• HL40063MG 半导体激光器
    日本
    厂商:牛尾
    应用行业: Medical, Industrial 波长: 400 to 410 nm 输出功率: 700 mW 工作电压: 3.8 to 4.7 V 工作电流: 450 to 700 mA

    Ushio Opto Semiconductors的HL40063MG是一款紫色激光二极管,在405nm下工作时可提供高达600 MW的输出功率。该器件采用5.6 mm至CAN封装,非常适合PCB、测量和工业应用的直接成像。

  • HL40093MG 半导体激光器
    日本
    厂商:牛尾
    应用行业: Industrial 工作模式: CW Laser 波长: 398 to 410 nm 输出功率: 0 to 0.5 W 工作电压: 4.9 V

    Ushio Opto Semiconductors的HL40093MG是一款紫色激光二极管,工作波长为398至410 nm.该激光二极管提供500mW的连续波(CW)光输出功率。它需要4.9 V的直流电压,消耗高达410 mA的电流。该二极管采用TO-56封装,非常适合直接成像曝光系统、3D打印、测量和生物医学应用。

  • HL40113MG 半导体激光器
    日本
    厂商:牛尾
    应用行业: Test & Measurements, Medical, Industry 工作模式: CW Laser 波长: 400 to 410 nm 输出功率: 0.7 W 工作电压: 3.8 to 4.6 V

    Ushio Opto Semiconductors的HL40113MG是一款紫色激光二极管,工作波长为405 nm.该激光二极管提供600mW的连续波(CW)光输出功率。它需要4.2 V的电源电压,功耗为500 mA.该二极管采用TO-56封装,针对激光直接成像等应用进行了优化,包括光刻和印刷电路板(PCB)制造,以及许多生物医学和生命科学领域。

  • HL40115MG 半导体激光器
    日本
    厂商:牛尾
    应用行业: Test & Measurements, Medical, Industry 工作模式: CW Laser 波长: 400 to 410 nm 输出功率: 0.7 W 工作电压: 3.8 to 4.6 V

    Ushio Opto Semiconductors的HL40115MG是一款紫色激光二极管,工作波长为400至410 nm.该激光二极管提供600mW的连续波(CW)光输出功率。它需要4.2 V的直流电压,消耗500 mA的电流。该二极管采用TO-56封装,非常适合PCB制造、测量和生物医学应用中的直接成像。

  • HL63283HD 半导体激光器
    日本
    厂商:牛尾
    工作模式: CW Laser, Pulsed Laser 波长: 632 to 641 nm 工作电压: 2.3 to 2.7 V 工作电流: 1300 to 1600 mA 阈值电流: 340 to 440 mA

    Ushio Opto Semiconductors的HL63283HD是一款工作波长为637 nm的AlGaInP激光二极管。单发射极输出功率为1.2W连续波/1.5W脉冲。该激光二极管采用9 mm CAN封装,是激光投影仪、显示激光器和光学仪器光源应用的理想选择。

  • HL63392DG 半导体激光器
    日本
    厂商:牛尾
    芯片技术: AlGaInP 波长: 633 to 643 nm 输出功率: 120 to 200 mW 工作电压: 2.8 to 3.3 V 工作电流: 255 to 290 mA

    Ushio Opto Semiconductors的HL63392DG是一种AlGaInP激光二极管,在638nm下工作时可提供200mW的输出功率。该激光二极管采用TO-CAN封装,是激光模块、校平器和光学设备光源应用的理想选择。

  • HL63520HD 半导体激光器
    日本
    厂商:牛尾
    芯片技术: AIGaInP 工作模式: CW / Pulse Laser 波长: 638 nm 工作电压: 2.4 to 2.8 V 阈值电流: 570 to 750 mA

    Ushio Opto Semiconductors的HL63520HD是一款638 nm AlGaInP激光二极管。该激光二极管在-10°C至45°C的工作温度范围内提供了3.5W的脉冲光输出功率(脉冲周期=120 Hz,占空比=30%),在55°C的工作温度上限下实现了2.5W的脉冲光输出功率。即使在CW操作中,红色激光二极管也实现了2.4W的光输出功率,并实现了超过20,000小时的MTTF.它可以在脉冲和CW操作模式下集成到投影仪中。它采用9 mm TO-CAN封装,非常适合激光投影仪和光学设备应用。

