• DFB激光二极管 - 1850纳米至1900纳米 半导体激光器
    德国
    厂商:nanoplus
    技术: Distributed Feedback Laser (DFB) 工作模式: CW Laser 波长: 1876 to 1878 nm 输出功率: 0.01 W 工作电压: 2 V

    来自Nanoplus的DFB激光二极管-1850 nm至1900 nm是波长为1876至1878 nm、输出功率为0.01 W、工作电压为2 V、工作电流为0.1 A、阈值电流为20至65 mA的激光二极管。DFB激光二极管(1850nm至1900nm)的更多详细信息可在下面看到。

  • DFB激光二极管 - 1900纳米至2200纳米 半导体激光器
    德国
    厂商:nanoplus
    技术: Distributed Feedback Laser (DFB) 工作模式: CW Laser 波长: 2003 to 2005 nm 输出功率: 0.003 W 工作电压: 2 V

    来自Nanoplus的DFB激光二极管-1900nm至2200nm是波长为2003至2005nm、输出功率为0.003W、工作电压为2V、工作电流为0.1A、阈值电流为20至50mA的激光二极管。DFB激光二极管(1900 nm至2200 nm)的更多详细信息可在下面查看。

  • DFB激光二极管 - 2200 nm - 2600 nm 半导体激光器
    德国
    厂商:nanoplus
    技术: Distributed Feedback Laser (DFB) 工作模式: CW Laser 波长: 2333 to 2335 nm 输出功率: 0.003 W 工作电压: 2 V

    来自Nanoplus的DFB激光二极管-2200 nm-2600 nm是波长为2333至2335 nm、输出功率为0.003 W、工作电压为2 V、工作电流为0.1 A、阈值电流为25至50 mA的激光二极管。DFB激光二极管(2200 nm-2600 nm)的更多详细信息可在下面查看。

  • DFB激光二极管 - 2600纳米至3000纳米 半导体激光器
    德国
    厂商:nanoplus
    技术: Distributed Feedback Laser (DFB) 工作模式: CW Laser 波长: 2739 to 2741 nm 输出功率: 0.002 W 工作电压: 2 V

    Nanoplus的DFB激光二极管-2600 nm至3000 nm是一种激光二极管,波长为2739至2741 nm,输出功率为0.002 W,工作电压为2 V,工作电流为0.1 A,阈值电流为30至80 mA.DFB激光二极管(2600 nm至3000 nm)的更多详细信息可以在下面看到。

  • DFB激光二极管 - 760 nm - 830 nm 半导体激光器
    德国
    厂商:nanoplus
    技术: Distributed Feedback Laser (DFB) 工作模式: CW Laser 波长: 759 to 761 nm 输出功率: 0.01 W 工作电压: 2 V

    来自Nanoplus的DFB激光二极管-760 nm-830 nm是波长为759至761 nm、输出功率为0.01 W、工作电压为2 V、工作电流为0.03 A、阈值电流为10至30 mA的激光二极管。DFB激光二极管-760nm-830nm的更多详细信息可以在下面看到。

  • DFB激光二极管 - 830纳米至920纳米 半导体激光器
    德国
    厂商:nanoplus
    技术: Distributed Feedback Laser (DFB) 工作模式: CW Laser 波长: 851 to 853 nm 输出功率: 0.01 W 工作电压: 2 V

    来自Nanoplus的DFB激光二极管-830 nm至920 nm是波长为851至853 nm的激光二极管,输出功率为0.01 W,工作电压为2 V,工作电流为0.03 A,阈值电流为15至30 mA.DFB激光二极管(830 nm至920 nm)的更多详细信息可在下面查看。

  • DFB激光二极管 - 920纳米至1100纳米 半导体激光器
    德国
    厂商:nanoplus
    技术: Distributed Feedback Laser (DFB) 工作模式: CW Laser 波长: 1063 to 1065 nm 输出功率: 0.02 W 工作电压: 2 V

    来自Nanoplus的DFB激光二极管-920 nm至1100 nm是波长为1063至1065 nm、输出功率为0.02 W、工作电压为2 V、工作电流为0.05 A、阈值电流为15至30 mA的激光二极管。DFB激光二极管(920 nm至1100 nm)的更多详细信息见下文。

