• QLD-915-200S 半导体激光器
    美国
    厂商:QPhotonics
    技术: Fabry-Perot Laser (FP) 工作模式: CW Laser, Pulsed Laser 波长: 915.7 nm 输出功率: 0 to 0.2009 W 工作电压: 1.73 V

    QLD-915-200S是一种波长为915.7nm的激光二极管,输出功率为0~0.2009W,工作电压为1.73V,工作电流为0.22 1~0.243A,阈值电流为30mA.有关QLD-915-200S的更多详细信息,请联系我们。

  • QLD-920-50S 半导体激光器
    美国
    厂商:QPhotonics
    技术: Fabry-Perot Laser (FP) 工作模式: CW Laser, Pulsed Laser 波长: 919.4 nm 输出功率: 0 to 0.0502 W 工作电压: 1.71 V

    Qphotonics公司的QLD-920-50S是波长为919.4nm的激光二极管,输出功率为0~0.0502W,工作电压为1.71V,工作电流为0.11 4~0.125A,阈值电流为46mA.有关QLD-920-50S的更多详细信息,请联系我们。

  • QLD-940-100S 半导体激光器
    美国
    厂商:QPhotonics
    技术: Fabry-Perot Laser (FP) 工作模式: CW Laser, Pulsed Laser 波长: 941.8 nm 输出功率: 0 to 0.101 W 工作电压: 1.74 V

    Qphotonics公司的QLD-940-100S是波长为941.8nm的激光二极管,输出功率为0~0.101W,工作电压为1.74V,工作电流为0.12 7~0.14A,阈值电流为24mA.有关QLD-940-100S的更多详细信息,请联系我们。

  • QLD-945-200S 半导体激光器
    美国
    厂商:QPhotonics
    技术: Fabry-Perot Laser (FP) 工作模式: CW Laser, Pulsed Laser 波长: 947.3 nm 输出功率: 0 to 0.2008 W 工作电压: 1.73 V

    QLD-945-200S是一种波长为947.3nm的激光二极管,输出功率为0~0.2008W,工作电压为1.73V,工作电流为0.219~0.241A,阈值电流为28mA.有关QLD-945-200S的更多详细信息,请联系我们。

  • QLD-945-300S 半导体激光器
    美国
    厂商:QPhotonics
    技术: Fabry-Perot Laser (FP) 工作模式: CW Laser, Pulsed Laser 波长: 948.4 nm 输出功率: 0 to 0.3012 W 工作电压: 1.88 V

    QLD-945-300S是Qphotonics公司生产的波长为948.4nm的半导体激光器,输出功率为0~0.3012W,工作电压为1.88V,工作电流为0.319~0.351A,阈值电流为30mA.有关QLD-945-300S的更多详细信息,请联系我们。

  • QLD-960-150S 半导体激光器
    美国
    厂商:QPhotonics
    技术: Fabry-Perot Laser (FP) 工作模式: CW Laser, Pulsed Laser 波长: 961.6 nm 输出功率: 0 to 0.1498 W 工作电压: 1.52 V

    来自Qphotonics的QLD-960-150S是波长为961.6nm的激光二极管,输出功率为0至0.1498W,工作电压为1.52V,工作电流为0.17 1至0.188A,阈值电流为34mA.有关QLD-960-150S的更多详细信息,请联系我们。

  • QLD-980-150S 半导体激光器
    美国
    厂商:QPhotonics
    技术: Fabry-Perot Laser (FP) 工作模式: CW Laser, Pulsed Laser 波长: 980 nm 输出功率: 0 to 0.15 W 工作电压: 1.87 V

    来自Qphotonics的QLD-980-150S是波长为980nm的激光二极管,输出功率为0至0.15W,工作电压为1.87V,工作电流为0.17至0.17A,阈值电流为19mA.有关QLD-980-150S的更多详细信息,请联系我们。

  • QLD-980-300S 半导体激光器
    美国
    厂商:QPhotonics
    技术: Fabry-Perot Laser (FP) 工作模式: CW Laser, Pulsed Laser 波长: 976.3 nm 输出功率: 0 to 0.3001 W 工作电压: 1.67 V

