• HL63520HD 半导体激光器
    日本
    厂商:牛尾
    芯片技术: AIGaInP 工作模式: CW / Pulse Laser 波长: 638 nm 工作电压: 2.4 to 2.8 V 阈值电流: 570 to 750 mA

    Ushio Opto Semiconductors的HL63520HD是一款638 nm AlGaInP激光二极管。该激光二极管在-10°C至45°C的工作温度范围内提供了3.5W的脉冲光输出功率(脉冲周期=120 Hz,占空比=30%),在55°C的工作温度上限下实现了2.5W的脉冲光输出功率。即使在CW操作中,红色激光二极管也实现了2.4W的光输出功率,并实现了超过20,000小时的MTTF.它可以在脉冲和CW操作模式下集成到投影仪中。它采用9 mm TO-CAN封装,非常适合激光投影仪和光学设备应用。

  • HL63623HD 半导体激光器
    日本
    厂商:牛尾
    工作模式: CW/Pulsed Laser 波长: 632 to 644 nm 输出功率: 1.6 to 1.9 W 工作电压: 2.25 to 2.8 V 工作电流: 1550 to 1850 mA

    Ushio Opto Semiconductors的HL63623HD是AlGaInP单发射极激光二极管,输出波长为638 nm.它产生1.9W的脉冲输出功率和1.6W的连续输出功率,墙壁插头效率为43%。该多横模激光二极管分别具有10度(平行)和33度(垂直)的光束发散度。它的反向电压为2 V,阈值电流高达420 mA.该红色激光二极管需要2.25 V的直流电源,消耗高达1550 mA的电流。它采用9 mm的CAN封装,是激光投影仪、激光模块和激光电视应用的理想选择。

  • HL65241DG 半导体激光器
    日本
    厂商:牛尾
    工作模式: CW 波长: 660 nm 输出功率: 110 to 220 W 工作电压: 2.45 to 3.0 V 工作电流: 145 to 225 mA

    Ushio Opto Semiconductors的HL65241DG是一款工作波长为652至665 nm的AlGaInP红色激光二极管。它提供110mW的连续光功率和220mW的脉冲光功率。该单横模激光二极管具有30V的反向电压和60mA的阈值电流。该器件采用5.6 mm的DG封装,非常适合光学设备光源和传感器应用。

  • HL65242DG 半导体激光器
    日本
    厂商:牛尾
    工作模式: CW 波长: 660 nm 输出功率: 110 to 220 W 工作电压: 2.45 to 3.0 V 工作电流: 145 to 225 mA

    Ushio Opto Semiconductors的HL65242DG是一款工作波长为652至665 nm的AlGaInP红色激光二极管。它提供110mW的连续光功率和220mW的脉冲光功率。该单横模激光二极管具有30V的反向电压和60mA的阈值电流。它采用5.6 mm的DG封装,是光学设备和传感器应用的理想光源。

  • QL63D43A/B 半导体激光器
    工作模式: CW Laser 波长: 635 nm 输出功率: 5 mW 工作电压: 2.3 V 工作电流: 30 mA

    来自Quantum Semiconductor International的QL63D43A/B是连续波红色激光二极管,工作波长为635 nm,斜率效率为0.65 MW.该单个横向激光二极管提供5mW的光输出功率。它的平行光束发散度为8度,垂直光束发散度为34度。这款QL63D43A/B需要21 mA的阈值电流、30 mA的工作电流和30 V的反向电压。它采用3.3 mm TO-CAN封装,非常适合光学水平仪、激光模块和条形码读取器应用。

  • QL63D4SA/B/C 半导体激光器
    工作模式: CW Laser 波长: 635 nm 输出功率: 5 mW 工作电压: 2.2 V 工作电流: 32 mA

    Quantum Semiconductor International生产的QL63D4SA/B/C是一款连续波红色激光二极管,工作波长为635 nm.该单个横向激光二极管提供5mW的光输出功率。它具有8度的平行光束发散角和35度的垂直光束发散角。QL63D4SA/B/C需要24 mA的阈值电流、32 mA的工作电流和30 V的反向电压。它采用5.6 mm TO-CAN封装,非常适合光学水平仪和激光指示器应用。