• S5 半导体激光器
    S5
    美国
    巴条配置: Horizontal Stack 工作模式: Pulsed Laser 波长: 760 to 830 nm 输出功率: 100 to 300 W 工作电压: 1.9 to 2.1 V

    美国Leonardo Electronics公司生产的S5是一种激光二极管,其波长为760至830nm,输出功率为100至300W,工作电压为1.9至2.1V,工作电流为95至330A,阈值电流为10000至28000mA.S5的更多细节可以在下面看到。

  • S7 半导体激光器
    S7
    美国
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 760 to 830 nm 输出功率: 100 to 300 W 工作电压: 1.9 to 2.1 V 工作电流: 95 to 330 A

    来自Leonardo Electronics US的S7是激光二极管,其波长为760至830nm,输出功率为100至300W,工作电压为1.9至2.1V,工作电流为95至330A,阈值电流为10000至28000mA.S7的更多细节可以在下面看到。

  • S9 半导体激光器
    S9
    美国
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 760 to 830 nm 输出功率: 100 to 150 W 工作电压: 1.9 to 2.1 V 工作电流: 95 to 330 A

    Leonardo Electronics US的S9是激光二极管,其波长为760至830nm,输出功率为100至150W,工作电压为1.9至2.1V,工作电流为95至330A,阈值电流为10000至28000mA.S9的更多细节可以在下面看到。

  • 未装配的条状物 760 - 830 纳米 半导体激光器
    美国
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 830 to 1100 nm 输出功率: 20 to 80 W 工作电压: 1.85 to 2 V 工作电流: 20 to 90 A

    来自美国Leonardo Electronics的未安装的760-830nm棒是波长为830至1100nm的激光二极管,输出功率为20至80W,工作电压为1.85至2V,工作电流为20至90A,阈值电流为10000至28000mA.关于未安装的760-830 Nm钢筋的更多详细信息,请联系我们。

  • 未装配的芯片 760 - 830 纳米 半导体激光器
    美国
    工作模式: CW Laser 波长: 760 to 830 nm 输出功率: 0.5 to 8 W 工作电压: 1.8 to 2 V 工作电流: 0.5 to 8.5 A

    来自Leonardo Electronics US的未安装芯片760-830nm是波长为760至830nm的激光二极管,输出功率为0.5至8W,工作电压为1.8至2V,工作电流为0.5至8.5A,阈值电流为100至700mA.未安装芯片760-830纳米的更多细节可以在下面看到。

  • 未装配的芯片 830 - 1100 纳米 半导体激光器
    美国
    工作模式: CW Laser 波长: 760 to 830 nm 输出功率: 0.5 to 8 W 工作电压: 1.8 to 2 V 工作电流: 0.5 to 8.5 A

    来自Leonardo Electronics US的未安装芯片830-1100nm是波长为760至830nm的激光二极管,输出功率为0.5至8W,工作电压为1.8至2V,工作电流为0.5至8.5A,阈值电流为100至700mA.未安装芯片830-1100纳米的更多细节可以在下面看到。

  • 水冷激光二极管 760 - 830 纳米 半导体激光器
    美国
    工作模式: CW Laser 波长: 760 to 830 nm 输出功率: 0.5 to 8 W 工作电压: 1.85 V 工作电流: 90 to 105 A

    美国莱昂纳多电子公司(Leonardo Electronics US)生产的760-830nm水冷激光二极管是一种波长为760-830nm、输出功率为0.5-8W、工作电压为1.85V、工作电流为90-105A、阈值电流为15000mA的激光二极管。水冷激光二极管760-830纳米的更多细节可以在下面看到。

  • ADL-83Y51TL 半导体激光器
    德国
    厂商:Laser Components
    芯片技术: AlGaAs 工作模式: CW Laser 波长: 830 nm 输出功率: 250 mW 工作电压: 1.9 to 2.4 V

    ADL-83Y51TL是一种低成本解决方案,适用于任何需要具有纵向单模光束轮廓的强大NIR激光二极管的应用,例如相机支持的手势控制。二极管在830nm的NIR范围内发射,并且具有250mW的CW功率。在脉冲操作中,它可以过驱动到高达500 MW.该器件采用紧凑的TO-56密封外壳,允许工作温度高达60°C.该器件配有集成式监控光电二极管,用于功率控制和稳定。激光二极管是光源和工业应用的理想选择。

  • 强化4005 半导体激光器
    美国
    厂商:Intense Limited
    应用行业: production Process, Market Sectors, Defence and Security, Medical, Commercial, Industrial 工作模式: CW Laser 波长: 830 nm 输出功率: 5 mW 工作电压: 2 V

    Intense 4005是Intense Limited公司生产的波长为830nm、输出功率为5mW、工作电压为2V、工作电流为30mA的半导体激光器。有关Intense 4005的更多详细信息,请联系我们。

  • 强化4050 半导体激光器
    美国
    厂商:Intense Limited
    应用行业: production Process, Market Sectors, Defence and Security, Medical, Commercial, Industrial 工作模式: CW Laser 波长: 830 nm 输出功率: 50 mW 工作电压: 2.5 V

