QL83D6S-A/B/C来自Quantum Semiconductor International，是一种激光二极管，波长为822至834 nm，输出功率为5 MW，工作电压为1.85至1.95 V，工作电流为15至28 mA.有关QL83D6S-A/B/C的更多详细信息，请联系我们。

QL83F6S-A/B/C来自Quantum Semiconductor International，是一种激光二极管，波长为820至840 nm，输出功率为10 MW，工作电压为1.7至2.4 V，工作电流为30至55 mA.有关QL83F6S-A/B/C的更多详细信息，请联系我们。

QL83H6S-A/B/C来自Quantum Semiconductor International，是一种激光二极管，波长为820至840 nm，输出功率为20 MW，工作电压为1.9至2.5 V，工作电流为45至70 mA.有关QL83H6S-A/B/C的更多详细信息，请联系我们。

来自Quantum Semiconductor International的QL83O6S-A/B/C是波长为820至840 nm、输出功率为100 MW、工作电压为1.7至2.5 V、工作电流为120至170 mA的激光二极管。有关QL83O6S-A/B/C的更多详细信息，请联系我们。

来自Quantum Semiconductor International的QL83R6S-A/B/C是波长为815至840 nm、输出功率为200 MW、工作电压为1.8至2.5 V、工作电流为180至240 mA的激光二极管。有关QL83R6S-A/B/C的更多详细信息，请联系我们。

来自Quantum Semiconductor International的QL84S6SL是波长为835至855 nm、输出功率为450 MW、工作电压为1.9至2.5 V、工作电流为530至550 mA的激光二极管。有关QL84S6SL的更多详细信息，请联系我们。

QL85D6S-A/B/C（Quantum Semiconductor International）是一款激光二极管，波长为845至855 nm，输出功率为5 MW，工作电压为1.8至2.5 V，工作电流为15至30 mA.有关QL85D6S-A/B/C的更多详细信息，请联系我们。

Quantum Semiconductor International的QL85G63E是一款激光二极管，波长为845至855 nm，输出功率为15 MW，工作电压为2.2至2.4 V，工作电流为45至55 mA.有关QL85G63E的更多详细信息，请联系我们。

QL85H6S-A/B/C（Quantum Semiconductor International）是一款激光二极管，波长为845至865 nm，输出功率为20 MW，工作电压为2至2.5 V，工作电流为40至70 mA.有关QL85H6S-A/B/C的更多详细信息，请联系我们。

Quantum Semiconductor International的QL85I6S-A/B/C是一种激光二极管，波长为845至860 nm，输出功率为30 MW，工作电压为2至2.5 V，工作电流为50至90 mA.有关QL85I6S-A/B/C的更多详细信息，请联系我们。

来自Quantum Semiconductor International的QL85J6S-A/B/C-L是波长为845至865 nm、输出功率为40 MW、工作电压为2至2.5 V、工作电流为70至110 mA的激光二极管。有关QL85J6S-A/B/C-L的更多详细信息，请联系我们。

来自Quantum Semiconductor International的QL85R6S-A/B/C是波长为840至860 nm、输出功率为200 MW、工作电压为1.8至2.6 V、工作电流为180至240 mA的激光二极管。有关QL85R6S-A/B/C的更多详细信息，请联系我们。

QL90F7S-A/B/C（Quantum Semiconductor International）是一款激光二极管，波长为885至915 nm，输出功率为10 MW，工作电压为1.5至2.3 V，工作电流为35至60 mA.有关QL90F7S-A/B/C的更多详细信息，请联系我们。

来自QSI的QL94J6SA/B/C是MOCVD生长的具有量子阱结构的940nm波段InGaAs激光二极管。它为工业光学模块和传感器应用提供50 MW的光输出功率。激光二极管采用5.6 mm TO-18封装，内置光电二极管，用于监控激光二极管。

来自Quantum Semiconductor International的QL94R6S-A/B/C是波长为930至950 nm、输出功率为200 MW、工作电压为1.8至2.4 V、工作电流为270至320 mA的激光二极管。有关QL94R6S-A/B/C的更多详细信息，请联系我们。

Freedom Photonics的FP3007X是一款激光二极管，波长为760至800 nm，输出功率为100至120 MW，输出功率为0.1至0.12 W，阈值电流为33至40 mA，工作温度为-5至75摄氏度。有关FP3007X的更多详细信息，请联系我们。

Freedom Photonics的FP3915是一款工作波长为1550 nm的激光二极管。它的光谱宽度（FWHM）小于1 nm，有2个版本，可在单空间模式或多空间模式下工作。该激光器在单空间模式中消耗0.5W的功率，峰值EO效率为20%，在多空间模式中消耗3W的功率，峰值EO效率为36%。它采用C-Mount载体，是自由空间光学（FSO）通信、红外、照明、红外指向、激光测距、激光雷达、光纤测试和医疗应用的理想选择。

Excelitas Technologies的C30619GH-LC是一款InGaAs PIN光电二极管，工作光谱范围为800至1700 nm.它在1550nm处的峰值响应度为1.05A/W，上升时间为0.5ns，带宽为700MHz.该光电二极管的击穿电压超过20 V，电容为2-15 PF，暗电流为20 nA.它需要5 V直流电源，功耗为10 mA.该光电二极管的有效直径为0.5 mm，有效面积为0.2 mm²。它采用符合RoHS规范的TO-18封装，非常适合光功率计、光纤测试通信、近红外光谱、激光仿形站、仪器和激光雷达应用。

Excelitas Technologies的C30641GH-LC是一款InGaAs PIN光电二极管，工作光谱范围为800至1700 nm.它在1550nm处的峰值响应度为1.05A/W，上升时间为2ns，带宽为150MHz.该光电二极管的击穿电压超过20 V，电容为9-60 PF，暗电流高达50 nA.它需要5 V直流电源，功耗为10 mA.该圆形光电二极管的有效直径为1 mm，有效面积为0.8 mm²。它采用符合RoHS规范的TO-18封装，非常适合光功率计、光纤测试通信、近红外光谱、激光仿形站、仪器和激光雷达应用。

Excelitas Technologies的C30642GH-LC是一款InGaAs PIN光电二极管，光谱范围为800至1700 nm.它在1550nm处的峰值响应度为1.05A/W，上升时间为9ns，带宽为40MHz.该光电二极管的击穿电压超过15 V，电容为36-400 PF，暗电流小于2 nA.它需要5 V直流电源，功耗为10 mA.该光电二极管的有效直径为2 mm，有效面积为3.1 mm2。它采用符合RoHS规范的TO-5封装，非常适合光功率计、光纤测试通信、近红外光谱、激光仿形站、仪器和激光雷达应用。