Gentec-EO PH锗光电探测器，用于测量近红外（NIR）光谱范围内的激光输出功率/能量。

用于宽光谱范围激光功率测量的Gentec-EO Pronto-Si光电探测器

Gentec-EO光电探测器系列包括九个光电探测器传感器。PH100-Si、PH100Si-HA探测器使用硅光电二极管。PH100-SiUV、PH10B-Si、PE10B-Si、PE3B-Si探测器也使用硅光电二极管，但在较短波长下具有增强的灵敏度。PH20-Ge、PH5B-Ge、PE5B-Ge探测器使用锗光电二极管。PE3B-IN探测器使用InGaAs光电二极管。所有探测头的厚度为27.4毫米，直径为38.1毫米。

Gentec-EO光电探测器系列包括九个光电探测器传感器。PH100-Si、PH100Si-HA探测器使用硅光电二极管。PH100-SiUV、PH10B-Si、PE10B-Si、PE3B-Si探测器也使用硅光电二极管，但在较短波长下具有增强的灵敏度。PH20-Ge、PH5B-Ge、PE5B-Ge探测器使用锗光电二极管。PE3B-IN探测器使用InGaAs光电二极管。所有探测头的厚度为27.4毫米，直径为38.1毫米。

Gentec-EO光电探测器系列包括九个光电探测器传感器。PH100-Si、PH100Si-HA探测器使用硅光电二极管。PH100-SiUV、PH10B-Si、PE10B-Si、PE3B-Si探测器也使用硅光电二极管，但在较短波长下具有增强的灵敏度。PH20-Ge、PH5B-Ge、PE5B-Ge探测器使用锗光电二极管。PE3B-IN探测器使用InGaAs光电二极管。所有探测头的厚度为27.4毫米，直径为38.1毫米。

Gentec-EO的PRONTO-50-W5和PRONTO-250便携式激光探头是带有内置显示屏的袖珍功率和电能表。PRONTO-50-W5和PRONTO-250可在5秒内精确测量高达50 W和250 W的激光功率。除常规单次功率（SSP）模式外，PRONTO-250-PLUS还具有2种额外的测量模式：在连续功率（CWP）模式下，该器件可连续测量高达8 W的功率，而在单次能量模式（SSE）下，它可测量单个脉冲的能量。高功率表面吸收传感器设计用于高平均功率密度。Pronto探测器可配备可选支架和/或电源。如果所需的波长在校准的光谱范围之外，您可以使用“校正因子”功能来调整显示的测量。

Gentec-EO的PRONTO-50-W5和PRONTO-250便携式激光探头是带有内置显示屏的袖珍功率和电能表。PRONTO-50-W5和PRONTO-250可在5秒内精确测量高达50 W和250 W的激光功率。除常规单次功率（SSP）模式外，PRONTO-250-PLUS还具有2种额外的测量模式：在连续功率（CWP）模式下，该器件可连续测量高达8 W的功率，而在单次能量模式（SSE）下，它可测量单个脉冲的能量。高功率表面吸收传感器设计用于高平均功率密度。Pronto探测器可配备可选支架和/或电源。如果所需的波长在校准的光谱范围之外，您可以使用“校正因子”功能来调整显示的测量。

Gentec-EO的PRONTO-50-W5和PRONTO-250便携式激光探头是带有内置显示屏的袖珍功率和电能表。PRONTO-50-W5和PRONTO-250可在5秒内精确测量高达50 W和250 W的激光功率。除常规单次功率（SSP）模式外，PRONTO-250-PLUS还具有2种额外的测量模式：在连续功率（CWP）模式下，该器件可连续测量高达8 W的功率，而在单次能量模式（SSE）下，它可测量单个脉冲的能量。高功率表面吸收传感器设计用于高平均功率密度。Pronto探测器可配备可选支架和/或电源。如果所需的波长在校准的光谱范围之外，您可以使用“校正因子”功能来调整显示的测量。

用于宽光谱范围激光功率测量的Gentec-EO Pronto-250功率探测器

用于宽光谱范围激光功率测量的Gentec-EO Pronto-250功率探测器

标准或定制的耦合器结构可用于安装在带侧窗的液氮冷却杜瓦瓶内的客户激光器或探测器。带SMA终端的CIR或PIR光纤电缆可根据客户的具体应用规格提供。2种类型的MCT探测器也可用于一组红外电缆和光纤耦合器-在4-14µm的Kedal杜瓦瓶中进行LN冷却，或在1-6µm的光谱范围内进行三重珀尔帖冷却。

