• 激光二极管ftld-1450-05s 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.450um 输出功率: 5mW

    FTLD-1450-05S是基于GaInAsP/InPPBC量子阱结构的1450nm半导体激光器,采用MOCVD和LPE工艺制备。FTLD-1450-05S是一种连续单模注入式半导体激光器,主要特点是可靠性高、灵敏度低。它采用SOT-148外壳,内置监控光电二极管和蝶形外壳,内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

  • 激光二极管ftld-1450-10s 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.450um 输出功率: 10mW

    FTLD-1450-10S是基于GaInAsP/InPPBC量子阱结构的1450nm激光二极管,采用MOCVD和LPE工艺制备。激光二极管的主要特点是高可靠性和不灵敏。FTLD-1450-10S是连续单模注入式半导体激光器。它采用SOT-148外壳,内置监控光电二极管和蝶形外壳,内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

  • 激光二极管ftld-1510-13s 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.510um 输出功率: 13mW

    FTLD-1510-13S是基于GaInAsP/InPPBC量子阱结构的1510nm半导体激光器,采用MOCVD和LPE工艺制备。FTLD-1510-13S是一种连续单模注入式半导体激光器,主要特点是可靠性高、灵敏度低。它采用SOT-148外壳,内置监控光电二极管和蝶形外壳,内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

  • 激光二极管ftld-1517-10s 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.517um 输出功率: 10mW

    FTLD-1517-10S是基于GaInAsP/InPPBC量子阱结构的1517nm半导体激光器,采用MOCVD和LPE技术制备。激光二极管的主要特点是高可靠性和ESD不灵敏。FTLD-1517-10S是CW单模注入半导体激光器。它采用SOT-148外壳内置监控光电二极管和蝶形外壳内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微型光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

  • 激光二极管ftld-1530-10s 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.530um 输出功率: 10mW

    FTLD-1530-10S是基于GaInAsP/InPPBC量子阱结构的1530nm半导体激光器,采用MOCVD和LPE工艺制备。FTLD-1530-10S是一种连续单模注入式半导体激光器,主要特点是可靠性高、灵敏度低。它采用SOT-148外壳,内置监控光电二极管和蝶形外壳,内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

  • 激光二极管ftld-1530-20s 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.530um 输出功率: 20mW

    FTLD-1530-20S是基于GaInAsP/InPPBC量子阱结构的1530nm半导体激光器,采用MOCVD和LPE工艺制备。激光二极管的主要特点是高可靠性和不灵敏。FTLD-1530-20S是连续单模注入半导体激光器。它采用SOT-148外壳,内置监视器光电二极管和蝶形外壳,内置监视器光电二极管、TEC、热敏电阻和微型光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

  • 激光二极管ftld-1535-10s 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.535um 输出功率: 10mW

    FTLD-1535-10S是基于GaInAsP/InPPBC量子阱结构的1535nm半导体激光器,采用MOCVD和LPE工艺制备。FTLD-1535-10S是一种连续单模注入式半导体激光器,主要特点是可靠性高、灵敏度低。它采用SOT-148外壳,内置监控光电二极管和蝶形外壳,内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

  • 激光二极管ftld-1550-10s 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.550um 输出功率: 10mW

    FTLD-1550-10S是基于GaInAsP/InPPBC量子阱结构的1550nm半导体激光器,采用MOCVD和LPE工艺制备。FTLD-1550-10S是一种连续单模注入式半导体激光器,主要特点是可靠性高、灵敏度低。它采用SOT-148外壳,内置监控光电二极管和蝶形外壳,内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

  • 激光二极管ftld-1550-15s 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.550um 输出功率: 15mW

    FTLD-1550-15S是基于GaInAsP/InP PBC量子阱结构的1550nm激光二极管,采用MOCVD和LPE工艺制备。FTLD-1550-15S是一种连续单模注入式半导体激光器,主要特点是可靠性高、灵敏度低。它采用SOT-148外壳,内置监控光电二极管和蝶形外壳,内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微型光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

  • 激光二极管ftld-1600-05s 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.600um 输出功率: 5mW

    FTLD-1600-05S是基于AlInAsP/InP PBC量子阱结构的1600nm激光二极管,采用MOCVD和LPE工艺制备。激光二极管的主要特点是高可靠性和ESD不敏感。FTLD-1600-05S是连续单模注入半导体激光器。它采用SOT-148外壳,内置监视器光电二极管和蝶形外壳,内置监视器光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

