• Cs - QCW激光器二极管 半导体激光器
    美国
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 830 to 1100 nm 输出功率: 80 to 120 W 工作电压: 1.85 to 2 V 工作电流: 95 to 330 A

    美国Leonardo Electronics公司的CS-QCW激光二极管是一种激光二极管,其波长为830至1100 nm,输出功率为80至120 W,工作电压为1.85至2 V,工作电流为95至330 A,阈值电流为10000至28000 mA.CS-QCW激光二极管的更多细节可以在下面看到。

  • R1 - QCW 半导体激光器
    美国
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 830 to 1100 nm 输出功率: 80 to 120 W 工作电压: 1.85 to 2 V 工作电流: 95 to 330 A

    美国Leonardo Electronics公司的R1-QCW是一种激光二极管,其波长为830至1100 nm,输出功率为80至120 W,工作电压为1.85至2 V,工作电流为95至330 A,阈值电流为10000至28000 mA.有关R1-QCW的更多详细信息,请联系我们。

  • R5 - QCW 半导体激光器
    美国
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 830 to 1100 nm 输出功率: 80 to 100 W 工作电压: 1.85 to 2 V 工作电流: 95 to 330 A

    美国Leonardo Electronics公司的R5-QCW是一种激光二极管,波长为830~1100nm,输出功率为80~100W,工作电压为1.85~2V,工作电流为95~330A,阈值电流为10000~28000mA.R5-QCW的更多细节可以在下面看到。

  • S1 - QCW 半导体激光器
    美国
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 830 to 1100 nm 输出功率: 80 to 100 W 工作电压: 1.85 to 2 V 工作电流: 95 to 330 A

    美国Leonardo Electronics公司的S1-QCW是一种激光二极管,其波长为830至1100 nm,输出功率为80至100 W,工作电压为1.85至2 V,工作电流为95至330 A,阈值电流为10000至28000 mA.下面可以看到S1-QCW的更多详细信息。

  • S12 - QCW 半导体激光器
    美国
    巴条配置: Horizontal Stack 工作模式: Pulsed Laser 波长: 830 to 1100 nm 输出功率: 100 to 300 W 工作电压: 1.85 to 2 V

    美国Leonardo Electronics公司的S12-QCW是一种激光二极管,其波长为830至1100 nm,输出功率为100至300 W,工作电压为1.85至2 V,工作电流为95至330 A,阈值电流为10000至28000 mA.S12-QCW的更多细节可以在下面看到。

  • S14 - QCW 半导体激光器
    美国
    巴条配置: Horizontal Stack 工作模式: Pulsed Laser 波长: 830 to 1100 nm 输出功率: 100 to 300 W 工作电压: 1.85 to 2 V

    美国Leonardo Electronics公司的S14-QCW是一种激光二极管,其波长为830至1100 nm,输出功率为100至300 W,工作电压为1.85至2 V,工作电流为95至330 A,阈值电流为10000至28000 mA.S14-QCW的更多细节可以在下面看到。

  • S15 - QCW 半导体激光器
    美国
    巴条配置: Horizontal Stack 工作模式: Pulsed Laser 波长: 830 to 1100 nm 输出功率: 100 to 300 W 工作电压: 1.85 to 2 V

    美国Leonardo Electronics公司的S15-QCW是一种激光二极管,其波长为830至1100 nm,输出功率为100至300 W,工作电压为1.85至2 V,工作电流为95至330 A,阈值电流为10000至28000 mA.S15-QCW的更多细节可以在下面看到。

  • S16 - QCW 半导体激光器
    美国
    巴条配置: Horizontal Stack 工作模式: Pulsed Laser 波长: 830 to 1100 nm 输出功率: 100 to 150 W 工作电压: 2 V

    美国Leonardo Electronics的S16-QCW是一种激光二极管,波长为830至1100 nm,输出功率为100至150 W,工作电压为2 V,工作电流为105至165 A,阈值电流为10000至14000 mA.S16-QCW的更多细节可以在下面看到。

  • S2 - QCW 半导体激光器
    美国
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 830 to 1100 nm 输出功率: 100 to 300 W 工作电压: 1.85 to 2 V 工作电流: 95 to 330 A

    美国Leonardo Electronics公司的S2-QCW是一种激光二极管,其波长为830至1100 nm,输出功率为100至300 W,工作电压为1.85至2 V,工作电流为95至330 A,阈值电流为10000至28000 mA.S2-QCW的更多细节可以在下面看到。

  • S25 - QCW 半导体激光器
    美国
    巴条配置: Horizontal Stack 工作模式: Pulsed Laser 波长: 830 to 1100 nm 输出功率: 80 to 120 W 工作电压: 1.85 to 2 V

    美国Leonardo Electronics公司的S25-QCW是一种激光二极管,其波长为830至1100 nm,输出功率为80至120 W,工作电压为1.85至2 V,工作电流为95至330 A,阈值电流为10000至28000 mA.S25-QCW的更多细节可以在下面看到。

