16W/A,上升/下降时间80ps,跟踪误差0.15dB.它的电容为10 PF,暗电流小于100 nA,阈值电流为8 mA.该激光二极管具有DFB腔、内置监控光电二极管,并提供高达2.5 Gbps的数据速率。它使用LDS技术来提高光功率的热稳定性。LDS-1550-DFB-2.5G-15/50需要1.4 V的直流电源,消耗100 mA的电流。该激光二极管采用同轴、带支架的同轴或14针DIL封装,并具有带FC/APC、SC/APC、FC/UPC和SC/UPC连接器选项的SM/PM光纤选项。它非常适合数据速率高达2.5 Gbps的光纤通信系统和激光系统应用。