• 激光二极管FJLD-100S-660-TO56-60TX 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.660um 输出功率: 100mW

    FJLD-100S-660-TO56-60TX是为高输出功率应用而设计的660 nm 100mW量子阱半导体激光器。激光二极管与监视器PD一起提供在TO-56外壳中,并用平板玻璃盖密封。

  • 激光二极管FJLD-100S-785-TO56-70TX 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.785um 输出功率: 100mW

    FJLD-100S-785-TO56-70TX是一款785nm 100mW量子阱半导体激光器,专为高输出功率应用而设计。激光二极管与监视器PD一起提供在TO-56外壳中,并用平板玻璃盖密封。

  • 激光二极管FJLD-120S-660-TO56-60TX 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.660um 输出功率: 120mW

    FJLD-120S-660-TO56-60TX是专为高输出功率应用而设计的660 nm 120mW量子阱半导体激光器。激光二极管与监视器PD一起提供在TO-56外壳中,并用平板玻璃盖密封。

  • 激光二极管fkld-100s-830-60-pd-x 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.830um 输出功率: 100mW

    FKLD-100S-830-60-PD-X是用MOCVD半导体激光器制备的830nm AlGaAs量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FKLD-100S-830-60-PD-X是一款CW单横模注入半导体激光器,内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光器适用于目标指示、固体激光泵浦、医疗应用和其他光电系统。

  • 激光二极管FKLD-100S-830-60-WPD 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.830um 输出功率: 100mW

    FKLD-100S-830-60-WPD是用MOCVD半导体激光器制备的830nm AlGaAs量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FKLD-100S-830-60-WPD是一种连续单横模注入半导体激光器。该激光器适用于固体激光泵浦、医疗应用和其他光电系统。

  • 激光二极管FKLD-10S-637-50X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.637um 输出功率: 10mW

    FKLD-10S-637-50X是637nm AlGaInP量子阱用MOCVD半导体激光器制作。低门槛电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FKLD-10S-637-50X是一款CW单模注入半导体激光器,内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光器适用于激光模块和其他光电系统。

  • 激光二极管FKLD-10S-637-50X-L 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.637um 输出功率: 10mW

    FKLD-10S-637-50X-L是637nm AlGaInP量子阱用MOCVD半导体激光器制作。低门槛电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FKLD-10S-637-50X-L是一款CW单模注入半导体激光器,内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光器适用于激光模块和其他光电系统。

  • 激光二极管FKLD-10S-650-60X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.655um 输出功率: 10mW

    FKLD-10S-650-60X是650nm AlGaInP量子阱用MOCVD半导体激光器制作。低门槛电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FKLD-10S-650-60X是一款CW单模注入半导体激光器,内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光器适用于光学拾取头和其他光电系统。

  • 激光二极管fkld-10s-650-70x 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.655um 输出功率: 10mW

    FKLD-10S-650-70X是650nm AlGaInP量子阱用MOCVD半导体激光器制作。低门槛电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FKLD-10S-650-70X是一款CW单模注入半导体激光器,内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光器适用于光学拾取头和其他光电系统。

  • 激光二极管FKLD-10S-670-60X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.670um 输出功率: 10mW

    FKLD-10S-670-60X是用MOCVD半导体激光器制备的670nm AlGaInP量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FKLD-10S-670-60X是一款CW单模注入半导体激光器,内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光器适用于激光模块和其他光电系统。

  • 激光二极管FKLD-10S-670-70X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.670um 输出功率: 10mW

    FKLD-10S-670-70X是670nm AlGaInP量子阱用MOCVD半导体激光器制作。低门槛电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FKLD-10S-670-70X是一款CW单模注入半导体激光器,内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光器适用于激光模块和其他光电系统。

  • 激光二极管FKLD-10S-788-60-DB-14 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.788um 输出功率: 10mW

    FKLD-10S-788-60-DB-14是788nm AlGaAs量子阱用MOCVD半导体激光器制作。低门槛电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FKLD-10S-788-60-DB-14是一款CW单模注入半导体双光束激光器,内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光器适用于激光打印机和其他光电系统。

  • 激光二极管FKLD-10S-788-60X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.788um 输出功率: 10mW

    FKLD-10S-788-60X是用MOCVD半导体激光器制作的788nm AlGaAs量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于低工作电流,从而提高可靠性。FKLD-10S-788-60X是CW单模注入半导体激光器,内置监控光电二极管,输出功率稳定。该激光器适用于激光二极管模块和其它光电系统。

  • 激光二极管FKLD-10S-850-60X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.850um 输出功率: 10mW

    FKLD-10S-850-60X是用MOCVD半导体激光器制备的850nm AlGaAs量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FKLD-10S-850-60X是一款连续单模注入半导体激光器,内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光器适用于激光模块和其他光电系统。

  • 激光二极管FKLD-10S-905-70X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.905um 输出功率: 10mW

    FKLD-10S-905-70X是905nm InGaAs量子阱用MOCVD半导体激光器制作。低门槛电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FKLD-10S-905-70X是一款CW单模注入半导体激光器,内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光器适用于传感器应用和其他光电系统。

  • 激光二极管FKLD-15S-639-50X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.639um 输出功率: 15mW

    FKLD-15S-639-50X是639nm AlGaInP量子阱用MOCVD半导体激光器制作。低门槛电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FKLD-15S-639-50X是一款CW单模注入半导体激光器,内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光器适用于激光模块和其他光电系统。

  • 激光二极管FKLD-200M-808-40X-TM-B 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.808um 输出功率: 200mW

    FKLD-200M-808-40X-TM-B是用MOCVD半导体激光器制作的808nm AlGaAs量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,从而提高可靠性。FKLD-200M-808-40X-TM-B是一款CW多模注入半导体激光器,内置或不内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光适合应用于固体激光泵浦、医疗应用和其它光电系统中。

  • 激光二极管FKLD-20S-639-50X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.639um 输出功率: 20mW

    FKLD-20S-639-50X是639nm AlGaInP量子阱用MOCVD半导体激光器制作。低门槛电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FKLD-20S-639-50X是一款CW单模注入半导体激光器,内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光器适用于激光模块和其他光电系统。

  • 激光二极管FKLD-20S-850-60X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.850um 输出功率: 20mW

    FKLD-20S-850-60X是850nm AlGaAs量子阱用MOCVD半导体激光器制作。低门槛电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FKLD-20S-850-60X是一款CW单模注入半导体激光器,内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光器适用于激光模块和其他光电系统。

  • 激光二极管FKLD-300M-808-40X-TE-B 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.808um 输出功率: 300mW

    FKLD-300M-808-40X-Te-B是用MOCVD半导体激光器制备的808nm AlGaAs量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FKLD-300M-808-40X-TE-B是一款CW多模注入半导体激光器,内置或不内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光器适用于固体激光泵浦、医疗应用和其他光电子系统。