光电二极管PD 25-05设计用于检测1000至2500nm中红外光谱范围内的辐射。前置放大器（-PA）在光伏模式下工作（零偏置）。前置放大器将光电二极管产生的电流放大并转换为电压信号。在PD电流和产生的输出电压之间存在线性对应关系。由前置放大器转换的信号将具有与来自光电二极管的光电流信号相同的形式、频率和脉冲持续时间。前置放大的光电二极管配有抛物面反射器，并封装在铝管中，用于保护和屏蔽。

光电二极管PD 25-05设计用于探测1000至2500nm中红外光谱范围内的辐射。

光电二极管PD 25-10被设计用于检测从1000到2500nm的中红外光谱范围内的辐射。前置放大器（-PA）在光伏模式下工作（零偏置）。前置放大器将光电二极管产生的电流放大并转换为电压信号。在PD电流和产生的输出电压之间存在线性对应关系。由前置放大器转换的信号将具有与来自光电二极管的光电流信号相同的形式、频率和脉冲持续时间。前置放大的光电二极管配有抛物面反射器，并封装在铝管中，用于保护和屏蔽。

光电二极管PD 25-10设计用于探测1000至2500nm中红外光谱范围内的辐射。

光电二极管PD 36-03被设计用于检测从1800到3800nm的中红外光谱范围内的辐射。前置放大器（-PA）在光伏模式下工作（零偏置）。前置放大器将光电二极管产生的电流放大并转换为电压信号。在PD电流和产生的输出电压之间存在线性对应关系。由前置放大器转换的信号将具有与来自光电二极管的光电流信号相同的形式、频率和脉冲持续时间。前置放大的光电二极管配有抛物面反射器，并封装在铝管中，用于保护和屏蔽。

光电二极管PD 36-03被设计用于检测从1800到3800nm的中红外光谱范围内的辐射。它们由与InAs衬底晶格匹配的窄带隙InAsSbP/InAs基异质结构制成。

光电二极管PD 36-05被设计用于检测从1800到3800nm的中红外光谱范围内的辐射。前置放大器（-PA）在光伏模式下工作（零偏置）。前置放大器将光电二极管产生的电流放大并转换为电压信号。在PD电流和产生的输出电压之间存在线性对应关系。由前置放大器转换的信号将具有与来自光电二极管的光电流信号相同的形式、频率和脉冲持续时间。前置放大的光电二极管配有抛物面反射器，并封装在铝管中，用于保护和屏蔽。

光电二极管PD 36-05设计用于检测1800至3600nm中红外光谱范围内的辐射。它们由与InAs衬底晶格匹配的窄带隙InAsSbP/InAs基异质结构制成。

光电二极管PD 41-03设计用于检测3000至4100nm中红外光谱范围内的辐射。前置放大器（-PA）在光伏模式下工作（零偏置）。前置放大器将光电二极管产生的电流放大并转换为电压信号。在PD电流和产生的输出电压之间存在线性对应关系。由前置放大器转换的信号将具有与来自光电二极管的光电流信号相同的形式、频率和脉冲持续时间。前置放大的光电二极管配有抛物面反射器，并封装在铝管中，用于保护和屏蔽。

光电二极管PD 41-03设计用于探测3000至4100nm中红外光谱范围内的辐射。它们由与InAs衬底晶格匹配的窄带隙InAsSbP/InAs基异质结构制成。

光电二极管PD 41-05被设计用于检测从3000到4100nm的中红外光谱范围内的辐射。前置放大器（-PA）在光伏模式下工作（零偏置）。前置放大器将光电二极管产生的电流放大并转换为电压信号。在PD电流和产生的输出电压之间存在线性对应关系。由前置放大器转换的信号将具有与来自光电二极管的光电流信号相同的形式、频率和脉冲持续时间。前置放大的光电二极管配有抛物面反射器，并封装在铝管中，用于保护和屏蔽。

光电二极管PD 41-05设计用于探测3000至4100nm中红外光谱范围内的辐射。它们由与InAs衬底晶格匹配的窄带隙InAsSbP/InAs基异质结构制成。

光电二极管PD 43-03设计用于探测3000-4600nm中红外光谱范围内的辐射。前置放大器（-PA）在光伏模式下工作（零偏置）。前置放大器将光电二极管产生的电流放大并转换为电压信号。在PD电流和产生的输出电压之间存在线性对应关系。由前置放大器转换的信号将具有与来自光电二极管的光电流信号相同的形式、频率和脉冲持续时间。前置放大的光电二极管配有抛物面反射器，并封装在铝管中，用于保护和屏蔽。

光电二极管PD 43-03设计用于探测3000-4600nm中红外光谱范围内的辐射。它们由与InAs衬底晶格匹配的窄带隙InAsSbP/InAs基异质结构制成。

光电二极管PD 43-05设计用于检测2600至4600nm中红外光谱范围内的辐射。前置放大器（-PA）在光伏模式下工作（零偏置）。前置放大器将光电二极管产生的电流放大并转换为电压信号。在PD电流和产生的输出电压之间存在线性对应关系。由前置放大器转换的信号将具有与来自光电二极管的光电流信号相同的形式、频率和脉冲持续时间。前置放大的光电二极管配有抛物面反射器，并封装在铝管中，用于保护和屏蔽。

光电二极管PD 43-05设计用于检测2600至4600nm中红外光谱范围内的辐射。它们由与InAs衬底晶格匹配的窄带隙InAsSbP/InAs基异质结构制成。

光电二极管PD 36-05-CG（带玻璃盖）设计用于探测1800-3600nm中红外光谱范围内的辐射。它们由与InAs衬底晶格匹配的窄带隙InAsSbP/InAs基异质结构制成。

光电二极管PD 43-03-CG（带玻璃盖）设计用于探测3000-4600nm中红外光谱范围内的辐射。它们由与InAs衬底晶格匹配的窄带隙InAsSbP/InAs基异质结构制成。

光电二极管PD 43-05-CG（带玻璃盖）设计用于探测2600至4600 nm中红外光谱范围内的辐射。它们由与InAs衬底晶格匹配的窄带隙InAsSbP/InAs基异质结构制成。

光电二极管PD 36-03-CG（带玻璃盖）设计用于探测1800-3800nm中红外光谱范围内的辐射。它们由与InAs衬底晶格匹配的窄带隙InAsSbP/InAs基异质结构制成。