    Qphotonics公司的QLD-980-300S是波长为976.3nm的激光二极管,输出功率为0~0.3001W,工作电压为1.67V,工作电流为0.325~0.358A,阈值电流为42mA.有关QLD-980-300S的更多详细信息,请联系我们。

  • QLD-980-50S 半导体激光器
    美国
    厂商:QPhotonics
    技术: Fabry-Perot Laser (FP) 工作模式: CW Laser, Pulsed Laser 波长: 980 nm 输出功率: 0 to 0.05 W 工作电压: 1.7 V

    Qphotonics公司的QLD-980-50S是波长为980nm的激光二极管,输出功率为0~0.05W,工作电压为1.7V,工作电流为0.10 5~0.105A,阈值电流为18mA.有关QLD-980-50S的更多详细信息,请联系我们。

  • SCW 1650系列 半导体激光器
    美国
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 1650 nm 输出功率: 0.18 W 工作电压: 1.2 to 1.6 V 阈值电流: 45 mA

    OSI Laser Diode的SCW1650系列是SMF耦合激光模块,旨在满足光学测试设备市场的性能需求。它们在1640至1665 nm范围内工作时提供超过180 MW的光功率。这些模块采用全密封激光焊接封装,是OTDR仪器、光谱学和光子计数应用的理想选择。这些封装的激光器可以包括TEC和温度传感热敏电阻以及背面监视器,以在宽温度范围内实现卓越的波长稳定性。

  • CVN 63-90ECL 半导体激光器
    美国
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 905 nm 输出功率: 0 to 75 W 工作电流: 35 A 类型: Free Space Laser Diode, Fiber-Coupled Laser Diode

    OSI Laser Diode的CVN 63-90ECL是一款集成微透镜的脉冲激光二极管,工作波长为895至915 nm.该激光器的脉冲宽度为100纳秒,峰值功率超过75瓦,同时消耗30 A的输入电流。它为发射的快轴(垂直轴)和慢轴(平行轴)提供了具有等效发散值(8×8 FWHM)的远场光束模式。经调整的远场图案提供进入标准球面透镜系统的较高耦合效率。这款符合RoHS标准的激光器/透镜采用9毫米密封封装,是关键国防应用(如现场部署的测距仪)的理想选择。

  • SCW 1430系列 半导体激光器
    美国
    技术: Fabry-Perot (FP) 工作模式: Pulsed Laser 波长: 1470 to 1510 nm 工作电压: 2 to 4 V 工作电流: 500 to 1000 mA

    SCW 1430系列激光二极管模块是1490 nm脉冲激光二极管,采用14针DIL、蝶形或3针TO56封装。它们提供高达300mW的光输出功率。这些SCW激光二极管模块非常适合需要高峰值脉冲光功率的光学测试设备应用。

  • SCW 1731F-D40R 半导体激光器
    美国
    技术: Distributed Feedback (DFB) 工作模式: Pulsed Laser 波长: 1646 to 1654 nm 输出功率: 0.04 to 0.04 W 工作电压: 1.5 V

    OSI Laser Diode的SCW 1731F-D40R是采用14引脚DIL封装的1650 nm脉冲DFB激光二极管模块。激光二极管光学耦合到SMF光纤尾纤,并包括热电冷却器和电隔离的温度传感热敏电阻。激光二极管模块专为需要高峰值脉冲光功率的光学测试设备应用而设计。该器件符合RoHS规范。

  • TCW RGBS-400R 半导体激光器
    美国
    工作模式: CW Laser 输出功率: 3 mW 激光颜色: Visible, Red, Green, Blue 类型: Fiber-Coupled Laser Diode 纤芯直径: 4 / 125 / 900 um

    OSI Laser Diode的TCW RGBS-400R是一款三波长光纤耦合激光器,工作波长为450 nm至638 nm.该激光器提供3mW的输出功率,同时在25度下消耗高达70mW的CW功率。该红色、绿色、蓝色激光二极管模块有效地将所有三种波长耦合到单模光纤尾纤中。它采用紧凑的三重封装,是RGB显示器、RGB投影仪和光学传感器的理想选择。如有要求,可提供额外的光纤尾纤选项。

