• HL63392DG 半导体激光器
    日本
    厂商:牛尾
    芯片技术: AlGaInP 波长: 633 to 643 nm 输出功率: 120 to 200 mW 工作电压: 2.8 to 3.3 V 工作电流: 255 to 290 mA

    Ushio Opto Semiconductors的HL63392DG是一种AlGaInP激光二极管,在638nm下工作时可提供200mW的输出功率。该激光二极管采用TO-CAN封装,是激光模块、校平器和光学设备光源应用的理想选择。

  • HL63520HD 半导体激光器
    日本
    厂商:牛尾
    芯片技术: AIGaInP 工作模式: CW / Pulse Laser 波长: 638 nm 工作电压: 2.4 to 2.8 V 阈值电流: 570 to 750 mA

    Ushio Opto Semiconductors的HL63520HD是一款638 nm AlGaInP激光二极管。该激光二极管在-10°C至45°C的工作温度范围内提供了3.5W的脉冲光输出功率(脉冲周期=120 Hz,占空比=30%),在55°C的工作温度上限下实现了2.5W的脉冲光输出功率。即使在CW操作中,红色激光二极管也实现了2.4W的光输出功率,并实现了超过20,000小时的MTTF.它可以在脉冲和CW操作模式下集成到投影仪中。它采用9 mm TO-CAN封装,非常适合激光投影仪和光学设备应用。

  • HL63623HD 半导体激光器
    日本
    厂商:牛尾
    工作模式: CW/Pulsed Laser 波长: 632 to 644 nm 输出功率: 1.6 to 1.9 W 工作电压: 2.25 to 2.8 V 工作电流: 1550 to 1850 mA

    Ushio Opto Semiconductors的HL63623HD是AlGaInP单发射极激光二极管,输出波长为638 nm.它产生1.9W的脉冲输出功率和1.6W的连续输出功率,墙壁插头效率为43%。该多横模激光二极管分别具有10度(平行)和33度(垂直)的光束发散度。它的反向电压为2 V,阈值电流高达420 mA.该红色激光二极管需要2.25 V的直流电源,消耗高达1550 mA的电流。它采用9 mm的CAN封装,是激光投影仪、激光模块和激光电视应用的理想选择。

  • HL65241DG 半导体激光器
    日本
    厂商:牛尾
    工作模式: CW 波长: 660 nm 输出功率: 110 to 220 W 工作电压: 2.45 to 3.0 V 工作电流: 145 to 225 mA

    Ushio Opto Semiconductors的HL65241DG是一款工作波长为652至665 nm的AlGaInP红色激光二极管。它提供110mW的连续光功率和220mW的脉冲光功率。该单横模激光二极管具有30V的反向电压和60mA的阈值电流。该器件采用5.6 mm的DG封装,非常适合光学设备光源和传感器应用。

  • HL65242DG 半导体激光器
    日本
    厂商:牛尾
    工作模式: CW 波长: 660 nm 输出功率: 110 to 220 W 工作电压: 2.45 to 3.0 V 工作电流: 145 to 225 mA

    Ushio Opto Semiconductors的HL65242DG是一款工作波长为652至665 nm的AlGaInP红色激光二极管。它提供110mW的连续光功率和220mW的脉冲光功率。该单横模激光二极管具有30V的反向电压和60mA的阈值电流。它采用5.6 mm的DG封装,是光学设备和传感器应用的理想光源。

  • HL65261MG系列 半导体激光器
    日本
    厂商:牛尾
    工作模式: CW / Pulse Laser 工作电压: 2.6 to 3.3 V 工作电流: 90 to 120 mA 阈值电流: 30 to 50 mA 激光增益介质: AlGaInP

    Ushio Inc.的HL65261MG系列是工作波长为658 nm的AlGaInP激光二极管。它们在横向模式下工作,提供85 MW(CW)和310 MW(脉冲)的光输出功率,墙上插头效率为34%。这些激光二极管的光束发散角(FWHM)为7.5°(平行)和15°(垂直),阈值电流高达50mA.它们需要2.6 V的直流电源,消耗90 mA(连续波)和245 mA(脉冲)的电流。这些激光二极管采用直径为5.6 mm的CAN封装,非常适合TOF传感器(距离传感器)、光电传感器和激光雷达应用。