  • nanoplus FP HPFP 1950-2350nm 半导体激光器
    德国
    厂商:nanoplus
    技术: Fabry-Perot (FP) 工作模式: CW Laser 波长: 1950 to 2350 nm 输出功率: 1000 mW 工作电压: 2.5 V

    Nanoplus的Nanoplus FP HPFP 1950-2350nm是一种法布里-珀罗激光二极管,工作波长为1950至2350nm.它提供1000 MW的连续输出功率,并且具有高效率。激光二极管需要2.5 V的直流电源,阈值电流高达300 mA.它基于nanoplus&rsquos FP激光技术,是气体传感应用的理想选择。

  • F5 - 光纤耦合激光二极管 760 - 830 纳米 半导体激光器
    美国
    工作模式: CW Laser 波长: 760 to 830 nm 输出功率: 0.5 to 8 W 工作电压: 3.3 to 4.0 V 工作电流: 36 A

    美国Leonardo Electronics生产的F5-光纤耦合激光二极管760-830 nm是一种激光二极管,波长为760至830 nm,输出功率为0.5至8 W,工作电压为3.3至4.0 V,工作电流为36 A,输出功率(CW)为0.5至8 W.F5-光纤耦合激光二极管760-830 nm的更多详情见下文。

  • F5 - 光纤耦合激光二极管 830 - 1100 纳米 半导体激光器
    美国
    工作模式: CW Laser 波长: 830 to 1100 nm 输出功率: 0.5 to 8 W 工作电压: 3.3 to 4.0 V 工作电流: 35 A

    美国Leonardo Electronics生产的F5-光纤耦合激光二极管830-1100 nm是一种激光二极管,波长为830至1100 nm,输出功率为0.5至8 W,工作电压为3.3至4.0 V,工作电流为35 A,输出功率(CW)为0.5至8 W.F5-光纤耦合激光二极管830-1100 nm的更多详情见下文。

  • F6 - 光纤耦合激光二极管 760 - 830 纳米 半导体激光器
    美国
    工作模式: CW Laser 波长: 760 to 830 nm 输出功率: 500 to 1000 W 工作电压: 35 to 75 V 工作电流: 15 to 51 A

    美国Leonardo Electronics的F6-光纤耦合激光二极管760-830 nm是一种激光二极管,波长为760至830 nm,输出功率为500至1000 W,工作电压为35至75 V,工作电流为15至51 A,输出功率(CW)为500至1000 W.F6-光纤耦合激光二极管760-830 nm的更多详细信息见下文。

  • F6 - 光纤耦合激光二极管 830 - 1100 纳米 半导体激光器
    美国
    工作模式: CW Laser 波长: 830 to 1100 nm 输出功率: 200 to 1000 W 工作电压: 35 to 75 V 工作电流: 15 to 51 A

    美国Leonardo Electronics生产的F6-光纤耦合激光二极管830-1100 nm是一种激光二极管,波长为830至1100 nm,输出功率为200至1000 W,工作电压为35至75 V,工作电流为15至51 A,输出功率(CW)为200至1000 W.F6-光纤耦合激光二极管830-1100 nm的更多详情见下文。

  • RLD63PZCA 半导体激光器
    日本
    波长: 638 nm 输出功率: 7 mW 工作电压: 2.2 V 工作电流: 33 mA 阈值电流: 28 mA

    来自Rohm Semiconductor的RLD63PZCA是红色单模激光二极管,其工作波长为638 nm,输出效率为0.8 W/A.它提供7 MW的峰值光输出功率,并具有8度的平行光束发散角和32度的垂直光束发散角。该激光二极管消耗2.2V的电压和33mA的电流。它可与行业标准&PHI5.6金属杆。这款激光二极管是传感器、条形码扫描仪、水准测量和测距应用的理想选择。

  • RLD90QZW3 半导体激光器
    日本
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 895 to 915 nm 工作电压: 16 to 22 V 工作电流: 30 A 阈值电流: 900 mA

    Rohm Semiconductor的RLD90QZW3是一种不可见的脉冲激光二极管,工作波长为905 nm.它提供了75W的峰值脉冲输出功率,脉冲宽度为50ns.该激光二极管的光束发散度为10度(平行)和25度(垂直),发射点精度为±150μm.其孔径尺寸为225×10μm.这款激光二极管需要16 V直流电源,阈值电流为0.9 A.它采用Ø5.6 mm TO-CAN封装,非常适合TOF传感器、测距仪、自动导引车(AGV)和安保应用。

