• 4PN-101 半导体激光器
    美国
    应用行业: Military, Space, Medical 工作模式: CW Laser 波长: 1450 nm 输出功率: 3.8 W 工作电压: 1.6 V

    Seminex的4PN-101是一款4针光纤耦合激光模块,工作波长为1450 nm,可提供4 W的CW输出功率。多模激光器具有10nm的光谱宽度。该激光器需要1.6 V电源,阈值电流为0.5 A.它采用高功率Seminex激光二极管芯片,与光电二极管或热敏电阻一起安装在方便的低成本封装中。该封装采用105/125.22NA光纤和SMA 905连接器。该激光模块适用于OEM医疗、DPSS泵浦源、激光雷达、自由空间通信和军事/航空航天应用。

  • ARR291P1800 半导体激光器
    美国
    厂商:Northrop Grumman
    应用行业: Direct Diode Applications 巴条配置: Vertical Stack 工作模式: Pulsed Laser 波长: 808 nm 输出功率: 0 to 1800 W

    诺斯罗普·格鲁曼公司的ARR291P1800是8/10/12激光二极管条堆叠的激光二极管阵列,工作波长为790至1550 nm.它的准连续输出功率为1800 W(每巴150 W),斜率效率为15 W/A,电光效率为55%。该激光器阵列具有高达38×7°的光束发散角和0.5-300ms的脉冲持续时间。它采用硬AuSn焊料和膨胀匹配材料组装,以提高可靠性,并通过非去离子标准过滤水进行冷却,使安装和维护更具成本效益和时间效率。该激光器具有快轴和慢轴准直透镜选项。它需要24 V的直流电源,消耗140 A的电流。该激光阵列采用H封装,非常适合材料处理、激光雷达、激光喷丸、钛泵、激光切割和直接二极管应用,如脱毛和塑料焊接。

  • ASM232P200 半导体激光器
    美国
    厂商:Northrop Grumman
    应用行业: Industrial, Scientific 工作模式: CW Laser, Pulsed Laser 波长: 808 nm 输出功率: 200 W 工作电压: 2 V

    诺斯罗普·格鲁曼公司的ASM232P200是一个工作波长为808nm的激光二极管子模块。它产生200W(每巴)的最小QCW(准连续波)输出功率,并且具有2.5nm的光谱宽度。这种激光二极管是基于专有的硬焊料技术与扩展匹配的材料。它具有15 A的阈值电流,并提供长脉冲和/或高占空比。该激光二极管需要2 V的直流电源并消耗180 A的电流。它采用Golden Bullet封装,尺寸为394 X 250 X 68 mm,是材料加工、Ti:S泵浦、激光雷达、激光切割和激光喷丸应用的理想选择。

  • BMU100/120-976S-02-R 半导体激光器
    波长: 976 nm 输出功率: up to 120 W 工作电压: 30 V 工作电流: 10 A 阈值电流: 500 to 700 mA

    II-VI Incorporated的BMU100/120-976S-02-R是976 nm泵浦激光模块,具有高达120 W的波长稳定输出功率。该模块采用新一代多模激光二极管,具有E2前镜钝化功能,可防止激光二极管端面发生灾难性光学损伤(COD)。激光二极管串联连接,以实现快速电流切换。该模块包括一个反馈保护滤波器,可保护激光二极管免受有害的光纤激光器波长反馈光的影响。精确的波长稳定性减少了激光系统的预热时间和维护,提高了生产率。这种波长稳定的泵浦激光器模块是超快光纤激光器泵浦、超连续谱、医疗、分析和直接应用的理想选择。

  • HPC 50W 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: CW Laser, Pulsed Laser 工作电压: 1.5 to 1.65 V 工作电流: 50 to 55 A 阈值电流: 4 to 4.7 A

