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传感器类型: CMOS 决议: 16MP # 像素 (H): 4672 # 像素: 3504 像素大小: 1.0um
OmniVision的OV16885是一款高分辨率图像传感器,基于OmniVision的第二代1.0微米PureCel®Plus-S像素架构,非常适合面向全球的移动摄像机。OV16885通过Zig-Zag高动态范围(ZHDR)和支持相位检测自动对焦(PDAF)等先进功能增强了主流1600万像素分辨率图像和视频,实现了清晰的图像和视频细节以及出色的场景再现。ZHDR在单帧中使用长曝光和短曝光来扩展传感器的动态范围能力。长曝光线和短曝光线以之字形图案在整个像素阵列上对角交错。这使得在HDR模式下的实时预览和视频录制以及在拍摄模式下的单次全分辨率HDR图像没有任何快门时滞。
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传感器类型: CMOS 决议: 16MP # 像素 (H): 4672 # 像素: 3504 像素大小: 1.12um
OmniVision的OV16B10是一款高性能、节能、高分辨率图像传感器,专为下一代旗舰智能手机而设计。OV16B10传感器基于OmniVision的第二代1.12微米PureCel®Plus-S像素架构,具有高全阱容量、高灵敏度成像和相位检测自动对焦(PDAF),可为单摄像头和双摄像头应用提供业界领先的性能。OV16B10采用Zigzag高动态范围(ZHDR),在单帧中结合长曝光和短曝光,以较小的重影伪像增加动态范围。该传感器采用了新的PDAF架构,提高了灵敏度,可在低光照条件下实现精确的自动对焦。
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通道模式: Normal 脉冲延迟范围: 1 - 999 sec 脉冲宽度范围: 0.0000000001 - 0.0000005 ms
P400是一款台式数字延迟和脉冲发生器,可产生四个独立可编程的延迟和宽度输出。P400可以以1皮秒的增量产生高达1000秒的延迟,并且能够实现10 MHz的高重复率。P400的应用包括激光定时、ICCD相机系统、ATE系统和雷达测试。触发-P400触发器包括内部、外部、远程或线路。内部DDS速率发生器可在0.01 Hz至10 MHz的范围内以0.01 Hz的步长进行编程。外部触发具有可选的触发电平、斜率和终端阻抗。通过外部交流线路适配器启用线路触发。P400也可以手动触发或从远程RS-232或以太网接口触发。触发门控和猝发设施是标准配置。时基-标准P400时基是一种精密TCXO温度补偿晶体振荡器。可选的恒温振荡器可用于需要极高精度和较低抖动的应用。多个P400可以彼此同步,或锁定到外部10 MHz源。板载帮助-广泛的帮助系统解释了4行前面板显示屏上的每个按钮、输入、输出和设置。菜单-P400的每个功能都有一个由相关按钮调用的专用单级控制菜单。数据输入可通过数字键或旋转旋钮进行。远程控制-所有P400参数均可使用标准RS-232或可选以太网接口进行远程编程。
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有效直径: 46mm 光谱范围: 380 - 1000 nm
PDC模块是单光子检测载体,其能够适当地偏置在所谓的“盖革模式”中操作的任何硅雪崩二极管,这意味着在击穿电压(BV高达480V)以上操作,使得单个入射光子触发已经大到足以被检测并被计数为电子脉冲的电子雪崩。它们还充分利用了探测器在探测光子到达时间方面的内部性能,并能够保护器件免受过热造成的损坏。为了实现量子探测效率和暗计数率之间的折衷,BV以上的过电压可在5V至18V之间调节。快速定时电子板充分利用了测量光子到达时间的器件性能。通过易于配置的珀尔帖控制器,该模块可以操作安装在冷却器上的具有温度传感器(NTC或PTC)的设备。内置的电流和温度监控器可防止探测器设备过热(例如,在日光照明的情况下)。专利集成有源淬火电路(IAQC)专为光子计数应用而设计和优化,使PDC成为便携式设备和所有需要低功耗应用的理想选择。
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单色仪类型: Flat Field Grazing Incidence 衍射光栅: 484lines/mm 光栅炽热波长: 1200nm 光谱范围: 960 - 1690 nm 光谱分辨率: 8nm
PGS系列光谱仪设计用于NIR。InGaAs(砷化铟镓)用作该波长范围内的检测器材料。非球面准直器和聚焦透镜的特殊组合允许使用为NIR优化的平面光栅,同时保持光谱成像的良好平场校正。所有光学元件的永久连接确保了出色的长期稳定性。中心体在PGS系列中,中心体采用特殊铝合金(膨胀系数a~13 X 10-6)。该外壳是闪耀光栅、非球面准直器和聚焦透镜的载体。输入光纤和检测器永久连接到中心体,因此提供了极好的稳定性。光栅用于PGS系列的光栅是机械刻划的或全息记录的平面光栅。较大效率适用于NIR中的特定波长范围。具有透镜的清晰直径的光栅表面的尺寸使得NA高达0.37的光纤的光可以看到。输入光纤光的耦合通过玻璃单光纤以标准方式进行。这些光纤的直径为600µm,NA=0.22。光纤末端具有高度为500µm(NIR 1.7)或250µm(NIR 2.2)的狭缝。入口处的狭缝高度适应于InGaAs阵列的像素高度。不需要类似于硅探测器的截面转换。探测器对于PGS,NIR 1.7标准InGaAs用于高达1700nm的波长范围。可提供具有256或512个元件的探测器。要达到2.2µm的波长范围,必须使用扩展InGaAs。在PGS NIR 2.0和PGS NIR 2.2中,使用具有256个元素的检测器。对于扩展的InGaAs阵列,将用于抑制第二衍射级的阻挡滤波器应用于该阵列。
