• Imperx Cheetah C4080相机 CoaXPress 科学和工业相机
    美国
    厂商:Imperx
    传感器类型: CMOS # 像素(宽度): 4000 # 像素(高度): 3000 像素大小: 4.7um 峰值量子效率: 48%

    C4080 1200万像素相机采用ON Semiconductor KAC-12040 CMOS图像传感器,原始分辨率为4000 X 3000,采用4/3光学格式,每秒可提供高达67帧。它支持Camera Link®、POCL或USB3 Vision™(U3V)接口。宽动态范围技术与极其强大的光晕抑制相结合,即使在较严重的不受控制的照明应用中也能提供清晰的图像。Imperx Cheetah系列是先进个高性能CMOS产品系列,不仅用于机器视觉,还用于监视、侦察、航空航天和智能交通系统。这些相机具有非常快的帧速率、高分辨率、低噪声、宽动态范围和出色的近红外灵敏度。它们具有极其灵活的架构,因此一台摄像机可以完成多项工作(例如,一台低分辨率摄像机和一台高分辨率静态摄像机)。

  • InPhochelle 670 高分辨率、宽范围、高通量、紧凑型拉曼系统 光谱仪
    美国
    分类:光谱仪
    厂商:InPhotonics Inc
    激发波长: 670nm 范围: 3500 - 100 cm^-1 决议: 2cm^-1

    “Inphochelle”是一种紧凑型拉曼仪器,在整个光谱范围(200-3500cm-1)内提供高分辨率(低至2cm-1)。该设计采用快速f/2.8光学器件,以实现出色的吞吐量。光谱采集速度快,可重复性高。由于先进的活动部件是快门,因此该仪器非常坚固。3级冷却CCD的工作温度为-55°C,具有出色的灵敏度、光谱稳定性和低背景噪声。“Inphochelle”有两种标准配置可供选择,激光选择为670或785nm激发。该系统包括Inphotonics公司的数据采集包和在个人电脑、笔记本电脑或上网本上运行的GRAMS人工智能操作软件。较简单的配置利用Inphotonics Raman探针进行正常的化学表征。用于过程控制和高温应用的各种光纤拉曼探头支持更复杂的应用。

  • InPhochelle 785 高分辨率、宽范围、高通量、紧凑型拉曼系统 光谱仪
    美国
    分类:光谱仪
    厂商:InPhotonics Inc
    激发波长: 785nm 范围: 3500 - 100 cm^-1 决议: 2cm^-1

    “Inphochelle”是一种紧凑型拉曼仪器,在整个光谱范围(200-3500cm-1)内提供高分辨率(低至2cm-1)。该设计采用快速f/2.8光学器件,以实现出色的吞吐量。光谱采集速度快,可重复性高。由于先进的移动部件是快门,因此该仪器非常坚固耐用。3级冷却CCD在-55°C下工作,提供出色的灵敏度、光谱稳定性和低背景噪声。“Inphochelle”有两种标准配置,激光选择为670或785 nm激发。该系统包括Inphotonics公司的数据采集包和在个人电脑、笔记本电脑或上网本上运行的GRAMS人工智能操作软件。较简单的配置利用Inphotonics Raman探针进行正常的化学表征。用于过程控制和高温应用的各种光纤拉曼探头支持更复杂的应用。

  • IRSX系列智能红外摄像机 科学和工业相机
    相机类型: Industrial 阵列类型: Not Specified 光谱带: 7.5 - 13 um # 像素(高度): 640 # 像素(宽度): 512

    IRSX系列智能相机是市场上先进款智能、独立的热成像系统。作为一体化解决方案,IRSX相机将校准的热成像传感器与强大的数据处理单元相结合。它在坚固的IP67外壳中提供各种工业接口,小到足以适应较紧凑的空间。安装后,IRSX智能摄像机直接与您的机器、过程或PLC通信,成为另一个传感器。支持的各种通信协议也使IRSX相机成为物联网(Iot)应用的完美候选。

  • 激光二极管FIDL-100M-670D 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.670um 输出功率: 100mW

    FIDL-100M-670D是一种基于GaInAlP多量子阱结构的670nm半导体激光器。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FIDL-100M-670D是一种连续多模注入半导体激光器。它采用9毫米外壳,内置监控二极管。该激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FIDL-100M-675D-50N 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.675um 输出功率: 100mW

    FIDL-100M-675D-50N是一种基于GaInAlP多量子阱结构的675nm半导体激光器。低阈值电流和高斜率效率有助于低工作电流,从而提高可靠性。FIDL-100M-675D-50N是CW多模注入半导体激光二极管。它的供应规格为9毫米带内置监控二极管的外壳。该激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FIDL-15S-675D 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.675um 输出功率: 15mW

    FIDL-15S-675D是基于GaInAlP的675nm激光二极管MOCV法制备多量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FIDL-15S-675D是连续单模注入半导体激光器。它采用9mm SOT-148外壳,内置监控二极管。该激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FIDL-20S-675D 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.675um 输出功率: 20mW