  • 激光多普勒位移仪VS-5000 位移测量计
    美国
    分类:位移测量计
    厂商:Optodyne Inc
    测量范围: 0.0000025 - 0.005 mm

    Optodyne的VS-5000系列振动传感器是一种非接触式、高灵敏度的位移、速度和加速度测量方法。作为机械振动的存储示波器,VS-5000满足微电子、航空航天、汽车和研发应用的精密工程要求。单轴(VS-5010)或双轴(VS-5020)系统的测量精度为±0.5 ppm,分辨率为±0.05微英寸,速度高达200英寸/秒,频率响应从Do到400 kHz。该双轴系统(VS-5020)具有极高的信噪比,允许用户同时测量目标和背景现象,同时保持每次测量的完整性。

  • lbo三硼酸锂晶体 晶体
    美国
    分类:晶体
    水晶类型: LBO (Lithium Triborate) 相位测量类型: Not Applicable 安装: Unmounted 宽度: 30mm 高度: 30mm

    三硼酸锂(LBO)是较有用的非线性光学材料之一,不仅因为其相对较大的转换系数(约为KDP的3倍),还因为其优异的物理性能。Gamdan的LBO晶体具有几个理想的特征,包括但不限于高耐久性、高损伤阈值和低吸收。

  • LBO非线性晶体 晶体
    中国大陆
    分类:晶体
    水晶类型: LBO (Lithium Triborate) 相位测量类型: Not Applicable 安装: Unmounted 宽度: 3mm 高度: 3mm

    LBO晶体——用于非临界相位匹配激光倍频的较佳非线性晶体LBO的较大优点是可以利用温度调谐来实现非临界相位匹配(NCPM)。当倍频过程中满足非临界相位匹配关系时,基频光与倍频二次谐波之间的走离角为0。此时LBO晶体的有效长度理论上可以达到无穷大,可以补偿其较小的非线性系数。由于其损伤阈值很大,这就意味着可以实现高功率的基波泵浦。因此,利用LBO晶体的非临界相位匹配进行脉冲激光的腔外倍频,将大大提高基频光的转换效率。频率光的光束质量和稳定性将大大提高。

  • LBO非线性晶体160nm - 2600nm 晶体
    中国大陆
    分类:晶体
    水晶类型: LBO (Lithium Triborate) 相位测量类型: Type I, Type II 安装: Unmounted 宽度: 3mm 高度: 10mm

    LBO(三硼酸锂,LiB3O5)是一种优良的非线性光学晶体,具有许多独特的特性:从160nm到2600nm的宽透明范围光学均匀性高(δn≈10-6/cm),无夹杂较大的有效SHG系数(约为KDP的三倍)高损伤阈值(对于1.054μm的1.3ns激光,18.9GW/cm²)宽接受角和小走离宽I型和II型非临界相位匹配(NCPM)范围LBO晶体非常适合于各种非线性光学应用:Nd:YAG,Nd:YLF,Nd:YVO4和Nd:YAP激光器的倍频(SHG)和三倍频(THG)钛宝石、紫翠宝石和铬酸锂-硫(LiSAF)激光器的倍频和三倍频I类和II类相位匹配的光参量振荡器(OPO)连续和准连续辐射转换的非临界相位匹配

  • LC-LC简单62.5-125微米玻璃跳线0.20米IF 4918-0-2 光缆
    美国
    分类:光缆
    核心直径: 29000um 波长范围: 62.5 - 125 um 纤维芯材料: Other 电缆长度: 0.2m

    Industrial Fiber Optics生产多条优质光纤跳线产品线,适用于网络和其他工业应用。该跳线系列采用62.5/125级折射率提升管额定玻璃纤维。接插线由OCC光缆组成,该光缆具有62.5/125µm纤芯/包层、500µm缓冲层、芳纶纱线包裹、2.9 mm聚氯乙烯护套保护;用LC连接器端接。可供较终用户和OEM客户购买。

  • LD-SMART 808nm 15W 半导体激光器
    德国
    厂商:Impex HighTech
    中心波长: 0.808um 输出功率: 15000mW