    II-VI Incorporated的HPC 50W是一种多发射器激光二极管,工作波长为915、940、980、1030或1060 nm.它的输出功率为50W,功率转换效率超过60%,斜率效率为1–1.1W/A.该激光二极管的光谱宽度可达4nm,在FWHM处的光束发散角为5.5度(平行)和26度(垂直)。它的填充因子为18%,波长温度系数为0.3 nm/℃。该TE偏振激光二极管具有10个发射极,发射极间距为500μm,发射极宽度为90μm.HPC 50W符合RoHS规范,具有单量子阱MBE结构。即使在极高的输出功率下,专有的E2前镜钝化工艺也可防止激光二极管端面的灾难性光学损伤(COD)。低于1μm的低线栅微笑值和小发射极宽度提高了光纤耦合效率,特别是对于低纤芯直径。5.4 mm激光二极管半条安装在扩展匹配的底座上,采用传导冷却的铜块封装,在CW和脉冲工作模式下提供卓越的可靠性。HPC 50W需要4-4.7 A的阈值电流和消耗50-55 A电流的1.5-1.65 V直流电源。这款激光二极管采用尺寸为24.9 X 24.9 X 14.19 mm的封装,非常适合材料加工(焊接、切割等)、准直固态激光泵浦、光纤激光泵浦、印刷和医疗应用。

  • 季风系列 半导体激光器
    工作模式: CW Laser 激光颜色: Infrared 堆栈/阵列: Array/Stack 类型: Free Space Laser Diode RoHS: Yes

    II-VI Incorporated的Monsoon系列是模块化激光二极管棒,工作波长为795至1060 nm.它们提供可堆叠的40/50 W棒材、80/100 W棒材和200 W棒材,以提供与应用相匹配的模块化灵活性。这些模块化棒可以使用紧凑的框架垂直堆叠,该框架可提供高达6 kW的功率、高达1600 W的功率(使用无框架)或高达300 W的功率(使用水平阵列)。它们的光谱宽度(FWHM)为2.5或5 nm,功率效率高达60%。Monsoon系列激光二极管条基于专有的E2前镜钝化工艺,即使在极高的输出功率下,也能防止激光二极管面的灾难性光学损伤(COD)。它们采用硬焊技术,可为要求苛刻的应用提供卓越的可靠性,并在CW或QCW工作条件下实现高功率输出,而不会牺牲使用寿命。这些激光二极管棒还具有主动季风微通道冷却器,以提供用于垂直和水平堆叠的可扩展平台。它们采用尺寸为38.9 X 10.9 mm X 10 mm的模块,非常适合固态激光泵浦、直接应用,如材料加工(塑料焊接、热处理、退火、硬化等)、印刷和复印、医疗、生命和健康科学、国防和安全以及照明应用。

  • SES12-9xx-03 半导体激光器
    技术: Quantum Well 输出功率: 12 W 工作电压: 1.7 V 工作电流: < 12 A 阈值电流: 550 mA

    II-VI Incorporated的SES12-9xx-03是一款单发射器激光二极管,工作波长为915 nm、940 nm和975 nm.它提供高达12 W的输出功率,并具有4 nm的光谱宽度(FWHM)。该激光器需要1.7 V的直流电压,阈值电流高达550 mA.它的设计采用了专有的E2前镜钝化工艺,可防止灾难性的光学损伤(COD)。激光二极管的尺寸为400 X 150 X 90µm,非常适合光纤激光器泵浦、材料加工和医疗应用。

  • SES22-9xx-01 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: CW Laser 输出功率: 22 W 激光颜色: Infrared 类型: Free Space Laser Diode

    II-VI SES22-9xx-01单发射器激光二极管系列旨在为下一代光纤激光器和其他高功率激光二极管应用的200mm纤芯光纤泵浦配置提供最高的输出功率和效率。即使在极高的输出功率下,专有的E2前镜钝化工艺也可防止激光二极管端面的灾难性光学损伤(COD)。单发射极激光二极管的P面朝下安装在优化的基台上,热阻非常低。该系列可提供915、940和975 nm的标准波长(其他可根据要求提供)。激光二极管是光纤激光器泵浦、材料加工、印刷和医疗应用的理想选择。

  • FPL-1650-14BF 半导体激光器
    俄罗斯
    厂商:Nolatech
    工作模式: CW Laser, Pulsed Laser 波长: 1620 to 1650 nm 输出功率: 0.02 W 工作电压: 2.5 V 工作电流: 0.15 to 0.2 A

    FPL-1650-14BF-200是200 MW单模激光二极管模块,设计用于光学测量和通信。该激光器采用14引脚标准蝶形封装,配有监控光电二极管和热电冷却器(TEC)。模块尾纤为0.7-1.0米单模保偏光纤,并通过FC/PC连接器连接。

