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光纤模式: Singlemode 类型: Fiber-Coupled SLED 工作模式: CW Lasers RoHS: Yes来自Qphotonics的QSDMI-1060-300是一种超辐射发光二极管，波长为1050至1070 nm，输出功率为250至300 MW，带宽（FWHM）为15至20 nm（光谱宽度），工作电流为1600至1800 mA，正向电压为2至2.2 V.QSDMI-1060-300的更多详细信息可参见下文。
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光纤模式: Singlemode 类型: Fiber-Coupled SLED 工作模式: CW Lasers RoHS: Yes来自Qphotonics的QSDMI-1080-100是一种超辐射发光二极管，其波长为1070至1090 nm，输出功率为80至100 MW，带宽（FWHM）为20至30 nm（光谱宽度），工作电流为1100至1400 mA，正向电压为1.5至1.7 V.
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光纤模式: Singlemode 类型: Fiber-Coupled SLED 工作模式: CW Lasers RoHS: Yes来自Qphotonics的QSDMI-1130-30是波长为1115至1135nm、输出功率为20至30mW、带宽（FWHM）为20至27nm（光谱宽度）、工作电流为600至700mA、正向电压为1.5至1.7V的超发光二极管。
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波长: 1500-1530 nm 波长公差: -1-1 nm 斜率效率: 0.1-0.15 mW/mA 输出功率: 7-10 mW 热敏电阻: 9.5-10.5 kWEblana Photonics在设计时考虑到了氨气传感EP1512-DM-B激光二极管非常适合集成到用于NH3的TDLAS系统中。Eblana的离散模式（DM）技术是提供经济高效的解决方案，具有无跳模可调性和出色的SMSR。
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波长: 1260-1288 nm 储存温度: -40-85 Degree C 正向电压: null-2 V 斜率效率: 0.15 mW/mA 输出功率: 5-12 mWEblana Photonics EP1278 - DM - B激光二极管是专门为检测氟化氢而设计的，波长范围为1260 ~ 1288nm。Eblana的离散模式( Discrete Mode，DM )技术具有无跳模的可调性和出色的SMSR，具有成本效益。
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储存温度: -40~85°C 工作温度: -20~70°C 激光二极管正向电流1437R: 0~2100mA 激光二极管正向电流1439R: 0~2600mA 激光二极管反向电压: 0~2VFOL14xx系列（带隔离器）是专为光学传输系统中的各种光放大器设计，特别是在密集波分复用（DWDM）系统中使用的掺铒光纤放大器（EDFA）。
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储存温度: -40~85°C 工作温度: -20~70°C LD正向电流: 2100mA 激光二极管反向电压: 2V 光电二极管正向电流: 5mAFOL1437系列（带FBG）是为各种光学放大器设计的，特别是在密集波分复用（DWDM）系统中使用的拉曼放大器。
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储存温度: -40~85°C 工作温度: -20~70°C LD正向电流: 0~2100mA 激光二极管反向电压: 0~2V 光电二极管正向电流: 0~5mAFOL1437R系列（带FBG）专为光学传输系统中的各种光放大器设计，特别是在密集波分复用（DWDM）系统中使用的拉曼放大器。
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储存温度: -40~85°C 工作温度: -20~70°C LD正向电流: 2600mA 激光二极管反向电压: 2V 光电二极管正向电流: 5mAFOL1439系列（带FBG）专为各种光放大器设计，如光传输系统中使用的拉曼放大器，特别是在密集波分复用（DWDM）系统中。
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储存温度: -40~85°C 工作温度: -20~70°C LD正向电流: 0~3000mA 激光二极管反向电压: 0~2V 光电二极管正向电流: 0~5mAFOL1439系列（带FBG）是为光学传输系统中使用的各种光学放大器设计的，特别是在密集波分复用（DWDM）系统中使用的拉曼放大器。
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储存温度: -40~85°C 光电二极管反向电压: 0~20V 工作温度: -5~70°C 光电二极管正向电流: 0~5mA 激光二极管反向电压: 0~2VDFB激光器模块，为长途DWDM应用设计，与外部强度调制器配合使用，并集成多种光电组件于标准蝶形封装内。
