-
芯片技术: AIGaInP 工作模式: CW / Pulse Laser 波长: 638 nm 工作电压: 2.4 to 2.8 V 阈值电流: 570 to 750 mA
Ushio Opto Semiconductors的HL63520HD是一款638 nm AlGaInP激光二极管。该激光二极管在-10°C至45°C的工作温度范围内提供了3.5W的脉冲光输出功率(脉冲周期=120 Hz,占空比=30%),在55°C的工作温度上限下实现了2.5W的脉冲光输出功率。即使在CW操作中,红色激光二极管也实现了2.4W的光输出功率,并实现了超过20,000小时的MTTF.它可以在脉冲和CW操作模式下集成到投影仪中。它采用9 mm TO-CAN封装,非常适合激光投影仪和光学设备应用。
-
工作模式: CW/Pulsed Laser 波长: 632 to 644 nm 输出功率: 1.6 to 1.9 W 工作电压: 2.25 to 2.8 V 工作电流: 1550 to 1850 mA
Ushio Opto Semiconductors的HL63623HD是AlGaInP单发射极激光二极管,输出波长为638 nm.它产生1.9W的脉冲输出功率和1.6W的连续输出功率,墙壁插头效率为43%。该多横模激光二极管分别具有10度(平行)和33度(垂直)的光束发散度。它的反向电压为2 V,阈值电流高达420 mA.该红色激光二极管需要2.25 V的直流电源,消耗高达1550 mA的电流。它采用9 mm的CAN封装,是激光投影仪、激光模块和激光电视应用的理想选择。
-
技术: Quantum Well 芯片技术: AlGaAs 工作模式: CW Lasers 波长: 940 nm 输出功率: 0.05 W
Roithner Lasertechnik GmbH生产的QL94J6SA是一款输出波长为940 nm的AlGaAs红外激光二极管。它提供高达50 MW的光输出功率,并在高达60°C的宽工作温度范围内产生单模发射。激光二极管的光束发散度为6-12度(平行)、23-33度(垂直),光束角为±3°(平行和垂直)。它需要高达2.5 V的电源电压,功耗低于90 mA.这种单横模激光器是利用MOCVD(金属有机化学气相沉积)技术设计的,具有量子阱结构。它采用TO18封装,带有一个平面窗口,适合工业应用。