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单色仪类型: Flat Field Grazing Incidence 衍射光栅: 484lines/mm 光栅炽热波长: 1200nm 光谱范围: 960 - 1690 nm 光谱分辨率: 5nm
PGS系列光谱仪设计用于近红外(NIR)。InGaAs(砷化铟镓)用作该波长范围内的检测器材料。非球面准直器和聚焦透镜的特殊组合允许使用为NIR优化的平面光栅,同时保持光谱成像的良好平场校正。所有光学元件的永久连接确保了出色的长期稳定性。中心体在PGS系列中,中心体采用特殊铝合金(膨胀系数a~13 X 10-6)。该外壳是闪耀光栅、非球面准直器和聚焦透镜的载体。输入光纤和检测器永久连接到中心体,因此提供了极好的稳定性。光栅用于PGS系列的光栅是机械刻划的或全息记录的平面光栅。较大效率适用于NIR中的特定波长范围。具有透镜的清晰直径的光栅表面的尺寸使得NA高达0.37的光纤的光可以看到。输入光纤光的耦合通过玻璃单光纤以标准方式进行。这些光纤的直径为600µm,NA=0.22。光纤末端具有高度为500µm(NIR 1.7)或250µm(NIR 2.2)的狭缝。入口处的狭缝高度与InGaAs阵列的像素高度相适应。不需要类似于硅探测器的截面转换。探测器对于PGS,NIR 1.7标准InGaAs用于高达1700nm的波长范围。可提供具有256或512个元件的探测器。要达到2.2µm的波长范围,必须使用扩展InGaAs。在PGS NIR 2.0和PGS NIR 2.2中,使用具有256个元素的检测器。对于扩展的InGaAs阵列,将用于抑制第二衍射级的阻挡滤波器应用于该阵列。
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单色仪类型: Flat Field Grazing Incidence 衍射光栅: 484lines/mm 光栅炽热波长: 1400nm 光谱范围: 1340 - 2000 nm 光谱分辨率: 8nm
PGS系列光谱仪设计用于NIR。InGaAs(砷化铟镓)用作该波长范围内的检测器材料。非球面准直器和聚焦透镜的特殊组合允许使用为NIR优化的平面光栅,同时保持光谱成像的良好平场校正。所有光学元件的永久连接确保了出色的长期稳定性。中心体在PGS系列中,中心体采用特殊铝合金(膨胀系数a~13 X 10-6)。该外壳是闪耀光栅、非球面准直器和聚焦透镜的载体。输入光纤和检测器永久连接到中心体,因此提供了极好的稳定性。光栅用于PGS系列的光栅是机械刻划的或全息记录的平面光栅。较大效率适用于NIR中的特定波长范围。具有透镜的清晰直径的光栅表面的尺寸使得NA高达0.37的光纤的光可以看到。输入光纤光的耦合通过玻璃单光纤以标准方式进行。这些光纤的直径为600µm,NA=0.22。光纤末端具有高度为500µm(NIR 1.7)或250µm(NIR 2.2)的狭缝。入口处的狭缝高度与InGaAs阵列的像素高度相适应。不需要类似于硅探测器的截面转换。探测器对于PGS,NIR 1.7标准InGaAs用于高达1700nm的波长范围。可提供具有256或512个元件的探测器。要达到2.2µm的波长范围,必须使用扩展InGaAs。在PGS NIR 2.0和PGS NIR 2.2中,使用具有256个元素的检测器。对于扩展的InGaAs阵列,将用于抑制第二衍射级的阻挡滤波器应用于该阵列。
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单色仪类型: Flat Field Grazing Incidence 衍射光栅: 300lines/mm 光栅炽热波长: 1400nm 光谱范围: 1000 - 2150 nm 光谱分辨率: 16nm
PGS系列光谱仪设计用于NIR。InGaAs(砷化铟镓)用作该波长范围内的检测器材料。非球面准直器和聚焦透镜的特殊组合允许使用为NIR优化的平面光栅,同时保持光谱成像的良好平场校正。所有光学元件的永久连接确保了出色的长期稳定性。中心体在PGS系列中,中心体使用了一种特殊的铝合金(膨胀系数a~13 X 10-6)。该外壳是闪耀光栅、非球面准直器和聚焦透镜的载体。输入光纤和检测器永久连接到中心体,因此提供了极好的稳定性。光栅用于PGS系列的光栅是机械刻划的或全息记录的平面光栅。较大效率适合于NIR中的特定波长范围。具有透镜的清晰直径的光栅表面的尺寸使得NA高达0.37的光纤的光可以看到。输入光纤光的耦合通过玻璃单光纤以标准方式进行。这些光纤的直径为600µm,NA=0.22。光纤末端具有高度为500µm(NIR 1.7)或250µm(NIR 2.2)的狭缝。入口处的狭缝高度与InGaAs阵列的像素高度相适应。不需要类似于硅探测器的截面转换。探测器对于PGS,NIR 1.7标准InGaAs用于高达1700nm的波长范围。可提供具有256或512个元件的探测器。要达到2.2µm的波长范围,必须使用扩展InGaAs。在PGS NIR 2.0和PGS NIR 2.2中,使用具有256个元素的检测器。对于扩展的InGaAs阵列,将用于抑制第二衍射级的阻挡滤波器应用于该阵列。