  • LDX-4119-660 半导体激光器
    美国
    厂商:RPMC Lasers Inc.
    工作模式: CW Laser 波长: 660 nm 输出功率: 10 mW 工作电压: 2.1 V 工作电流: 21000 mA

    来自RPMC Lasers Inc.的LDX-4119-660是在660nm的波长下工作的激光二极管阵列。它有一个100 X 19µm发射器,可提供10 MW的输出功率。该TE偏振激光二极管阵列的光谱宽度为1nm(FWHM),光束发散角为7度(平行)和40度(垂直)。在大多数封装上,这种激光二极管阵列的芯片连接可以是硬焊接或软焊接,并且具有高精度放置,无助焊剂、无空隙、均匀的键合线厚度。它需要9400 mA的阈值电流和消耗21000 mA电流的2.1 V直流电源。该激光二极管采用CS封装,尺寸为4.5 X 4 X 0.5 mm,是牙科激光器、机器视觉激光器、光遗传学激光器、PDT激光器和RGB激光器的理想选择。

  • LDX-4224-750 半导体激光器
    美国
    厂商:RPMC Lasers Inc.
    工作模式: CW Laser 波长: 750 nm 输出功率: 20 mW 工作电压: 1.9 V 工作电流: 28000 mA

    RPMC Lasers的LDX-4224-750是一种激光二极管阵列,工作波长为750 nm.它的输出功率为20 MW,光谱宽度为1 nm(FWHM)。该TM偏振激光二极管阵列的发射器尺寸为100 X 24µm,光束发散度为7度(平行)和26度(垂直)。它的阈值电流为12 A,需要1.9 V直流电源,消耗28 A电流。该激光二极管阵列采用4.5 X 4 X 0.5 mm的基板上芯片(CS)封装,是牙科激光、机器视觉激光、夜视激光和PDT激光应用的理想选择。

  • HL40033G 半导体激光器
    日本
    厂商:牛尾
    应用行业: Industry, Bio Medical 工作模式: CW Laser 波长: 400 to 410 nm 输出功率: 0 to 1000 mW 工作电压: 5 V

    Ushio Opto Semiconductors的HL40033G是一款紫色激光二极管,工作波长为400至410 nm.它提供高达1 W的CW输出功率。该自由空间激光器需要5V电源,采用直径为9 mm的TO-CAN封装。该激光器适用于PCB、工业、显示器以及生物和医疗应用的成像。

  • HL40093MG 半导体激光器
    日本
    厂商:牛尾
    应用行业: Industrial 工作模式: CW Laser 波长: 398 to 410 nm 输出功率: 0 to 0.5 W 工作电压: 4.9 V

    Ushio Opto Semiconductors的HL40093MG是一款紫色激光二极管,工作波长为398至410 nm.该激光二极管提供500mW的连续波(CW)光输出功率。它需要4.9 V的直流电压,消耗高达410 mA的电流。该二极管采用TO-56封装,非常适合直接成像曝光系统、3D打印、测量和生物医学应用。

  • HL40113MG 半导体激光器
    日本
    厂商:牛尾
    应用行业: Test & Measurements, Medical, Industry 工作模式: CW Laser 波长: 400 to 410 nm 输出功率: 0.7 W 工作电压: 3.8 to 4.6 V

    Ushio Opto Semiconductors的HL40113MG是一款紫色激光二极管,工作波长为405 nm.该激光二极管提供600mW的连续波(CW)光输出功率。它需要4.2 V的电源电压,功耗为500 mA.该二极管采用TO-56封装,针对激光直接成像等应用进行了优化,包括光刻和印刷电路板(PCB)制造,以及许多生物医学和生命科学领域。

  • HL40115MG 半导体激光器
    日本
    厂商:牛尾
    应用行业: Test & Measurements, Medical, Industry 工作模式: CW Laser 波长: 400 to 410 nm 输出功率: 0.7 W 工作电压: 3.8 to 4.6 V

    Ushio Opto Semiconductors的HL40115MG是一款紫色激光二极管,工作波长为400至410 nm.该激光二极管提供600mW的连续波(CW)光输出功率。它需要4.2 V的直流电压,消耗500 mA的电流。该二极管采用TO-56封装,非常适合PCB制造、测量和生物医学应用中的直接成像。