  • HL63623HD 半导体激光器
    日本
    厂商:牛尾
    工作模式: CW/Pulsed Laser 波长: 632 to 644 nm 输出功率: 1.6 to 1.9 W 工作电压: 2.25 to 2.8 V 工作电流: 1550 to 1850 mA

    Ushio Opto Semiconductors的HL63623HD是AlGaInP单发射极激光二极管,输出波长为638 nm.它产生1.9W的脉冲输出功率和1.6W的连续输出功率,墙壁插头效率为43%。该多横模激光二极管分别具有10度(平行)和33度(垂直)的光束发散度。它的反向电压为2 V,阈值电流高达420 mA.该红色激光二极管需要2.25 V的直流电源,消耗高达1550 mA的电流。它采用9 mm的CAN封装,是激光投影仪、激光模块和激光电视应用的理想选择。

  • HL65241DG 半导体激光器
    日本
    厂商:牛尾
    工作模式: CW 波长: 660 nm 输出功率: 110 to 220 W 工作电压: 2.45 to 3.0 V 工作电流: 145 to 225 mA

    Ushio Opto Semiconductors的HL65241DG是一款工作波长为652至665 nm的AlGaInP红色激光二极管。它提供110mW的连续光功率和220mW的脉冲光功率。该单横模激光二极管具有30V的反向电压和60mA的阈值电流。该器件采用5.6 mm的DG封装,非常适合光学设备光源和传感器应用。

  • HL65242DG 半导体激光器
    日本
    厂商:牛尾
    工作模式: CW 波长: 660 nm 输出功率: 110 to 220 W 工作电压: 2.45 to 3.0 V 工作电流: 145 to 225 mA

    Ushio Opto Semiconductors的HL65242DG是一款工作波长为652至665 nm的AlGaInP红色激光二极管。它提供110mW的连续光功率和220mW的脉冲光功率。该单横模激光二极管具有30V的反向电压和60mA的阈值电流。它采用5.6 mm的DG封装,是光学设备和传感器应用的理想光源。

  • hl67191mg_192mg 半导体激光器
    日本
    厂商:牛尾
    芯片技术: AlGaInP 工作模式: CW / Pulsed Laser 波长: 660 to 680 nm 工作电压: 2.25 to 2.70 V 工作电流: 0.03 to 0.045 A

    来自Ushio Opto Semiconductors的HL67191MG_192MG是670nm AlGaInP激光二极管。该激光二极管提供16mW的光输出功率并实现32mW的脉冲光输出功率。脉冲宽度小于50ns,占空比小于50%。激光二极管需要2.70 V的DC电压,并且具有高达30 mA的阈值电流。该器件采用φ5.6mm小型CAN封装,非常适合传感和测量应用。

  • HL67203HD 半导体激光器
    日本
    厂商:牛尾
    波长: 675 nm 输出功率: 1.3 W 工作电压: 2.2 V 工作电流: 1380 mA 阈值电流: 360 mA

    来自Ushio Inc.的HL67203HD是在675nm的波长下工作的AlGaInP多模激光二极管。它提供1.3 W的光输出功率。该激光二极管具有12°的平行光束发散角和32°的垂直光束发散角。它的工作电压约为2.2 V,工作电流约为1.38 A.它采用紧凑型高散热Ø9 mm CAN封装,非常适合光动力疗法、光免疫疗法、生命科学、激光模块、医疗和保健应用。

  • NDU4116 半导体激光器
    日本
    工作模式: CW Laser 波长: 370 to 380 nm 输出功率: 0.07 W 工作电压: 5.4 V 工作电流: 0.11 A

    NDU4116是一款紫外激光二极管,工作波长为370-380 nm,斜率效率为1.2 W/A,光输出功率为70 MW,光束指向精度为±3°。该激光二极管的平行光束发散角为9°,垂直光束发散角为22.5°。该器件的阈值电流为50 mA,PD反向电压高达5 V.这款单模激光二极管采用浮动安装式CAN封装,带一个光电二极管和一个齐纳二极管,尺寸为Ø5.6。它是激光加工、3D打印机、曝光设备、激光显微镜、医疗设备、光刻流式细胞仪、内窥镜和光纤应用的理想选择。