  • hl67191mg_192mg 半导体激光器
    日本
    厂商:牛尾
    芯片技术: AlGaInP 工作模式: CW / Pulsed Laser 波长: 660 to 680 nm 工作电压: 2.25 to 2.70 V 工作电流: 0.03 to 0.045 A

    来自Ushio Opto Semiconductors的HL67191MG_192MG是670nm AlGaInP激光二极管。该激光二极管提供16mW的光输出功率并实现32mW的脉冲光输出功率。脉冲宽度小于50ns,占空比小于50%。激光二极管需要2.70 V的DC电压,并且具有高达30 mA的阈值电流。该器件采用φ5.6mm小型CAN封装,非常适合传感和测量应用。

  • HL67203HD 半导体激光器
    日本
    厂商:牛尾
    波长: 675 nm 输出功率: 1.3 W 工作电压: 2.2 V 工作电流: 1380 mA 阈值电流: 360 mA

    来自Ushio Inc.的HL67203HD是在675nm的波长下工作的AlGaInP多模激光二极管。它提供1.3 W的光输出功率。该激光二极管具有12°的平行光束发散角和32°的垂直光束发散角。它的工作电压约为2.2 V,工作电流约为1.38 A.它采用紧凑型高散热Ø9 mm CAN封装,非常适合光动力疗法、光免疫疗法、生命科学、激光模块、医疗和保健应用。

  • NDB4216E 半导体激光器
    日本
    工作模式: CW Laser 波长: 450 to 460 nm 输出功率: 0.1 W 工作电压: 5.2 V 工作电流: 0.11 A

    来自Nichia Corporation的NDB4216E是4类激光二极管,其工作波长为450nm至460nm.它的连续波输出功率为0.1 W,斜率效率为1.2 W/A,波束指向精度为±2.5°(平行)和±3°(垂直)。这款单发射器激光二极管的光束发散角为8.5°(平行)和23°(垂直),符合RoHS规范。阈值电流为30 mA,工作电压为5.2 V,功耗为0.11 A.这款单模激光二极管采用浮动安装的CAN封装,尺寸为Ø5.6 mm,带有一个光电二极管和一个齐纳二极管。它是评估或设计应用程序的理想选择。

  • NDU4116 半导体激光器
    日本
    工作模式: CW Laser 波长: 370 to 380 nm 输出功率: 0.07 W 工作电压: 5.4 V 工作电流: 0.11 A

    NDU4116是一款紫外激光二极管,工作波长为370-380 nm,斜率效率为1.2 W/A,光输出功率为70 MW,光束指向精度为±3°。该激光二极管的平行光束发散角为9°,垂直光束发散角为22.5°。该器件的阈值电流为50 mA,PD反向电压高达5 V.这款单模激光二极管采用浮动安装式CAN封装,带一个光电二极管和一个齐纳二极管,尺寸为Ø5.6。它是激光加工、3D打印机、曝光设备、激光显微镜、医疗设备、光刻流式细胞仪、内窥镜和光纤应用的理想选择。

  • NDV4316 半导体激光器
    日本
    工作模式: CW Laser 波长: 400 to 410 nm 输出功率: 0.12 W 工作电压: 4.8 V 工作电流: 0.12 A

    来自Nichia Corporation的NDV4316是在405nm的波长下工作的紫色激光二极管。这种单模激光二极管的输出功率为120mW,斜率效率为1.4W/A,平行发散角为9度,垂直发散角为19.5度。它需要35 mA的阈值电流,并具有内置的齐纳二极管以防静电。它采用Ø5.6 mm封装,是测量仪器和家用电器的理想选择。

  • WLD-175-405 半导体激光器
    加拿大
    厂商:World Star Tech
    工作模式: CW 波长: 405 nm 工作电压: 5 V 工作电流: 150 mA 阈值电流: 55 mA

    World Star Tech的WLD-175-405是一款蓝紫色激光二极管,工作波长为405 nm.该激光器输出功率为175mW,斜率效率为1.1W/A,垂直发散角为20°,平行发散角为9°。要求阈值电流为55 mA,反向电压高达2 V.该激光二极管功耗为150 mA,要求直流电源为5 V.采用Ø5.6 mm封装,非常适合生物医学应用。

