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扫描范围: <= 100mm X 100mm 决议: um, >= 500um um 决议: >= 500um
探测器采用GaAs高迁移率异质结构,在标准半导体循环中使用传统的光学光刻技术制作。成像传感器被制造在单个晶片上。该过程确保了等离子体检测器参数的高均匀性和再现性(像素到像素的偏差响应度在20%的范围内)。在10 GHz—1 THz频率范围内,每个探测器单元的室温响应度高达50 kV/W,具有读出电路和1 NW/的噪声等效功率。检测机制基于二维电子系统中等离子体振荡的激发以及随后的整流。校正发生在电子系统中的特殊缺陷上。我们的太赫兹相机是主动探测设备,需要外部太赫兹源。我们提供基于IMPATT技术的亚太赫兹波源。我们所有的Tera系列太赫兹成像相机都采用相同类型的探测器,具有相同的能力和空间分辨率。我们的模型之间的差异在于其传感器阵列中的像素数量和其有效成像面积。除了我们的标准太赫兹相机型号,我们还提供定制的解决方案,以满足不同的配置和几何要求。
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扫描范围: <= 100mm X 100mm 决议: >= 500um um 决议: >= 500um
探测器采用GaAs高迁移率异质结构,在标准半导体循环中使用传统的光学光刻技术制作。成像传感器被制造在单个晶片上。该过程确保了等离子体检测器参数的高均匀性和再现性(像素到像素的偏差响应度在20%的范围内)。在10 GHz—1 THz频率范围内,每个探测器单元的室温响应度高达50 kV/W,具有读出电路和1 NW/的噪声等效功率。检测机制基于二维电子系统中等离子体振荡的激发以及随后的整流。矫正发生在电子系统中的特殊缺陷上。我们的太赫兹相机是主动探测设备,需要外部太赫兹源。我们提供基于IMPATT技术的亚太赫兹波源。我们所有的Tera系列太赫兹成像相机都采用相同类型的探测器,具有相同的能力和空间分辨率。我们的模型之间的差异在于其传感器阵列中的像素数量和其有效成像面积。除了我们的标准太赫兹相机型号,我们还提供定制的解决方案,以满足不同的配置和几何要求。
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扫描范围: <= 100mm X 100mm 决议: >= 500um um 决议: >= 500um
探测器采用GaAs高迁移率异质结构,在标准半导体循环中使用传统的光学光刻技术制作。成像传感器被制造在单个晶片上。该过程确保了等离子体检测器参数的高均匀性和再现性(像素到像素的偏差响应度在20%的范围内)。在10 GHz—1 THz频率范围内,每个探测器单元的室温响应度高达50 kV/W,具有读出电路和1 NW/的噪声等效功率。检测机制基于二维电子系统中等离子体振荡的激发以及随后的整流。矫正发生在电子系统中的特殊缺陷上。我们的太赫兹相机是主动探测设备,需要外部太赫兹源。我们提供基于IMPATT技术的亚太赫兹波源。我们所有的Tera系列太赫兹成像相机都采用相同类型的探测器,具有相同的能力和空间分辨率。我们的模型之间的差异在于其传感器阵列中的像素数量和其有效成像面积。除了我们的标准太赫兹相机型号,我们还提供定制的解决方案,以满足不同的配置和几何要求。
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输出功率: 2W 激光波长: 3000um 脉宽: 1 - 1 ns 中心波长附近的调谐范围: Not Applicable
Terapyro传感器是一种紧凑且高度敏感的设备,基于高质量吸收黑色涂层与LiTaO3热电晶体的组合。涂层的宽吸收范围允许在大光谱范围(从0.1到30THz)上使用该传感器。高灵敏度和低NEP不会影响性能。基于AR涂层硅透镜的集成、预对准、高质量THz光学器件确保了与传感器的较大光学耦合。光学器件高度模块化,允许三种配置:裸传感器、准直输入或聚焦输入,工作距离为50 mm。灵敏度开关允许减少探测器的响应,并增加响应时间,以实现更快的测量。BNC输出确保数据恢复的快速和标准连接。传感器采用+/-12 V的普通直流电源供电。
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光源类型: CW LED 光源波长: 525nm 样品反射率: 1 - 1 % 垂直范围: 70000000nm 有效值重复性: <0.01 nm
TMS-500 TopMap Pro.Surf和TMS-500-R TopMap Pro.Surf+是高精度、非接触式测量系统,具有大视场,可快速高效地对精密零件进行表面表征。TopMap Pro.Surf和Pro.Surf+集成了可跟踪校准的白光干涉仪,具有较大的垂直测量范围,可以精确表征陡峭边缘附近的表面,例如钻孔或具有较大台阶的零件。即使对于宏观样品,也可以快速检查平面度和平行度参数,并且具有极好的可重复性。额外的色度共焦传感器可在TopMap Pro.Surf+的单次测量中进行粗糙度评估。