数码相机模块具有130万像素分辨率，可与SOM LVDS接口（彩色）直接连接。VM-009-LVDS配备了AptinAMT9M131彩色CMOS传感器。该传感器具有用于图像校正和增强的集成预处理单元（IFP-图像流处理器）。SoC架构还支持图像数据转换。因此，有六种不同的8位图像格式可用。

数码相机模块，具有130万像素分辨率，可直接连接SOM接口（单色）。VM-010-BW可直接连接到并行处理器摄像头接口。所有具有PHYCAM-P连接的PHYTEC PCB（例如，所有具有OMAP和I.MX处理器的SOM）都可以通过电缆直接连接传感器板。所有摄像头驱动程序和演示程序均已在相应SOM的板卡支持包中实现。

具有W-VGA分辨率的数码相机模块，可直接连接SOM接口（单色）。VM-010-BW-LVDS配备Aptina单色CMOS传感器MT9V024，提供8位灰度分辨率的数据。VM-0010-BW-LVDS配有串行PHYCAM-S+接口。它可以直接连接到SOM LVDS摄像头接口。所有PHYTEC PHYCARD和PHYFLEX SOM都提供此接口，该接口在PCB上实现。

具有W-VGA分辨率的数码相机模块，可直接连接SOM接口（彩色）。VM-010-COL-LVDS配备AptinAMT9V024彩色CMOS传感器。图像数据格式为8位拜耳模式。该相机模块配备了SerialPhyCam-S+接口。它可以直接连接到SOM LVDS摄像头接口。所有PHYTEC PHYCARD和PHYFLEX SOM都提供此接口，该接口在PCB上实现。

具有W-VGA分辨率的数码相机模块，可直接连接SOM接口（彩色）。VM-010-COL可直接连接到并行处理器摄像头接口。所有具有PHYCAM-P连接的PHYTEC PCB（例如，所有具有OMAP和I.MX处理器的SOM）都可以通过电缆直接连接传感器板。所有摄像头驱动程序和演示程序均已在相应SOM的板卡支持包中实现。

数码相机模块具有500万像素分辨率，可与SOM接口（单色）直接连接。VM-011-BW配备了Aptina单色CMOS传感器MT9P031。Aptina的DigitalClarity技术可提供出色的图像质量。500万像素分辨率（2592H X 1944V）专为需要高分辨率图像的应用而设计。

数码相机模块具有500万像素分辨率，可直接连接SOM接口（彩色）。VM-011-COL配备了Aptina MT9P006彩色CMOS传感器。Aptina的DigitalClarity技术可提供出色的图像质量。500万像素分辨率（2592H X 1944V）专为需要高分辨率图像的应用而设计。

具有500万像素分辨率的数码相机模块，可直接连接LVDS SOM接口（彩色）。VM-011-COL-LVDS配备了Aptina MT9P006彩色CMOS传感器。Aptina的DigitalClarity技术可提供出色的图像质量。500万像素分辨率（2592H X 1944V）专为需要高分辨率图像的应用而设计。

数码相机模块，具有130万像素分辨率，可直接连接SOM接口（单色）。VM-012-BW配备了席恩半导体单色CMOS传感器VITA 1300。该传感器具有全局和滚动快门（可调）。即使在近红外范围（NIR）内，该传感器也具有高达4.6 V/Lux-s的高灵敏度。

数码相机模块，具有130万像素分辨率，可直接连接LVDS SOM接口（单色）。VM-012-BW-LVDS配备了席恩半导体单色CMOS传感器VITA 1300。该传感器具有全局和滚动快门（可调节）。即使在近红外范围（NIR），该传感器也具有高达4.6 V/Lux-s的高灵敏度。由于分辨率降低，读出速度可以提高。因此，在VGA分辨率下，帧速率可以高达150fps。客户可以定义多达8个感兴趣区域（ROI），并仅传输这些区域所需的像素。

我们的NativeWide Dynamic Range™传感器基于新一代专利CMOS成像技术，即使在非常宽的内部动态范围（>140dB）下，也能在单帧时间内生成高度稳定的图像。原生WDRI可用于硅基器件（可见CMOS传感器），现在可用于InGaAs2D探测器（短波红外传感器）。NativeWDR™成像传感器即使在高工作温度（高于90ºC）下也能提供清晰锐利的图像，而不会产生像素伪像。

