EP760-DM-BC激光二极管模块是一款经济高效的高相干激光源。采用专利的分立模（类DFB）脊波导技术和外延结构设计，实现了波长为760nm的InP基应变量子阱激光二极管光源，具有高的SMSR。分立模块激光二极管芯片采用行业标准的密封14针蝶形封装，配有热电冷却器（TEC）和热敏电阻。

BWT Beijing'的高功率二极管激光模块采用专门的光纤耦合技术制造，产品具有高效率、稳定性和卓越的光束质量。这些产品是通过使用特殊的微光学器件将来自激光二极管芯片的非对称辐射转换为具有小芯径的输出光纤来实现的。每一个环节的检测和老化程序都是为了保证每一件产品的可靠性、稳定性和长寿命，我们的研发人员在生产过程中，根据长期积累的专业知识和经验，不断改进和创新加工工艺。我们还不断开发新产品，以满足客户的特定需求。在BWT北京，以合理的价格提供高质量的产品是我们一贯的目标。

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DX风冷紫外/绿光系列纳秒系列是较紧凑、较高效的风冷紫外和绿光二极管泵浦固态（DPSS）Q开关激光器。单芯片多功能一体（AIO）NS紫外和绿光激光器设计集成了较小基底面、较轻重量、较高平均功率、较短脉冲宽度等特性，可实现高峰值功率。所有这些与丰富的标准软件功能结合在一个单一的软件包中，满足了客户的需求，具有易于处理、高质量工艺优化、高产量、不打折扣的工艺质量和24/7应用的长期稳定性以及低拥有成本（COO）等优势。

E-CAM130_CUMI1820_模块是一款1300万像素的MIPI相机模块。这款小型1300万像素相机模块配有S卡口镜头支架。它基于Aptina™/ON Semiconductor®的1800万像素CMOS图像传感器AR1820HS，板载专用高性能图像信号处理器芯片（ISP），可执行所有自动功能（自动白平衡、自动曝光控制），此外还有完整的图像信号处理流水线，可提供同类较佳的图像和视频以及可选的MJPEG压缩。虽然AR1820HS是一款1800万像素的图像传感器，但E-CAM130_CUMI1820_模块仅支持高达1300万像素的分辨率。

E-CAM55_CUMI0521_模块是一款基于ON Semiconductor®AR0521 CMOS图像传感器的小型500万像素定焦相机模块，具有板载专用高性能图像信号处理器芯片（ISP），可执行所有自动功能（自动白平衡、自动曝光控制），此外还具有完整的图像信号处理管道，可提供同类较佳的图像和视频。这款低光摄像头模块可以以75 FPS的速度传输未压缩的VGA（640 X 480），以100 FPS的速度传输高清（1280 X 720），以75 FPS的方式传输1280 X 960，以65 FPS的方式传输全高清（1920 X 1080），以38 FPS的频率传输2560 X 1440，以28 FPS的频率传输2592 X 1944。

EP1512-DM-TP39定制激光二极管模块是一款高性价比、高相干激光源。应变多量子阱分立模式（DM）激光二极管芯片封装在工业标准密封TO39罐中，集成了热电冷却器（TEC）和热敏电阻。

GaAs基锥形放大器用于现有种子激光器的放大。10mW和30mW之间的种子功率可以被放大到接近2000W的衍射极限功率值。这种设置称为MOPA（主振荡器功率放大器）。后端面和前端面都具有小于0.01%的抗反射涂层，以避免放大器芯片本身的激光作用。具有锥形放大器的MOPA装置的应用实例是光学冷却、高分辨率吸收的光阱或拉曼光谱。

GaAs基锥形放大器用于极端谐振器配置中，以将高达2000W的近衍射极限输出功率与小谱线宽度和高边模抑制比相结合。它们的后端面具有小于0.01%的高抗反射涂层，以保证与光栅的良好耦合。前表面具有抗反射涂层，以保护芯片不受背向反射的影响。典型的应用是高分辨率吸收光谱或非线性倍频。

GaAs基锥形放大器用于现有种子激光器的放大。10mW和30mW之间的种子功率可以被放大到接近2000W的衍射极限功率值。这种设置称为MOPA（主振荡器功率放大器）。后端面和前端面都具有小于0.01%的抗反射涂层，以避免放大器芯片本身的激光作用。具有锥形放大器的MOPA装置的应用实例是光学冷却、高分辨率吸收的光阱或拉曼光谱。

GaAs基锥形放大器用于极端谐振器配置中，以将高达2000mW的近衍射极限输出功率与小谱线宽度和高边模抑制比相结合。它们的后端面具有小于0.01%的高抗反射涂层，以保证与光栅的良好耦合。前表面具有抗反射涂层，以保护芯片不受背向反射的影响。典型的应用是高分辨率吸收光谱或非线性倍频。

GaAs基锥形放大器用于现有种子激光器的放大。10mW和30mW之间的种子功率可以被放大到接近1000W的衍射极限功率值。这种设置称为MOPA（主Oszillator功率放大器）。后端面和前端面都具有小于0.01%的抗反射涂层，以避免放大器芯片本身的激光作用。具有锥形放大器的MOPaseTUP的应用实例是光学冷却、高分辨率吸收的光学陷阱或拉曼光谱。

GaAs基锥形放大器用于极端谐振器配置中，以将高达1000W的近衍射极限输出功率与小谱线宽度和高边模抑制比相结合。它们的后端面具有小于0.01%的高抗反射涂层，以保证与光栅的良好耦合。前表面具有抗反射涂层，以保护芯片不受背向反射的影响。典型的应用是高分辨率吸收光谱或非线性倍频。

GaAs基锥形放大器用于现有种子激光器的放大。10mW和30mW之间的种子功率可以被放大到接近2000W的衍射极限功率值。这种设置称为MOPA（主振荡器功率放大器）。后端面和前端面都具有小于0.01%的抗反射涂层，以避免放大器芯片本身的激光作用。具有锥形放大器的MOPA装置的应用实例是光学冷却、高分辨率吸收的光阱或拉曼光谱。

GaAs基锥形放大器用于极端谐振器配置中，以将高达2000W的近衍射极限输出功率与小谱线宽度和高边模抑制比相结合。它们的后端面具有小于0.01%的高抗反射涂层，以保证与光栅的良好耦合。前表面具有抗反射涂层，以保护芯片不受背向反射的影响。典型的应用是高分辨率吸收光谱或非线性倍频。

GaAs基锥形放大器用于现有种子激光器的放大。10mW和30mW之间的种子功率可以被放大到接近1000W的衍射极限功率值。这种设置称为MOPA（主振荡器功率放大器）。后端面和前端面都具有小于0.01%的抗反射涂层，以避免放大器芯片本身的激光作用。具有锥形放大器的MOPA装置的应用实例是光学冷却、高分辨率吸收的光阱或拉曼光谱。

GaAs基锥形放大器用于极端谐振器配置中，以将高达2000W的近衍射极限输出功率与小谱线宽度和高边模抑制比相结合。它们的后端面具有小于0.01%的高抗反射涂层，以保证与光栅的良好耦合。前表面具有抗反射涂层，以保护芯片不受背向反射的影响。典型的应用是高分辨率吸收光谱或非线性倍频。

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GaAs基锥形放大器用于极端谐振器配置中，以将高达2000W的近衍射极限输出功率与小谱线宽度和高边模抑制比相结合。它们的后端面具有小于0.01%的高抗反射涂层，以保证与光栅的良好耦合。前表面具有抗反射涂层，以保护芯片不受背向反射的影响。典型的应用是高分辨率吸收光谱或非线性倍频。