  • NDU4316E 半导体激光器
    日本
    工作模式: CW Laser 波长: 390 to 400 nm 输出功率: 0.12 W 工作电压: 4.5 V 工作电流: 0.1 A

    NDU4316E是一种激光二极管,其波长为390至400 nm,输出功率为0.12 W,工作电压为4.5 V,工作电流为0.1 A,阈值电流为28至50 mA.有关NDU4316E的更多详细信息,请联系我们。

  • NDU7216 半导体激光器
    日本
    工作模式: CW Laser 波长: 370 to 380 nm 输出功率: 0.2 W 工作电压: 4.4 V 工作电流: 0.39 A

    NDU7216是一种激光二极管,其波长为370~380nm,输出功率为0.2W,工作电压为4.4V,工作电流为0.39A,阈值电流为100~250mA.有关NDU7216的更多详细信息,请联系我们。

  • NDUA116T 半导体激光器
    日本
    工作模式: CW Laser 波长: 390 to 400 nm 输出功率: 0.02 W 工作电压: 4 V 工作电流: 0.053 A

    NDUA116T是日本Nichia公司生产的波长为390~400nm的激光二极管,输出功率为0.02W,工作电压为4V,工作电流为0.053A,阈值电流为43mA.有关NDUA116T的更多详细信息,请联系我们。

  • LD-450-100SG 半导体激光器
    奥地利
    工作模式: CW Laser 波长: 440 to 460 nm 输出功率: 0.1 W 工作电压: 5.8 to 7 V 工作电流: 0.1 to 0.165 A

    Roithner Lasertechnik的LD-450-100SG是一款基于GaN的宝蓝色激光二极管,工作波长为450 nm.它的输出功率为100 MW,调制带宽超过100 MHz.这款单横模激光器采用TO38封装,不带光电二极管,非常适合激光投影、全息摄影、计量和生物医学应用。

  • QL78M6SA 半导体激光器
    奥地利
    技术: Quantum Well 芯片技术: AlGaAs 工作模式: CW Lasers 波长: 780 nm 输出功率: 0.09 W

    Roithner Lasertechnik的QL78M6SA是一款工作波长为770至790 nm的AlGaAs红外激光二极管。它的输出功率为90 MW,LD反向电压为2 V,PD反向电压为30 V.该单横模激光二极管具有量子阱结构,可在高达60摄氏度的温度下工作。它采用5.6 mm TO-CAN封装,是工业应用的理想辐射源。

  • QL83H6SA 半导体激光器
    奥地利
    技术: Quantum Well 芯片技术: AlGaAs 工作模式: CW Lasers 波长: 830 nm 输出功率: 0.02 W

    Roithner Lasertechnik的QL83H6SA是一款具有量子阱结构的单模AlGaAs红外激光二极管,工作波长为830 nm.它的光输出功率为20mW,斜率效率为0.6W/A.该激光二极管具有9°的平行光束发散角和30°的垂直光束发散角。它需要1.9 V的工作电压和45 mA的电流。该器件采用集成PD的5.6 mm TO-CAN封装,是许多工业应用的理想选择。

  • QL94J6SA 半导体激光器
    奥地利
    技术: Quantum Well 芯片技术: AlGaAs 工作模式: CW Lasers 波长: 940 nm 输出功率: 0.05 W

    Roithner Lasertechnik GmbH生产的QL94J6SA是一款输出波长为940 nm的AlGaAs红外激光二极管。它提供高达50 MW的光输出功率,并在高达60°C的宽工作温度范围内产生单模发射。激光二极管的光束发散度为6-12度(平行)、23-33度(垂直),光束角为±3°(平行和垂直)。它需要高达2.5 V的电源电压,功耗低于90 mA.这种单横模激光器是利用MOCVD(金属有机化学气相沉积)技术设计的,具有量子阱结构。它采用TO18封装,带有一个平面窗口,适合工业应用。