  • QL63D5SA 半导体激光器
    奥地利
    工作模式: CW Laser 波长: 630 to 640 nm 输出功率: 0.005 W 工作电压: 2.2 to 2.7 V 工作电流: 0.034 to 0.05 A

    来自Roithner Lasertechnik的QL63D5SA是波长为630至640 nm、输出功率为0.005 W、工作电压为2.2至2.7 V、工作电流为0.03 4至0.05 A、阈值电流为30至40 mA的激光二极管。有关QL63D5SA的更多详细信息,请联系我们。

  • QL63F5SA 半导体激光器
    奥地利
    技术: Quantum Well 工作模式: CW Laser 波长: 637 to 645 nm 输出功率: 0.01 W 工作电压: 2.2 to 2.5 V

    来自Roithner Lasertechnik的QL63F5SA是波长为637至645 nm、输出功率为0.01 W、工作电压为2.2至2.5 V、工作电流为0.055至0.075 A、阈值电流为35至50 mA的激光二极管。有关QL63F5SA的更多详细信息,请联系我们。

  • QL63H5SA 半导体激光器
    奥地利
    技术: Quantum Well 工作模式: CW Laser 波长: 630 to 645 nm 输出功率: 0.02 W 工作电压: 2.3 to 2.6 V

    来自Roithner Lasertechnik的QL63H5SA是波长为630至645 nm、输出功率为0.02 W、工作电压为2.3至2.6 V、工作电流为0.06至0.08 A、阈值电流为30至50 mA的激光二极管。有关QL63H5SA的更多详细信息,请联系我们。

  • QL65D6SA 半导体激光器
    奥地利
    工作模式: CW Laser 波长: 650 to 660 nm 输出功率: 0.005 W 工作电压: 2.2 to 2.6 V 工作电流: 0.04 to 0.055 A

    来自Roithner Lasertechnik的QL65D6SA是波长为650至660 nm、输出功率为0.005 W、工作电压为2.2至2.6 V、工作电流为0.04至0.055 A、阈值电流为30至45 mA的激光二极管。有关QL65D6SA的更多详细信息,请联系我们。

  • QL65E7SA 半导体激光器
    奥地利
    技术: Quantum Well 工作模式: CW Laser 波长: 645 to 660 nm 输出功率: 0.007 W 工作电压: 2.2 to 2.6 V

    来自Roithner Lasertechnik的QL65E7SA是波长为645至660nm、输出功率为0.007W、工作电压为2.2至2.6V、工作电流为0.045至0.055A、阈值电流为30至45mA的激光二极管。有关QL65E7SA的更多详细信息,请联系我们。

  • QL65E7SB 半导体激光器
    奥地利
    技术: Quantum Well 工作模式: CW Laser 波长: 645 to 660 nm 输出功率: 0.007 W 工作电压: 2.2 to 2.6 V

    来自Roithner Lasertechnik的QL65E7SB是波长为645至660nm、输出功率为0.007W、工作电压为2.2至2.6V、工作电流为0.045至0.055A、阈值电流为30至45mA的激光二极管。有关QL65E7SB的更多详细信息,请联系我们。

  • QL65E7SC 半导体激光器
    奥地利
    工作模式: CW Laser 波长: 645 to 660 nm 输出功率: 0.007 W 工作电压: 2.2 to 2.6 V 工作电流: 0.045 to 0.055 A

    来自Roithner Lasertechnik的QL65E7SC是波长为645至660nm、输出功率为0.007W、工作电压为2.2至2.6V、工作电流为0.045至0.055A、阈值电流为30至45mA的激光二极管。有关QL65E7SC的更多详细信息,请联系我们。

  • QL65F6SA 半导体激光器
    奥地利
    技术: Quantum Well 工作模式: CW Laser 波长: 645 to 660 nm 输出功率: 0.01 W 工作电压: 2.3 to 2.6 V

    来自Roithner Lasertechnik的QL65F6SA是波长为645至660 nm、输出功率为0.01 W、工作电压为2.3至2.6 V、工作电流为0.06至0.08 A、阈值电流为40至50 mA的激光二极管。有关QL65F6SA的更多详细信息,请联系我们。