  • ADL-94Y01EY-F2 半导体激光器
    德国
    厂商:Laser Components
    工作模式: CW Laser 输出功率: 0.2 W 工作电压: 1.9 V 工作电流: 0.35 to 0.4 A 阈值电流: 45 to 65 mA

    Laser Components的ADL-94Y01EY-F2是一款940nm红外激光二极管,可提供220 MW的光输出功率。该激光器需要45mA的阈值电流。它采用3.5 X 3.5 X 0.75 mm表面贴装封装,非常适合激光测距、光纤激光器泵浦和3D传感应用。

  • GS-905系列 半导体激光器
    德国
    厂商:Laser Components
    应用行业: Scientific, Industrial, Military 工作模式: Pulsed Laser 波长: 895 to 915 nm 输出功率: 15 to 89 W 工作电压: 15 to 80 V

    Laser Components的GS-905系列是905 nm三结脉冲激光二极管,可提供80 W的输出功率。它们的脉冲宽度为2.5 ns,脉冲频率高达200 kHz.这些激光二极管采用密封TO-56封装,是快速可靠的激光测距应用(LIDAR)和扫描仪的理想选择,适用于安全、航空航天和汽车应用。该模块在小型密封封装内集成了大电流开关、电荷存储电容器和脉冲激光二极管。该封装有一个独立于信号和电源回路的接地引脚。

  • QS-905系列 半导体激光器
    德国
    厂商:Laser Components
    工作模式: Pulsed 波长: 905 nm 输出功率: 12 to 89 W 工作电压: 15 to 80 VDC 类型: Free Space Laser Diode

    来自Laser Components的QS-905系列是905 nm三结脉冲激光二极管,提供高达80 W的输出功率。它具有2.5 ns的脉冲宽度和高达200 kHz的脉冲频率。这款超紧凑模块在小型密封封装内包含高电流开关、电荷存储电容器和脉冲激光二极管。它采用TO-56封装(5引脚),非常适合激光雷达、激光扫描、军事、机器人和汽车应用。该封装有一个独立于信号和电源回路的接地引脚。

  • QLD1161-8030 半导体激光器
    日本
    厂商:QD Laser
    技术: Distributed Feedback Laser (DFB) 工作模式: CW Laser, Pulsed Laser 波长: 1180 nm 输出功率: 0.03 W 类型: Fiber-Coupled Laser Diode

    QD Laser的QLD1161-8030是一款分布式反馈(DFB)激光二极管,工作波长为1180 nm.它提供30 MW的光输出功率,需要1.7 V的直流电源。该激光二极管具有光隔离器、监视器PD和内置热电冷却器(TEC)。它需要30 mA的阈值电流,并消耗150 mA的电流。该激光二极管采用光纤尾纤14引脚蝶形封装,尺寸为34 X 20 X 7.4 mm,光纤直径为900/250μm,带FC/APC或套圈连接器。它是SHG以及科学、工业和传感应用的理想种子源。

  • QLD1261-4005 半导体激光器
    日本
    厂商:QD Laser
    技术: Distributed Feedback Laser (DFB) 工作模式: CW Laser, Pulsed Laser 波长: 1240 nm 输出功率: 10 mW 工作电压: 1.5 V

    QD Laser的QLD1261-4005是一款分布反馈(DFB)激光二极管,工作峰值波长为1240 nm.它的光输出功率为10 MW,偏振消光比为20 dB.该激光二极管具有集成的光隔离器、监视器PD和热电冷却器。它需要7 mA的阈值电流,并且具有高达2 V的反向电压。该激光二极管消耗50 mA的电流。该器件采用14引脚蝶形封装,带尾纤和TEC,是传感、测试和测量应用的理想选择。

  • LU0977M250。 半导体激光器
    德国
    厂商:Lumics GmbH
    工作模式: CW Laser, Pulsed Laser 波长: 976 to 978 nm 输出功率: 0.25 W 工作电压: 1.7 to 1.8 V 工作电流: 0.44 to 0.54 A

    LUMICS的LU0977M250是一款单模光纤尾纤GaAs激光二极管模块,工作峰值波长为977 nm.它在CW/脉冲模式下工作,光谱宽度(FWHM)高达1 nm,上升/下降时间为2 ns.该激光二极管模块的阈值电流为65mA,正向电压为1.67V,功耗高达250mW.该器件采用激光焊接密封封装,尺寸为29.7 X 7.37 X 4.9 mm,非常适合泵浦、光纤激光器播种机、倍频和传感器应用。