我们的原生Wide Dynamic Range™传感器基于新一代专利CMOS成像技术，即使在非常宽的场景内动态范围（>140dB）下，也能在单帧时间内生成高度稳定的图像。原生WDR可用于硅基器件（可见CMOS传感器），现在可用于InGaAs 2D探测器（短波红外传感器）。原生WDR™成像传感器即使在高工作温度（高于90ºC）下也能提供锐利清晰的图像，而不会产生像素伪像。

我们的原生Wide Dynamic Range™传感器基于新一代专利CMOS成像技术，即使在非常宽的场景内动态范围（>140dB）下，也能在单帧时间内生成高度稳定的图像。原生WDR可用于硅基器件（可见CMOS传感器），现在可用于InGaAs 2D探测器（短波红外传感器）。原生WDR™成像传感器即使在高工作温度（高于90ºC）下也能提供锐利清晰的图像，而不会产生像素伪像。

我们的原生Wide Dynamic Range™传感器基于新一代专利CMOS成像技术，即使在非常宽的场景内动态范围（>140dB）下，也能在单帧时间内生成高度稳定的图像。原生WDR可用于硅基器件（可见CMOS传感器），现在可用于InGaAs 2D探测器（短波红外传感器）。原生WDR™成像传感器即使在高工作温度（高于90ºC）下也能提供锐利清晰的图像，而不会产生像素伪像。

我们的原生Wide Dynamic Range™传感器基于新一代专利CMOS成像技术，即使在非常宽的场景内动态范围（>140dB）下，也能在单帧时间内生成高度稳定的图像。原生WDR可用于硅基器件（可见CMOS传感器），现在可用于InGaAs 2D探测器（短波红外传感器）。原生WDR™成像传感器即使在高工作温度（高于90ºC）下也能提供锐利清晰的图像，而不会产生像素伪像。

我们的原生Wide Dynamic Range™传感器基于新一代专利CMOS成像技术，即使在非常宽的场景内动态范围（>140dB）下，也能在单帧时间内生成高度稳定的图像。原生WDR可用于硅基器件（可见CMOS传感器），现在可用于InGaAs 2D探测器（短波红外传感器）。原生WDR™成像传感器即使在高工作温度（高于90ºC）下也能提供锐利清晰的图像，而不会产生像素伪像。

我们的原生Wide Dynamic Range™传感器基于新一代专利CMOS成像技术，即使在非常宽的场景内动态范围（>140dB）下，也能在单帧时间内生成高度稳定的图像。原生WDR可用于硅基器件（可见CMOS传感器），现在可用于InGaAs 2D探测器（短波红外传感器）。原生WDR™成像传感器即使在高工作温度（高于90ºC）下也能提供锐利清晰的图像，而不会产生像素伪像。

我们的原生Wide Dynamic Range™传感器基于新一代专利CMOS成像技术，即使在非常宽的场景内动态范围（>140dB）下，也能在单帧时间内生成高度稳定的图像。原生WDR可用于硅基器件（可见CMOS传感器），现在可用于InGaAs 2D探测器（短波红外传感器）。原生WDR™成像传感器即使在高工作温度（高于90ºC）下也能提供锐利清晰的图像，而不会产生像素伪像。

我们的原生Wide Dynamic Range™传感器基于新一代专利CMOS成像技术，即使在非常宽的场景内动态范围（>140dB）下，也能在单帧时间内生成高度稳定的图像。原生WDR可用于硅基器件（可见CMOS传感器），现在可用于InGaAs 2D探测器（短波红外传感器）。原生WDR™成像传感器即使在高工作温度（高于90ºC）下也能提供锐利清晰的图像，而不会产生像素伪像。

我们的原生Wide Dynamic Range™传感器基于新一代专利CMOS成像技术，即使在非常宽的场景内动态范围（>140dB）下，也能在单帧时间内生成高度稳定的图像。原生WDR可用于硅基器件（可见CMOS传感器），现在可用于InGaAs 2D探测器（短波红外传感器）。原生WDR™成像传感器即使在高工作温度（高于90ºC）下也能提供清晰锐利的图像，而不会产生像素伪像。