• 激光二极管FIDL-5S-730X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.730um 输出功率: 5mW

    FIDL-5S-730X是730nm AlGaAs/GaAs多量子阱结构用MOCVD半导体激光器制作。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,从而提高可靠性。FIDL-5S-730X是一款CW单模注入半导体激光二极管,采用SOT-242 5.6mmCAN封装,内置监控光电二极管以稳定输出功率。精确的波长选择允许在光谱设备以及各种光电系统中使用激光二极管。

  • 激光二极管FIDL-5S-740X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.740um 输出功率: 5mW

    FIDL-5S-740X是740nm AlGaAs/GaAs多量子阱结构用MOCVD半导体激光器制作。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,从而提高可靠性。FIDL-5S-740X是一款采用SOT-242 5.6mm封装的CW单模注入半导体激光二极管,内置监控光电二极管以稳定输出功率。精确的波长选择允许在光谱设备以及各种光电系统中使用激光二极管。

  • 激光二极管FIDL-5S-750X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.750um 输出功率: 5mW

    FIDL-5S-750X是750nm AlGaAs/GaAs多量子阱结构用MOCVD半导体激光器制作。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,从而提高可靠性。FIDL-5S-750X是一款采用SOT-242 5.6mmCAN封装的CW单模注入半导体激光二极管,内置监控光电二极管以稳定输出功率。精确的波长选择允许在光谱设备以及各种光电系统中使用激光二极管。

  • 激光二极管FIDL-5S-750X-M 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.750um 输出功率: 5mW

    FIDL-5S-750X-M是750nm AlGaAs/GaAs多量子阱结构用MOCVD半导体激光器制作。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FIDL-5S-750X-M是一款采用SOT-148封装的CW单模注入半导体激光二极管,内置监控光电二极管以稳定输出功率。精确的波长选择允许在光谱设备以及各种光电系统中使用激光二极管。

  • 激光二极管FIDL-5S-770X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.770um 输出功率: 5mW

    FIDL-5S-770X是770nm AlGaAs/GaAs结构。通过MOCVD半导体激光二极管。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FIDL-5S-770X是一种连续单模注入半导体激光器。它由INSOT-242 5.6mm CAN交付,内置监控光电二极管以稳定输出功率和TO-3。集成TEC、热敏电阻和监控光电二极管的窗口封装。精确的波长选择也允许在光谱设备中使用激光二极管如在各种光电系统中。

  • 激光二极管 fold-405-12s-vbg-col 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.405um 输出功率: 12mW

    FOLD-405-12S-VBG-COL是单模半导体激光器405nm连续输出功率为12mW的二极管。由于集成的VBG波长是固定的,并且光谱宽度非常窄。它适用于各种光电应用。

  • 激光二极管 fold-405-25s-vbg-col 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.405um 输出功率: 25mW

    FOLD-405-25S-VBG是一种单模半导体激光器405nm连续输出25mW的二极管。由于集成的VBG波长是固定的,光谱宽度非常窄。它适用于各种光电应用。

  • 激光二极管 折-405-40s-vbg-col 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.405um 输出功率: 40mW

    FOLD-405-40S-VBG-COL是单模半导体激光器405nm连续输出功率为40mW的二极管。由于集成的VBG波长是固定的,光谱宽度非常窄。它适用于各种光电应用。

  • 激光二极管 fold-406-12s-vbg-col 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.406um 输出功率: 12mW

    FOLD-406-12S-VBG-COL是单模半导体激光器406nm连续输出功率为12mW的二极管。由于集成的VBG波长是固定的,并且光谱宽度非常窄。它适用于各种光电应用。

  • 激光二极管 fold-406-25s-vbg-col 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.406um 输出功率: 25mW

    FOLD-406-25S-VBG-COL是单模半导体激光器406nm连续输出25mW的二极管。由于集成的VBG波长是固定的,并且光谱宽度非常窄。它适用于各种光电应用。

  • 激光二极管 折-406-40s-vbg-col 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.406um 输出功率: 40mW

    FOLD-406-40S-VBG-COL是单模半导体激光器406nm连续输出功率40mW的二极管。由于集成的VBG波长是固定的,并且光谱宽度非常窄。它适用于各种光电应用。

  • 激光二极管 fold-638-20s-vbg 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.638um 输出功率: 20mW

    FOLD-638-20S-VBG是一种单模半导体激光器638nm连续输出功率为20mW的二极管。由于集成VBG波长固定,光谱宽度很窄。它适用于各种光电应用。

  • 激光二极管 fold-638-32s-vbg 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.638um 输出功率: 32mW

    FOLD-638-32S-VBG是一种单模半导体激光器在638nm处连续输出功率为32mW的二极管。由于集成VBG波长固定,光谱宽度很窄。它适用于各种光电应用。

  • 激光二极管 fold-638-9s-vbg 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.638um 输出功率: 9mW

    FOLD-638-9S-VBG是一种单模半导体激光器在638nm处具有9mW连续输出功率的二极管。由于集成VBG波长固定,光谱宽度很窄。适用于各种光电子器件。应用程序。

  • 激光二极管 fold-640-20s-vbg 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.640um 输出功率: 20mW

    FOLD-640-20S-VBG是一种单模半导体激光器在640nm处具有20mW连续输出功率的二极管。由于集成VBG波长固定,光谱宽度很窄。适用于各种光电子器件。应用程序。

  • 激光二极管 fold-640-32s-vbg 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.640um 输出功率: 32mW

    FOLD-640-32S-VBG是单模半导体激光器在640nm处连续输出功率为32mW的二极管。由于集成VBG波长固定,光谱宽度很窄。适用于各种光电子器件。应用程序。

  • 激光二极管 fold-640-9s-vbg 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.640um 输出功率: 9mW

    FOLD-640-9S-VBG是一种单模半导体激光器在640nm处具有9mW连续输出功率的二极管。由于集成VBG波长固定,光谱宽度很窄。适用于各种光电子器件。应用程序。

  • 激光二极管Fold-656-35s-vbg 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.656um 输出功率: 35mW

    FOLD-656-35S-VBG是一种单模半导体激光器在656nm处具有35mW连续输出功率的二极管。由于集成VBG波长固定,光谱宽度很窄。它适用于各种光电应用。

  • 激光二极管 fold-658-35s-vbg 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.658um 输出功率: 35mW

    FOLD-658-35S-VBG是一种单模半导体激光器在658nm处具有35mW连续输出功率的二极管。由于集成VBG波长固定,光谱宽度很窄。适用于各种光电子器件。应用程序。

  • 激光二极管 fold-660-35s-vbg 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.660um 输出功率: 35mW

    FOLD-660-35S-VBG是一种单模半导体激光器在660nm处连续输出功率为35mW的二极管。由于集成VBG波长固定,光谱宽度很窄。适用于各种光电子器件。应用程序。