  • e18.1350940105 半导体激光器
    美国
    应用行业: Material Processing, Laser Pumping 波长: 940 nm 输出功率: up to 135 W 工作电压: 24.3 to 26.3 V 工作电流: 14 A

    来自nLight Corporation的E18.1350940105是在940nm的波长下工作的单发射器激光二极管。它产生135 W的连续输出功率,电光转换效率为40%。该激光器的光谱宽度(FWHM)为4nm,阈值电流为0.5A,光纤芯径为105μm,长度为2m.该激光二极管将nLight的高亮度NXLT高功率单发射二极管与专有光学设计相结合,以实现高效可靠的光纤耦合。E18.1350940105需要24.3 V的直流电源,并消耗14 A的电流。该模块尺寸为97 X 76 X 14 mm,是光纤激光器泵浦、固态激光器泵浦和直接二极管材料加工应用的理想选择。

  • DBR780PN 半导体激光器
    美国
    厂商:索雷博
    技术: Distributed-Bragg-Reflector (DBR) 波长: 779 to 783 nm 输出功率: 40 to 45 mW 工作电流: 0.25 A 阈值电流: 60 mA

    来自Thorlabs的DBR780PN是一种单频激光二极管,在781nm波长下工作时可提供45mW的输出功率。该分布式布拉格反射器(DBR)激光器包括集成光隔离器、热电冷却器(TEC)、热敏电阻和监控光电二极管。它采用14针蝶形封装,配有PM780-HP保偏光纤和FC/APC连接器,该连接器与光纤的慢轴对齐。激光二极管非常适合作为铷原子钟、二次谐波产生、双光子吸收和时间分辨荧光光谱的低噪声泵浦源。

  • DBR795PN 半导体激光器
    美国
    厂商:索雷博
    技术: Distributed-Bragg-Reflector (DBR) 波长: 793 to 797 nm 输出功率: 35 to 40 mW 工作电流: 230 mA 阈值电流: 55 mA

    来自Thorlabs的DBR795PN是一款单频激光二极管,可在795nm波长下提供40mW的输出功率。该分布式布拉格反射器(DBR)包括集成的光隔离器、热电冷却器(TEC)、热敏电阻和监控光电二极管。它采用14针蝶形封装,配有PM780-HP保偏光纤和FC/APC连接器,该连接器与光纤的慢轴对齐。激光二极管非常适合于低噪声泵浦应用,例如87Rb D1跃迁;二次谐波产生;和时间分辨荧光光谱。

  • DBR816PN 半导体激光器
    美国
    厂商:索雷博
    技术: Distributed-Bragg-Reflector (DBR) 工作模式: CW Laser 波长: 814 to 818 nm 输出功率: 35 to 45 mW 工作电压: 1.95 to 2.5 V

    Thorlabs的DBR816PN是一款分布式布拉格反射器(DBR)激光二极管,工作波长为816 nm.它集成了光隔离器、热电冷却器(TEC)、热敏电阻和光电二极管。二极管提供高达45 MW的CW输出功率。它的正向电压为1.95 V,阈值电流高达54 mA.激光二极管采用14针蝶形封装,配有PM780-HP保偏光纤和FC/APC连接器。它是水汽差分吸收激光雷达(DIAL)系统的理想选择,并可用作近红外光谱(NIRS)的低噪声泵浦源。

  • DBR895PN 半导体激光器
    美国
    厂商:索雷博
    技术: Distributed-Bragg-Reflector (DBR) 工作模式: CW Laser 波长: 893 to 895 nm 输出功率: 10 to 12 mW 工作电压: 2 to 2.5 V

    来自Thorlabs的DBR895PN是一种单频激光二极管,非常适合用作铯原子钟、二次谐波产生和时间分辨荧光光谱的低噪声泵浦源。工作波长为895nm,输出功率超过10mW.该激光器包括集成光隔离器、热电冷却器(TEC)、热敏电阻和监控光电二极管。它采用14针蝶形封装,配有PM780-HP保偏光纤和FC/APC连接器,连接器键与光纤的慢轴对齐。