    FIDL-20S-675D是基于GaInAlP的675nm激光二极管MOCVD法制备多量子阱结构低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FIDL-20S-675D是连续单模注入半导体激光器。它采用9mm SOT-148外壳,内置监控二极管。激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FIDL-250M-675D 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.675um 输出功率: 250mW

    FIDL-250M-675D是用MOCVD方法制备的基于GaInAlP多量子阱结构的675nm激光二极管。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FIDL-250M-675D是一种连续多模注入半导体激光器。它采用9毫米外壳,内置监控二极管。该激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FIDL-30M-675D 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.675um 输出功率: 30mW

    FIDL-30M-675D是基于GaInAlP多量子阱结构的675nm半导体激光器,采用MOCVD方法制备。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FIDL-30M-675D是CW多模注入半导体激光器。它采用9mm SOT-148外壳,内置监控二极管。本发明的激光二极管适用于各种光电子器件中系统。

  • 激光二极管FIDL-30S-675 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.675um 输出功率: 30mW

    FIDL-30S-675是基于GaInAlP的675nm激光二极管MOCVD法制备多量子阱结构低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FIDL-30S-675是一种连续单模注入半导体激光器。它采用9mmSOT-148外壳,内置监控二极管。该激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FIDL-500M-670C 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.670um 输出功率: 500mW

    FIDL-500M-670C是670nm AlGaInP/GaAs量子阱MOCVD半导体激光器结构低阈值电流和高斜率效率有助于低工作电流,从而提高可靠性。FIDL-500M-670C光源为连续多模式注入半导体激光二极管。它是供应的9毫米外壳,集成PD和TO-3外壳,内置监控光电二极管、TEC和热敏电阻,以稳定输出功率。本发明的激光二极管适用于各种光电子器件中系统。

  • 激光二极管FIDL-50M-675D-50N 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.675um 输出功率: 50mW

    FIDL-50M-675D-50N是一种基于GaInAlP多量子阱结构的675nm半导体激光器。低阈值电流和高斜率效率有助于低工作电流,从而提高可靠性。FIDL-50M-675D-50N是CW多模注入半导体激光二极管。它采用9mmSOT-148外壳,内置监控二极管。该激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FKLD-10S-670-60X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.670um 输出功率: 10mW

    FKLD-10S-670-60X是用MOCVD半导体激光器制备的670nm AlGaInP量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FKLD-10S-670-60X是一款CW单模注入半导体激光器,内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光器适用于激光模块和其他光电系统。

  • 激光二极管FKLD-10S-670-70X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.670um 输出功率: 10mW

    FKLD-10S-670-70X是670nm AlGaInP量子阱用MOCVD半导体激光器制作。低门槛电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FKLD-10S-670-70X是一款CW单模注入半导体激光器,内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光器适用于激光模块和其他光电系统。

  • 激光二极管fkld-5s-670-60x 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.670um 输出功率: 5mW

    FKLD-5S-670-60X是670nm AlGaInP量子阱用MOCVD半导体激光器制作。低门槛电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FKLD-5S-670-60X是一款CW单模注入半导体激光器,内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光器适用于激光模块和其他光电系统。

  • 激光二极管fkld-5s-670-70x 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.670um 输出功率: 5mW

    FKLD-5S-670-70X是用MOCVD半导体激光器制备的670nm AlGaInP量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FKLD-5S-670-70X是一款连续单模注入半导体激光器,内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光器适用于激光模块和其他光电系统。

  • 激光二极管ftld-1670-05s 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.670um 输出功率: 5mW

    FTLD-1670-05S是基于GaInAsP/InP PBC量子阱结构的1670nm激光器,采用MOCVD和LPE工艺制备。激光二极管的主要特点是高可靠性和ESD不敏感。FTLD-1670-05S是连续单模注入式半导体激光器。它采用SOT-148外壳,内置监控光电二极管和蝶形外壳,内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

  • 激光二极管ftld-1670-10s 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.670um 输出功率: 10mW

    FTLD-1670-10S是基于GaInAsP/InP PBC量子阱结构的1670nm半导体激光器,采用MOCVD和LPE工艺制备。激光二极管的主要特点是高可靠性和ESD不敏感。FTLD-1670-10S是连续单模注入式半导体激光器。它采用SOT-148外壳,内置监控光电二极管和蝶形外壳,内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

  • 激光二极管源FOSS-01-3S-4/125-670-S-1 半导体激光器
    加拿大
    厂商:OZ Optics
    激光类型: Continuous Wave (CW) 纤维类型: Single Mode 波长: 670nm 输出功率: 1mW 纤维芯直径: 4um

    OZ Optics生产各种波长的光纤激光二极管光源。插座样式的源提供了广泛的插座,而尾纤式光源提供保偏、单模或多模光纤输出选择。每个信号源的前面板上都有一个低电量指示灯。