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发射波长: 930-950nm 数据速率: 50-56GBaud/s 光学带宽: 22-23GHz 斜率效率: 0.35W/A 阈值电流: 0.9-1mAVM100-940-GSG-MA-SM-Cxx紧凑且具有非常高调制速率的基于GaAs的顶面发射垂直腔面发射激光器（VCSEL）芯片，现作为工程样品供应，用于开发和评估光互连、光背板、集成波导以及下一代光数据通信系统。这些VCSEL通过顶部使用地源-地源（GSG）微探针或线键单独接触。新的多孔径设计使其能够单模发射并在高输出功率下高速运行。适用于200G/400G SWDM、专有光互连和有源光缆(AOC)等应用。
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工作波长: 840-960 nm 数据速率: 112 Gbit/s per channel PAM-4 响应度: min 0.5 A/W at 850 nm 小信号-3dBo带宽: >30 GHz typ. 暗电流: 4 nAD40-SWDM-Cxx高速度840-960 nm顶部照明InP基pin光电探测器芯片，支持数据速率高达112 Gbit/s PAM-4，适用于SWDM光互连、有源光缆和芯片间互连。可提供单芯片或4通道芯片阵列，间距为250 µm，便于与多模光纤对准。芯片可以进行线键合。
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工作波长: 840-960nm 数据速率: 112Gbit/s 每通道 PAM-4 响应度: min 0.5A/W at 850nm 小信号-3dBo带宽: >30GHz 暗电流: 4nAD35-SWDM-Cxx高速度 840-960 nm 顶部照射 InP 基 PIN 光电探测器芯片，数据速率可达 112 Gbit/s PAM-4，适用于下一代数据通信系统。这些光电探测器有单芯片或 4 通道芯片阵列可供选择，间距为 250 µm，便于与多模光纤对准。芯片可以进行线键合。
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工作波长: 840-960nm 数据速率: 112Gbit/s per channel 响应度: min 0.5A/W at 850nm 小信号-3dBo带宽: >30GHz 暗电流: 4nAD30-SWDM-Cxx高速度840-960 nm顶照式InP基pin光电探测器芯片，数据速率高达112 Gbit/s PAM-4，适用于下一代数据通信系统。提供单芯片或4通道芯片阵列，间距为250 µm，可与多模光纤对准。芯片可进行线键合。
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工作波长: 840-960nm 数据速率: 112Gbit/s 响应度: 0.5A/W 小信号-3dBo带宽: >30GHz 暗电流: 4nAD25-SWDM-Cxx高速840-960纳米顶照式InP基PIN光电探测器芯片，适用于高达112 Gbit/s PAM-4数据传输速率，用于下一代数据通信系统的应用。这些光电探测器提供单芯片和4通道芯片阵列两种形式，通道间距为250微米，可与多模光纤对齐。芯片支持线缆键合。
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VCSEL类型: 多模 发射波长: 850nm (可用835–865nm) 数据速率: 最高100Gbit/s 峰值输出功率: 4mW VCSEL类型: 单模VM100-850M用于测试目的的超高速发射模块，集成了850nm VCSEL，光纤耦合到OM3多模光纤，用于光输出。该模块设计为高速测试应用的工程样品。通过高阶调制（4-PAM、DMT和多CAP）已证明比特率超过100G。提供多模和单模VCSEL版本。适用于研究与开发、100G测试（PAM-4、DMT）等应用。
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输出功率设定点: 1310nm设备18mW，C-band设备10mW 中心波长: 1310nm设备, 25°C λ-10λλ+10nm，C-band设备, 25°C λ-1λλ+1nm 光输出功率波动: 65-100PPM 长期功率波动: 0.1-0.2% 温度依赖功率漂移: 0.35%EM655是基于精确的DFB激光技术的高性能单频模块。这个RF发射器集成了高带宽光纤耦合DFB激光器，超低噪声激光电流源和温度控制器，还包括光隔离器和背面监测探测器读出放大器。适用于RF链接、CATV、激光器和感测等应用场景。
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储存温度: -40~+85°C 工作温度: -15~65°C 电源电压: 4.7~5.5V 电源电流: 3.5A 激光器启用输入电压: GND-0.3V~+0.3VEM650是一款高功率光纤耦合DFB激光器，提供超低噪声和温度控制，卓越的频率稳定性、窄线宽、低噪声和稳定的偏振，适用于长距离WDM传输、射频链接、CATV等应用。
产品选型就用光电查
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