  • S3 - QCW 半导体激光器
    美国
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 830 to 1100 nm 输出功率: 100 to 300 W 工作电压: 1.85 to 2 V 工作电流: 95 to 330 A

    美国Leonardo Electronics公司的S3-QCW是一种激光二极管,其波长为830至1100 nm,输出功率为100至300 W,工作电压为1.85至2 V,工作电流为95至330 A,阈值电流为10000至28000 mA.S3-QCW的更多细节可以在下面看到。

  • S4 - QCW 半导体激光器
    美国
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 830 to 1100 nm 输出功率: 100 to 300 W 工作电压: 1.85 to 2 V 工作电流: 95 to 330 A

    美国Leonardo Electronics的S4-QCW是一种激光二极管,波长为830至1100 nm,输出功率为100至300 W,工作电压为1.85至2 V,工作电流为95至330 A,阈值电流为10000至28000 mA.S4-QCW的更多细节可以在下面看到。

  • S5 - QCW 半导体激光器
    美国
    巴条配置: Horizontal Stack 工作模式: Pulsed Laser 波长: 830 to 1100 nm 输出功率: 100 to 300 W 工作电压: 1.85 to 2 V

    美国Leonardo Electronics公司的S5-QCW是一种激光二极管,其波长为830至1100 nm,输出功率为100至300 W,工作电压为1.85至2 V,工作电流为95至330 A,阈值电流为10000至28000 mA.S5-QCW的更多细节可以在下面看到。

  • S6 - QCW 半导体激光器
    美国
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 830 to 1100 nm 输出功率: 100 to 300 W 工作电压: 2 V 工作电流: 85 to 120 A

    美国Leonardo Electronics公司的S6-QCW是一种激光二极管,其波长为830至1100 nm,输出功率为100至300 W,工作电压为2 V,工作电流为85至120 A,阈值电流为7000至10000 mA.S6-QCW的更多细节可以在下面看到。

  • S7 - QCW 半导体激光器
    美国
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 830 to 1100 nm 输出功率: 100 to 150 W 工作电压: 1.85 to 2 V 工作电流: 95 to 330 A

    美国Leonardo Electronics的S7-QCW是一种激光二极管,其波长为830至1100 nm,输出功率为100至150 W,工作电压为1.85至2 V,工作电流为95至330 A,阈值电流为10000至28000 mA.S7-QCW的更多细节可以在下面看到。

  • S9 - QCW 半导体激光器
    美国
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 830 to 1100 nm 输出功率: 100 to 300 W 工作电压: 1.85 to 2 V 工作电流: 95 to 330 A

    美国Leonardo Electronics公司的S9-QCW是一种激光二极管,其波长为830至1100 nm,输出功率为100至300 W,工作电压为1.85至2 V,工作电流为95至330 A,阈值电流为10000至28000 mA.S9-QCW的更多细节可以在下面看到。

  • QCW-1000-G 半导体激光器
    以色列
    工作模式: CW Laser, Pulsed Laser 波长: 808 ±3 nm 输出功率: 100 W 工作电流: 105 A 堆栈/阵列: Array/Stack

    来自SIMIConductor Devices的QCW-1000-G是一款激光二极管,波长为808±3 nm,输出功率为100 W,工作电流为105 A,输出功率(CW)为100 W,工作温度为55摄氏度。有关QCW-1000-G的更多详细信息,请联系我们。

  • QCW-800-C 半导体激光器
    以色列
    工作模式: CW Laser 波长: 808 ±3 nm 输出功率: 100 W 工作电压: 18 V 工作电流: 105 A

    半导体器件公司的QCW-800-C是一种波长为808±3nm、输出功率为100W、工作电压为18V、工作电流为105A、阈值电流为20000mA的半导体激光器。有关QCW-800-C的更多详细信息,请联系我们。

  • QCW-840 半导体激光器
    以色列
    工作模式: CW Laser 波长: 808 ±3 nm 输出功率: 140 W 工作电流: 80 A 阈值电流: 20000 mA

    来自SIMIConductor Devices的QCW-840是一款激光二极管,波长为808±3 nm,输出功率为140 W,工作电流为80 A,阈值电流为20000 mA,输出功率(CW)为140 W.有关QCW-840的更多详细信息,请联系我们。

  • 200W QCW 90FFx1mm TM 半导体激光器
    美国
    厂商:相干公司
    波长: 780 to 830 nm 输出功率: 200 W 工作电压: 2.2 V 工作电流: 80 to 200 A 阈值电流: 22 A

    Coherent Inc.的200W QCW 90FFX1MM TM是一款激光二极管,波长为780至830 nm,输出功率为200 W,工作电压为2.2 V,工作电流为80至200 A.有关200W QCW 90FFX1MM TM的更多详细信息,请联系我们。