Qphotonics公司的QLD-980-50S是波长为980nm的激光二极管，输出功率为0~0.05W，工作电压为1.7V，工作电流为0.10 5~0.105A，阈值电流为18mA.有关QLD-980-50S的更多详细信息，请联系我们。

OSI Laser Diode的SCW1650系列是SMF耦合激光模块，旨在满足光学测试设备市场的性能需求。它们在1640至1665 nm范围内工作时提供超过180 MW的光功率。这些模块采用全密封激光焊接封装，是OTDR仪器、光谱学和光子计数应用的理想选择。这些封装的激光器可以包括TEC和温度传感热敏电阻以及背面监视器，以在宽温度范围内实现卓越的波长稳定性。

OSI Laser Diode的CVN 63-90ECL是一款集成微透镜的脉冲激光二极管，工作波长为895至915 nm.该激光器的脉冲宽度为100纳秒，峰值功率超过75瓦，同时消耗30 A的输入电流。它为发射的快轴（垂直轴）和慢轴（平行轴）提供了具有等效发散值（8×8 FWHM）的远场光束模式。经调整的远场图案提供进入标准球面透镜系统的较高耦合效率。这款符合RoHS标准的激光器/透镜采用9毫米密封封装，是关键国防应用（如现场部署的测距仪）的理想选择。

SCW 1430系列激光二极管模块是1490 nm脉冲激光二极管，采用14针DIL、蝶形或3针TO56封装。它们提供高达300mW的光输出功率。这些SCW激光二极管模块非常适合需要高峰值脉冲光功率的光学测试设备应用。

OSI Laser Diode的SCW 1731F-D40R是采用14引脚DIL封装的1650 nm脉冲DFB激光二极管模块。激光二极管光学耦合到SMF光纤尾纤，并包括热电冷却器和电隔离的温度传感热敏电阻。激光二极管模块专为需要高峰值脉冲光功率的光学测试设备应用而设计。该器件符合RoHS规范。

OSI Laser Diode的TCW RGBS-400R是一款三波长光纤耦合激光器，工作波长为450 nm至638 nm.该激光器提供3mW的输出功率，同时在25度下消耗高达70mW的CW功率。该红色、绿色、蓝色激光二极管模块有效地将所有三种波长耦合到单模光纤尾纤中。它采用紧凑的三重封装，是RGB显示器、RGB投影仪和光学传感器的理想选择。如有要求，可提供额外的光纤尾纤选项。

来自RPMC Lasers Inc.的LDX-4119-660是在660nm的波长下工作的激光二极管阵列。它有一个100 X 19µm发射器，可提供10 MW的输出功率。该TE偏振激光二极管阵列的光谱宽度为1nm（FWHM），光束发散角为7度（平行）和40度（垂直）。在大多数封装上，这种激光二极管阵列的芯片连接可以是硬焊接或软焊接，并且具有高精度放置，无助焊剂、无空隙、均匀的键合线厚度。它需要9400 mA的阈值电流和消耗21000 mA电流的2.1 V直流电源。该激光二极管采用CS封装，尺寸为4.5 X 4 X 0.5 mm，是牙科激光器、机器视觉激光器、光遗传学激光器、PDT激光器和RGB激光器的理想选择。

RPMC Lasers的LDX-4224-750是一种激光二极管阵列，工作波长为750 nm.它的输出功率为20 MW，光谱宽度为1 nm（FWHM）。该TM偏振激光二极管阵列的发射器尺寸为100 X 24µm，光束发散度为7度（平行）和26度（垂直）。它的阈值电流为12 A，需要1.9 V直流电源，消耗28 A电流。该激光二极管阵列采用4.5 X 4 X 0.5 mm的基板上芯片（CS）封装，是牙科激光、机器视觉激光、夜视激光和PDT激光应用的理想选择。

Ushio Opto Semiconductors的HL40033G是一款紫色激光二极管，工作波长为400至410 nm.它提供高达1 W的CW输出功率。该自由空间激光器需要5V电源，采用直径为9 mm的TO-CAN封装。该激光器适用于PCB、工业、显示器以及生物和医疗应用的成像。

Ushio Opto Semiconductors的HL40093MG是一款紫色激光二极管，工作波长为398至410 nm.该激光二极管提供500mW的连续波（CW）光输出功率。它需要4.9 V的直流电压，消耗高达410 mA的电流。该二极管采用TO-56封装，非常适合直接成像曝光系统、3D打印、测量和生物医学应用。

