• 激光二极管FLX-980-1500M-50 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.980um 输出功率: 1500mW

    FLX-980-1500M-500是一款多模半导体激光器。980nm连续输出功率为1500mW的二极管。可用的封装为B-Mount、C-Mount、Q-Mount,9毫米到CAN,TO-3 CAN和HHL。它适用于各种光电应用。

  • 激光二极管flx-980-5000m-150 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.980um 输出功率: 5000mW

    FLX-980-5000M-150是一款多模半导体激光器。980nm连续输出5000mW的二极管。可用的封装包括B-mount、C-mount、Q-mount、TO-3 CAN和赫赫尔。适用于各种光电子器件。应用程序。

  • 激光二极管fmtl-1910-1000-150 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.910um 输出功率: 1000mW

    FMTL-1910-1000-150是C-Mount上提供的CW多模注入半导体激光器。该激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管fmtl-1920-1000-150 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.920um 输出功率: 1000mW

    FMTL-1920-1000-150是C-Mount上提供的CW多模注入半导体激光器。该激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管fmtl-1930-1000-150 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.930um 输出功率: 1000mW

    FMTL-1930-1000-150是C-Mount上提供的CW多模注入半导体激光器。该激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管fmtl-1930-500-90 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.930um 输出功率: 500mW

    FMTL-1930-500-90是C-Mount上提供的CW多模注入半导体激光器。该激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管fmtl-1950-1000-150 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.950um 输出功率: 1000mW

    FMTL-1950-1000-150是C-Mount上提供的CW多模注入半导体激光器。该激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FNLD-05S-1053A 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.053um 输出功率: 5mW

    FNLD-05S-1053A是一种基于InGaAs/GaAs单量子阱结构的1053nm激光二极管,采用MOCVD方法制备。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FNLD-05S-1053A是连续单模注入半导体激光器。它采用SOT-148外壳,内置监控光电二极管。该激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FNLD-05S-1064D 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.064um 输出功率: 5mW

    FNLD-05S-1064D是一种基于InGaAs/GaAs单量子阱结构的1064nm激光二极管。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FNLD-05S-1064D是连续单模注入半导体激光器。它采用SOT-148外壳,内置监视器光电二极管。激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FNLD-05S-1260D 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.260um 输出功率: 5mW

    FNLD-05S-1260D是一种基于InGaAsP/InP单量子阱结构的1260nm激光二极管。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FNLD-05S-1260D是连续单模注入半导体激光器。它采用SOT-148外壳,内置监视器光电二极管。激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FNLD-100S-1030X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.03um 输出功率: 100mW

    FNLD-100S-1030X是用MOCVD半导体激光器制作的1030nm InGaAs/GaAs单量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FNLD-100S-1030X是一款连续单横模注入半导体激光器,内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FNLD-100S-1060X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.060um 输出功率: 100mW

    FNLD-100S-1060X是用MOCVD半导体激光器制作的1060nm InGaAs/GaAs单量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,从而提高可靠性。FNLD-100S-1060X是一款采用SOT-148 9mm封装的CW单横模注入半导体激光器,内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FNLD-100S-1532/1550X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.532um 输出功率: 100mW

    FNLD-100S-1532/1550X是用MOCVD半导体激光器制作的GaInAsP/InP多量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FNLD-100S 1532/1550X是CW单横模注入半导体激光二极管,内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FNLD-10M-1060D 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.060um 输出功率: 10mW

    FNLD-10M-1060D是一种基于InGaAs/GaAs单量子阱结构的1060nm激光二极管,采用MOCVD方法制备。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FNLD-10M-1060D是连续多模注入半导体激光器。它采用SOT-148外壳,内置监视器光电二极管。激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FNLD-10S-1055D 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.055um 输出功率: 10mW

    FNLD-10S-1055D是一款1055nm激光二极管,MOCVD制备InGaAsP/GaAs单量子阱结构低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FNLD-10S-1055D是一种连续单模注入半导体激光器。它采用SOT-148外壳,内置监视器光电二极管。激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FNLD-10S-1060D 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.060um 输出功率: 10mW

    FNLD-10S-1060D是一种基于InGaAs/GaAs单量子阱结构的1060nm激光二极管。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FNLD-10S-1060D是连续单模注入半导体激光器。它采用SOT-148外壳,内置监视器光电二极管。激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管 FNLD-10S-1064-miniDIL 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.064um 输出功率: 10mW

    FNLD-10S-1064-MINIDIL是一种基于InGaAs/GaAs量子阱结构的1064nm激光二极管。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,从而提高可靠性。FNLD-10S-1064-MINIDIL采用MINI DIL密封封装,集成监控二极管以稳定功率输出。将激光二极管发射耦合到SM光纤中。光纤连接器:FC/PC,ST,SC,SMA-905-可用。该激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FNLD-10S-1270D 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.270um 输出功率: 10mW

    FNLD-10S-1270D是一种基于InGaAsP/InP单量子阱结构的1270nm半导体激光器。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FNLD-10S-1270D是连续单模注入半导体激光器。它们采用SOT-148外壳,内置监控光电二极管。该激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FNLD-10S-1300D 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.300um 输出功率: 10mW

    FNLD-10S-1300D是用MOCVD半导体激光器制作的1300nm GaInAsP/InP多量子阱激光器。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FNLD-10S 1300D是一款CW单横模注入半导体激光二极管,内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FNLD-10S-1550D 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.550um 输出功率: 10mW

    FNLD-10S-1550D是用MOCVD半导体激光器制作的1550nm GaInAsP/InP多量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FNLD-10S-1550D是一款连续单横模注入半导体激光器,内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。