FIDL-10S-1064X是用MOCVD半导体激光器制作的1064nm InGaAs/GaAs单量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FIDL-10S-1064X是一款连续单横模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-10S-680A是基于GaInAlP的680nm激光二极管MOCVD法制备多量子阱结构低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FIDL-10S-680A是连续单模注入半导体激光器。它采用9mmSOT-148外壳，内置监控二极管。激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-10S-750X是750nm AlGaAs/GaAs单量子用MOCVD半导体激光器制作阱结构二极管。低阈值电流和高斜率效率有助于低工作电流，提高可靠性。FIDL-10S-750X是一款CW单模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。精确的波长选择允许在各种光电系统中使用激光二极管检测设备。

FIDL-10S-800X是800nm AlGaAs/GaAs单量子用MOCVD半导体激光器制作阱结构二极管。低阈值电流和高斜率效率有助于低工作电流，提高可靠性。FIDL-10S-800X是一款CW单模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。精确的波长选择允许在各种光电系统中使用激光二极管检测设备。

FIDL-10S-808X是808nm AlGaAs/GaAs单量子MOCVD半导体激光器制备势阱结构二极管。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-10S-808X是一种CW单模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管，输出功率稳定。精确的波长选择允许在各种光电系统中使用激光二极管检测设备。

FIDL-10S-830X是830nm AlGaAs/GaAs单量子用MOCVD半导体激光器制作阱结构二极管。低阈值电流和高斜率效率有助于低工作电流，提高可靠性。FIDL-10S-830X是一款连续单模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。精确的波长选择允许在各种光电系统中使用激光二极管检测设备。

FIDL-10S-850X是用MOCVD半导体激光器制作的850nm AlGaAs/GaAs单量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-10S-850X是一种CW单模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管，输出功率稳定。精确的波长选择允许在各种光电系统中使用激光二极管检测设备。

FIDL-10S-850X-TEC是用MOCVD方法制备的AlGaAs/GaAs单量子阱半导体激光器。低阈值电流和高斜率效率有助于低工作电流，从而提高可靠性。寿命在25°C时超过10000小时。FIDL-10S-850X-TEC是CW单模注入半导体激光二极管，采用TO-5外壳，内置监控光电二极管，可稳定输出功率和TEC。该激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-10S-895X是895nm AlGaAs/GaAs单量子MOCVD半导体激光器制备势阱结构二极管。低阈值电流和高斜率效率有助于低工作电流，提高可靠性。25°C下的预期寿命超过50000小时。FIDL-10S-895X是CW单模注入半导体激光二极管与内置监控光电二极管，以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-10S-905X是905nm AlGaAs/GaAs单量子MOCVD半导体激光器制备势阱结构二极管。低阈值电流和高斜率效率有助于低工作电流，提高可靠性。FIDL-10S-905X光源是一个连续单模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-10S-920X是920nm AlGaAs/GaAs单量子MOCVD半导体激光器制备势阱结构二极管。低阈值电流和高斜率效率有助于低工作电流，提高可靠性。FIDL-10S-920X光源为CW单模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管，输出功率稳定。激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-10S-935X是935nm AlGaAs/GaAs单量子MOCVD半导体激光器制备势阱结构二极管。低阈值电流和高斜率效率有助于低工作电流，提高可靠性。FIDL-10S-935X光源为CW单模注入半导体激光二极管与内置监控光电二极管，以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-10S-950X是用MOCVD半导体激光器制作的950nm InGaAs/GaAs单量子阱结构，低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FIDL-10S-950X光源为CW单模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管，输出功率稳定。激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-10S-970X是用MOCVD半导体激光器制作的970nm InGaAs/GaAs单量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-10S-970X光源为CW单模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管，输出功率稳定。该激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-10S-980X是用MOCVD半导体激光器制作的980nm InGaAs/GaAs单量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-10S-980X光源为CW单模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管，输出功率稳定。本发明的激光二极管适用于各种光电子器件中系统。

FIDL-1500M-808X是808nm AlGaAs/GaAs量子阱MOCVD半导体激光器结构低阈值电流和高斜率效率有助于低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-1500M-808X光源是CW多模注入半导体激光二极管。它是采用9mm TO外壳和TO-3封装，内置TEC、热敏电阻来控制激光二极管芯片的温度，并监控光电二极管以稳定输出功率。光学输出窗口由蓝宝石玻璃制成。激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-1500M-830X-TO3是用MOCVD半导体激光器制作的830nm AlGaAs/GaAs量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-1500M-830X-TO3光源是连续多模式注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管、TEC和热敏电阻以稳定输出功率。光输出窗口是石英玻璃。该激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-1500M-850X-TO3是用MOCVD半导体激光器制作的850nm AlGaAs/GaAs量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-1500M-850X-TO3光源是一款CW多模注入式半导体激光二极管，内置监控光电二极管、TEC和热敏电阻以稳定输出功率。由蓝宝石玻璃制成的光学输出窗。该激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-1500M-860X-TO3是用MOCVD半导体激光器制作的860nm AlGaAs/GaAs量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-1500M-860X-TO3光源是一款CW多模注入式半导体激光二极管，内置监控光电二极管、TEC和热敏电阻以稳定输出功率。由蓝宝石玻璃制成的光学输出窗。该激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-15S-675D是基于GaInAlP的675nm激光二极管MOCV法制备多量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FIDL-15S-675D是连续单模注入半导体激光器。它采用9mm SOT-148外壳，内置监控二极管。该激光二极管适用于各种光电系统。