  • RLD90QZW8 半导体激光器
    日本
    波长: 905 nm 输出功率: 120 W 工作电压: 16 V 阈值电流: 1 A 类型: Free Space Laser Diode

    Rohm的RLD90QZW8是一款脉冲激光二极管,工作波长为905 nm.它产生峰值输出功率为120W的窄光发射图案,并且具有±150μm的发射点精度。该激光二极管的孔径为270×10μm,光束发散度为10度(平行)和25度(垂直)。阈值电流为1 A,正向电压为16 V,正向电流为42 A.该激光二极管采用φ5.6mm CAN封装,非常适合车载激光雷达、自动导引车(AGV)、TOF传感器和安防应用。

  • RLD94SAQ6 半导体激光器
    日本
    波长: 940 nm 输出功率: 0.2 W 阈值电流: 70 mA

    Rohm Semiconductor的RLD94SAQ6是一款红外VCSEL二极管,工作波长为940 nm.它的光输出功率为200mW,转换效率为33%。该激光二极管具有0.85W/A的斜率效率和13度的光束发散FWHM.它的正向电压为2 V,正向电流为300 mA,阈值电流为70 mA.这款VCSEL二极管采用超薄SMD封装,尺寸为3 X 2 X 0.77 mm,非常适合3D深度传感器、TOF传感器、红外照明、距离测量、障碍物检测和手势识别应用。

  • 850D1S09X 半导体激光器
    德国
    厂商:Laser Components
    应用行业: Commercial, Military 芯片技术: AlGaAs 工作模式: Pulsed Laser 波长: 850 nm 输出功率: 13 W

    Laser Components的850D1S09X是一款AlGaAs脉冲激光二极管,工作波长为850 nm.它的输出功率为13W,效率为0.9W/A.该激光二极管的光谱带宽为5.5nm,光束扩展为10.5度(平行)和20度(垂直)。它的发射面积为225 X 1μm,脉冲宽度为150 ns.这款激光二极管的正向电压为3 V,最大正向电流为18 A.它采用密封和定制设计封装,非常适合测距、测量设备、武器模拟、激光雷达、安全屏障和光学触发应用。

  • 905D1SxxUA-系列 半导体激光器
    德国
    厂商:Laser Components
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 895 to 915 nm 输出功率: up to 75 W 工作电流: 3.5 to 22 A 阈值电流: 250 to 800 mA

    Laser Components的905D1SXXUA系列是高端/低成本脉冲激光二极管,可提供高达75 W的输出功率。这些905 nm PLD采用5.6 mm密封CD封装,可用于测距、速度监控、激光雷达、安全扫描仪和激光光幕或测试和测量系统。PLD提供高可靠性和温度稳定性,并且还实现了最佳的光束特性。

  • ADL-63054SA4 半导体激光器
    德国
    厂商:Laser Components
    应用行业: Commercial, Industrial 芯片技术: AIGaInP 波长: 630 to 640 nm 输出功率: 7 mW 工作电压: 2.5 to 6 V

    Laser Components的ADL-63054SA4是一款自动功率控制(APC)可见激光二极管,工作波长为635 nm.它提供5mW的输出功率。这种AlGaInP激光二极管对高达10kV的静电放电不敏感,并在2.5至6.0VDC的电源电压下提供稳定的输出功率。它采用TO-CAN封装,是高精度测量仪器、勘测和工程仪器的理想选择。

  • ADL-83Y51TL 半导体激光器
    德国
    厂商:Laser Components
    芯片技术: AlGaAs 工作模式: CW Laser 波长: 830 nm 输出功率: 250 mW 工作电压: 1.9 to 2.4 V

    ADL-83Y51TL是一种低成本解决方案,适用于任何需要具有纵向单模光束轮廓的强大NIR激光二极管的应用,例如相机支持的手势控制。二极管在830nm的NIR范围内发射,并且具有250mW的CW功率。在脉冲操作中,它可以过驱动到高达500 MW.该器件采用紧凑的TO-56密封外壳,允许工作温度高达60°C.该器件配有集成式监控光电二极管,用于功率控制和稳定。激光二极管是光源和工业应用的理想选择。