Ushio Opto Semiconductors的HL40113MG是一款紫色激光二极管，工作波长为405 nm.该激光二极管提供600mW的连续波（CW）光输出功率。它需要4.2 V的电源电压，功耗为500 mA.该二极管采用TO-56封装，针对激光直接成像等应用进行了优化，包括光刻和印刷电路板（PCB）制造，以及许多生物医学和生命科学领域。

Ushio Opto Semiconductors的HL40115MG是一款紫色激光二极管，工作波长为400至410 nm.该激光二极管提供600mW的连续波（CW）光输出功率。它需要4.2 V的直流电压，消耗500 mA的电流。该二极管采用TO-56封装，非常适合PCB制造、测量和生物医学应用中的直接成像。

Ushio Opto Semiconductors的HL63392DG是一种AlGaInP激光二极管，在638nm下工作时可提供200mW的输出功率。该激光二极管采用TO-CAN封装，是激光模块、校平器和光学设备光源应用的理想选择。

Ushio Opto Semiconductors的HL63520HD是一款638 nm AlGaInP激光二极管。该激光二极管在-10°C至45°C的工作温度范围内提供了3.5W的脉冲光输出功率（脉冲周期=120 Hz，占空比=30%），在55°C的工作温度上限下实现了2.5W的脉冲光输出功率。即使在CW操作中，红色激光二极管也实现了2.4W的光输出功率，并实现了超过20，000小时的MTTF.它可以在脉冲和CW操作模式下集成到投影仪中。它采用9 mm TO-CAN封装，非常适合激光投影仪和光学设备应用。

Ushio Opto Semiconductors的HL63623HD是AlGaInP单发射极激光二极管，输出波长为638 nm.它产生1.9W的脉冲输出功率和1.6W的连续输出功率，墙壁插头效率为43%。该多横模激光二极管分别具有10度（平行）和33度（垂直）的光束发散度。它的反向电压为2 V，阈值电流高达420 mA.该红色激光二极管需要2.25 V的直流电源，消耗高达1550 mA的电流。它采用9 mm的CAN封装，是激光投影仪、激光模块和激光电视应用的理想选择。

Ushio Opto Semiconductors的HL65241DG是一款工作波长为652至665 nm的AlGaInP红色激光二极管。它提供110mW的连续光功率和220mW的脉冲光功率。该单横模激光二极管具有30V的反向电压和60mA的阈值电流。该器件采用5.6 mm的DG封装，非常适合光学设备光源和传感器应用。

Ushio Opto Semiconductors的HL65242DG是一款工作波长为652至665 nm的AlGaInP红色激光二极管。它提供110mW的连续光功率和220mW的脉冲光功率。该单横模激光二极管具有30V的反向电压和60mA的阈值电流。它采用5.6 mm的DG封装，是光学设备和传感器应用的理想光源。

Ushio Inc.的HL65261MG系列是工作波长为658 nm的AlGaInP激光二极管。它们在横向模式下工作，提供85 MW（CW）和310 MW（脉冲）的光输出功率，墙上插头效率为34%。这些激光二极管的光束发散角（FWHM）为7.5°（平行）和15°（垂直），阈值电流高达50mA.它们需要2.6 V的直流电源，消耗90 mA（连续波）和245 mA（脉冲）的电流。这些激光二极管采用直径为5.6 mm的CAN封装，非常适合TOF传感器（距离传感器）、光电传感器和激光雷达应用。

来自Ushio Opto Semiconductors的HL67191MG_192MG是670nm AlGaInP激光二极管。该激光二极管提供16mW的光输出功率并实现32mW的脉冲光输出功率。脉冲宽度小于50ns，占空比小于50%。激光二极管需要2.70 V的DC电压，并且具有高达30 mA的阈值电流。该器件采用φ5.6mm小型CAN封装，非常适合传感和测量应用。

来自Ushio Inc.的HL67203HD是在675nm的波长下工作的AlGaInP多模激光二极管。它提供1.3 W的光输出功率。该激光二极管具有12°的平行光束发散角和32°的垂直光束发散角。它的工作电压约为2.2 V，工作电流约为1.38 A.它采用紧凑型高散热Ø9 mm CAN封装，非常适合光动力疗法、光免疫疗法、生命科学、激光模块、医疗和保健应用。