继较近推出积分球激光功率探测器系列之后，Gentec-EO现在又增加了另一种型号的快速激光功率探测器，即IS50A-1KW-RSI。该探测器较显著的特点可能是其典型的上升时间仅为0.2秒，这意味着与市场上的任何其他高功率探测器相比，您可以以极快的速度获得高精度测量。凭借其高达1000 W的连续功率测量能力和50 mm的孔径，IS50A-1KW-RSI可容纳大型和强大的激光束。它还具有令人难以置信的低噪声水平，仅为0.01 MW。这款功率探测器是准直光束的理想选择，但也可以完美地工作到20º发散（全角）。只需将其插入带有Integra USB或RS-232连接器的计算机，打开我们的免费专有软件PC-Gentec-EO，您可以进行先进次测量。

我们的NativeWide Dynamic Range™传感器基于新一代专利CMOS成像技术，即使在非常宽的内部动态范围（>140dB）下，也能在单帧时间内生成高度稳定的图像。原生WDRI可用于硅基器件（可见CMOS传感器），现在可用于InGaAs2D探测器（短波红外传感器）。NativeWDR™成像传感器即使在高工作温度（高于90ºC）下也能提供清晰锐利的图像，而不会产生像素伪像。

我们的原生Wide Dynamic Range™传感器基于新一代专利CMOS成像技术，即使在非常宽的场景内动态范围（>140dB）下，也能在单帧时间内生成高度稳定的图像。原生WDR可用于硅基器件（可见CMOS传感器），现在可用于InGaAs 2D探测器（短波红外传感器）。原生WDR™成像传感器即使在高工作温度（高于90ºC）下也能提供锐利清晰的图像，而不会产生像素伪像。

我们的原生Wide Dynamic Range™传感器基于新一代专利CMOS成像技术，即使在非常宽的场景内动态范围（>140dB）下，也能在单帧时间内生成高度稳定的图像。原生WDR可用于硅基器件（可见CMOS传感器），现在可用于InGaAs 2D探测器（短波红外传感器）。原生WDR™成像传感器即使在高工作温度（高于90ºC）下也能提供锐利清晰的图像，而不会产生像素伪像。

我们的原生Wide Dynamic Range™传感器基于新一代专利CMOS成像技术，即使在非常宽的场景内动态范围（>140dB）下，也能在单帧时间内生成高度稳定的图像。原生WDR可用于硅基器件（可见CMOS传感器），现在可用于InGaAs 2D探测器（短波红外传感器）。原生WDR™成像传感器即使在高工作温度（高于90ºC）下也能提供锐利清晰的图像，而不会产生像素伪像。

我们的原生Wide Dynamic Range™传感器基于新一代专利CMOS成像技术，即使在非常宽的场景内动态范围（>140dB）下，也能在单帧时间内生成高度稳定的图像。原生WDR可用于硅基器件（可见CMOS传感器），现在可用于InGaAs 2D探测器（短波红外传感器）。原生WDR™成像传感器即使在高工作温度（高于90ºC）下也能提供锐利清晰的图像，而不会产生像素伪像。

我们的原生Wide Dynamic Range™传感器基于新一代专利CMOS成像技术，即使在非常宽的场景内动态范围（>140dB）下，也能在单帧时间内生成高度稳定的图像。原生WDR可用于硅基器件（可见CMOS传感器），现在可用于InGaAs 2D探测器（短波红外传感器）。原生WDR™成像传感器即使在高工作温度（高于90ºC）下也能提供锐利清晰的图像，而不会产生像素伪像。

我们的原生Wide Dynamic Range™传感器基于新一代专利CMOS成像技术，即使在非常宽的场景内动态范围（>140dB）下，也能在单帧时间内生成高度稳定的图像。原生WDR可用于硅基器件（可见CMOS传感器），现在可用于InGaAs 2D探测器（短波红外传感器）。原生WDR™成像传感器即使在高工作温度（高于90ºC）下也能提供锐利清晰的图像，而不会产生像素伪像。

我们的原生Wide Dynamic Range™传感器基于新一代专利CMOS成像技术，即使在非常宽的场景内动态范围（>140dB）下，也能在单帧时间内生成高度稳定的图像。原生WDR可用于硅基器件（可见CMOS传感器），现在可用于InGaAs 2D探测器（短波红外传感器）。原生WDR™成像传感器即使在高工作温度（高于90ºC）下也能提供锐利清晰的图像，而不会产生像素伪像。