    激光二极管驱动器LD-SMART设计用于操作我们较近开发的微型被动调Q激光系统ELM系列模块和可扩展系统。该设备包含多达三个用于激光二极管、激光晶体和二次谐波产生的温度控制器,用于调节外部热电冷却器(TEC、珀耳帖)。激光二极管的操作模式可以在连续波、脉冲模式(具有内部脉冲产生或通过外部同步)或外部模拟调制之间改变。在外部同步的情况下,激光驱动器能够处理TTL输入信号。通过外部PC控制LD-SMART的用户友好软件是通过提供的触摸屏平板电脑上的USB或蓝牙接口。此外,还记录了通信协议,可以简单地集成到现有系统中。有关更多技术细节,请阅读用户手册。

  • LD-SMART 808nm 20W 半导体激光器
    德国
    厂商:Impex HighTech
    中心波长: 0.808um 输出功率: 20000mW

    激光二极管驱动器LD-SMART设计用于操作我们较近开发的微型被动调Q激光系统ELM系列模块和可扩展系统。该设备包含多达三个用于激光二极管、激光晶体和二次谐波产生的温度控制器,用于调节外部热电冷却器(TEC、珀耳帖)。激光二极管的操作模式可以在连续波、脉冲模式(具有内部脉冲产生或通过外部同步)或外部模拟调制之间改变。在外部同步的情况下,激光驱动器能够处理TTL输入信号。通过外部PC控制LD-SMART的用户友好软件是通过提供的触摸屏平板电脑上的USB或蓝牙接口。此外,还记录了通信协议,可以简单地集成到现有系统中。有关更多技术细节,请阅读用户手册。

  • LD-SMART 808nm 6W 半导体激光器
    德国
    厂商:Impex HighTech
    中心波长: 0.808um 输出功率: 6000mW

    激光二极管驱动器LD-SMART设计用于操作我们较近开发的微型被动调Q激光系统ELM系列模块和可扩展系统。该设备包含多达三个用于激光二极管、激光晶体和二次谐波产生的温度控制器,用于调节外部热电冷却器(TEC、珀耳帖)。激光二极管的操作模式可以在连续波、脉冲模式(具有内部脉冲产生或通过外部同步)或外部模拟调制之间改变。在外部同步的情况下,激光驱动器能够处理TTL输入信号。通过外部PC控制LD-SMART的用户友好软件是通过提供的触摸屏平板电脑上的USB或蓝牙接口。此外,还记录了通信协议,可以简单地集成到现有系统中。有关更多技术细节,请阅读用户手册。

  • LD-SMART 808nm 8W 半导体激光器
    德国
    厂商:Impex HighTech
    中心波长: 0.808um 输出功率: 8000mW

    激光二极管驱动器LD-SMART设计用于操作我们较近开发的微型被动调Q激光系统ELM系列模块和可扩展系统。该设备包含多达三个用于激光二极管、激光晶体和二次谐波产生的温度控制器,用于调节外部热电冷却器(TEC、珀耳帖)。激光二极管的操作模式可以在连续波、脉冲模式(具有内部脉冲产生或通过外部同步)或外部模拟调制之间改变。在外部同步的情况下,激光驱动器能够处理TTL输入信号。通过外部PC控制LD-SMART的用户友好软件是通过提供的触摸屏平板电脑上的USB或蓝牙接口。此外,还记录了通信协议,可以简单地集成到现有系统中。有关更多技术细节,请阅读用户手册。

  • LD-SMART 830nm 1W 半导体激光器
    德国
    厂商:Impex HighTech
    中心波长: 0.83um 输出功率: 1000mW

    激光二极管驱动器LD-SMART设计用于操作我们较近开发的微型被动调Q激光系统ELM系列模块和可扩展系统。该设备包含多达三个用于激光二极管、激光晶体和二次谐波产生的温度控制器,用于调节外部热电冷却器(TEC、珀耳帖)。激光二极管的操作模式可以在连续波、脉冲模式(具有内部脉冲产生或通过外部同步)或外部模拟调制之间改变。在外部同步的情况下,激光驱动器能够处理TTL输入信号。通过外部PC控制LD-SMART的用户友好软件是通过提供的触摸屏平板电脑上的USB或蓝牙接口。此外,还记录了通信协议,可以简单地集成到现有系统中。有关更多技术细节,请阅读用户手册。