    Intense 4050是Intense Limited公司生产的波长为830nm、输出功率为50mW、工作电压为2.5V、工作电流为80mA的半导体激光器。有关Intense 4050的更多详细信息,请联系我们。

  • 46-412 波片
    美国
    分类:波片
    波片类型: Zero Order Waveplate 波长范围: 830 nm 迟滞: λ/4(quarter-wave) 波片厚度: 7.8 mm 镀膜材料: Laser V-Coat

    来自Edmund Optics的46-412是波长范围为830nm、波片厚度为7.8mm、波片直径(英寸)为1英寸、波片直径(mm)为25.4mm的波片。有关46-412的更多详细信息,请联系我们。

  • 46-413 波片
    美国
    分类:波片
    波片类型: Zero Order Waveplate 波长范围: 830 nm 迟滞: λ/2(half-wave) 波片厚度: 7.8 mm 镀膜材料: Laser V-Coat

    来自Edmund Optics的46-413是波长范围为830nm、波片厚度为7.8mm、波片直径(英寸)为1英寸、波片直径(mm)为25.4mm的波片。有关46-413的更多详细信息,请联系我们。

  • 49-215 波片
    美国
    分类:波片
    波片类型: Zero Order Waveplate 波长范围: 830 nm 迟滞: λ/2(half-wave) 波片厚度: 6.35 mm 结构: Birefringent Polymer Stack

    来自Edmund Optics的49-215是波长范围为830nm、波片厚度为6.35mm、波片直径(英寸)为1英寸、波片直径(mm)为25.4mm的波片。有关49-215的更多详细信息,请联系我们。

  • 49-224 波片
    美国
    分类:波片
    波片类型: Zero Order Waveplate 波长范围: 830 nm 迟滞: λ/4(quarter-wave) 波片厚度: 6.35 mm 结构: Birefringent Polymer Stack

    来自Edmund Optics的49-224是波长范围为830nm、波片厚度为6.35mm、波片直径(英寸)为1英寸、波片直径(mm)为25.4mm的波片。有关49-224的更多详细信息,请联系我们。

  • 65-907 波片
    美国
    分类:波片
    波片类型: Zero Order Waveplate 波长范围: 830 nm 迟滞: λ/4(quarter-wave) 波片厚度: 6 mm 镀膜材料: Laser V-Coat

    来自Edmund Optics的65-907是波长范围为830nm、波片厚度为6mm、波片直径(英寸)为1.2英寸、波片直径(mm)为30mm的波片。有关65-907的更多详细信息,请联系我们。

  • 65-908 波片
    美国
    分类:波片
    波片类型: Zero Order Waveplate 波长范围: 830 nm 迟滞: λ/2(half-wave) 波片厚度: 6 mm 镀膜材料: Laser V-Coat

    来自Edmund Optics的65-908是波长范围为830nm、波片厚度为6mm、波片直径(英寸)为1.2英寸、波片直径(mm)为30mm的波片。有关65-908的更多详细信息,请联系我们。

  • 85-027 波片
    美国
    分类:波片
    波片类型: Zero Order Waveplate 波长范围: 830 nm 迟滞: λ/4(quarter-wave) 波片厚度: 6.4 mm 镀膜材料: Laser V-Coat

    来自Edmund Optics的85-027是波长范围为830nm、波片厚度为6.4mm、波片直径(英寸)为0.5英寸、波片直径(mm)为12.7mm的波片。有关85-027的更多详细信息,请联系我们。

  • 85-043 波片
    美国
    分类:波片
    波片类型: Zero Order Waveplate 波长范围: 830 nm 迟滞: λ/2(half-wave) 波片厚度: 6.4 mm 镀膜材料: Laser V-Coat

    来自Edmund Optics的85-043是波长范围为830nm、波片厚度为6.4mm、波片直径(英寸)为0.5英寸、波片直径(mm)为12.7mm的波片。有关85-043的更多详细信息,请联系我们。

  • 100mW iFLEX-iRIS - 830nm 半导体激光器
    美国
    中心波长: 0.830um 输出功率: 100mW

    Qioptiq iFlex-IRIS™固态激光系统在小型化封装中提供高性能稳定性和低振幅噪声。它们非常适合集成到需要高性能但又需要保持小尺寸的仪器中。作为主动温度控制的结果,激光器是无跳模和波长稳定的。所有CW IFLEX-IRIS激光器均使用内部反馈回路在自动功率控制模式下工作。此功能提供高度稳定的输出功率,并确保在整个产品生命周期内保持高功率稳定性能。

  • 50mW 830nm iFLEX2000 光纤耦合激光器 半导体激光器
    美国
    中心波长: 0.830um 输出功率: 50mW

    IFLEX2000TM是一款紧凑型激光二极管系统,采用模块化单模光纤传输系统。作为主动温度控制的直接结果,激光器是无跳模和波长稳定的。闭环控制提供了长期的功率稳定性和通过外部输出信号监控功率的能力。激光到光纤耦合器的运动学设计为单模和保偏光纤设计提供了真正的“即插即用”优势。亚微米重复性和亚微弧度稳定性意味着系统可以是“工厂设置”,并且对于多次移除和插入操作是稳定的。激光和光纤系统还针对不匹配的激光模块进行了优化,从而为仪器设计提供了真正的模块化和易更换性。