• S3 - QCW 半导体激光器
    美国
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 830 to 1100 nm 输出功率: 100 to 300 W 工作电压: 1.85 to 2 V 工作电流: 95 to 330 A

    美国Leonardo Electronics公司的S3-QCW是一种激光二极管,其波长为830至1100 nm,输出功率为100至300 W,工作电压为1.85至2 V,工作电流为95至330 A,阈值电流为10000至28000 mA.S3-QCW的更多细节可以在下面看到。

  • S4 - QCW 半导体激光器
    美国
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 830 to 1100 nm 输出功率: 100 to 300 W 工作电压: 1.85 to 2 V 工作电流: 95 to 330 A

    美国Leonardo Electronics的S4-QCW是一种激光二极管,波长为830至1100 nm,输出功率为100至300 W,工作电压为1.85至2 V,工作电流为95至330 A,阈值电流为10000至28000 mA.S4-QCW的更多细节可以在下面看到。

  • S5 - QCW 半导体激光器
    美国
    巴条配置: Horizontal Stack 工作模式: Pulsed Laser 波长: 830 to 1100 nm 输出功率: 100 to 300 W 工作电压: 1.85 to 2 V

    美国Leonardo Electronics公司的S5-QCW是一种激光二极管,其波长为830至1100 nm,输出功率为100至300 W,工作电压为1.85至2 V,工作电流为95至330 A,阈值电流为10000至28000 mA.S5-QCW的更多细节可以在下面看到。

  • S6 - QCW 半导体激光器
    美国
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 830 to 1100 nm 输出功率: 100 to 300 W 工作电压: 2 V 工作电流: 85 to 120 A

    美国Leonardo Electronics公司的S6-QCW是一种激光二极管,其波长为830至1100 nm,输出功率为100至300 W,工作电压为2 V,工作电流为85至120 A,阈值电流为7000至10000 mA.S6-QCW的更多细节可以在下面看到。

  • S7 - QCW 半导体激光器
    美国
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 830 to 1100 nm 输出功率: 100 to 150 W 工作电压: 1.85 to 2 V 工作电流: 95 to 330 A

    美国Leonardo Electronics的S7-QCW是一种激光二极管,其波长为830至1100 nm,输出功率为100至150 W,工作电压为1.85至2 V,工作电流为95至330 A,阈值电流为10000至28000 mA.S7-QCW的更多细节可以在下面看到。

  • S9 - QCW 半导体激光器
    美国
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 830 to 1100 nm 输出功率: 100 to 300 W 工作电压: 1.85 to 2 V 工作电流: 95 to 330 A

    美国Leonardo Electronics公司的S9-QCW是一种激光二极管,其波长为830至1100 nm,输出功率为100至300 W,工作电压为1.85至2 V,工作电流为95至330 A,阈值电流为10000至28000 mA.S9-QCW的更多细节可以在下面看到。

  • QCW-1000-G 半导体激光器
    以色列
    工作模式: CW Laser, Pulsed Laser 波长: 808 ±3 nm 输出功率: 100 W 工作电流: 105 A 堆栈/阵列: Array/Stack

    来自SIMIConductor Devices的QCW-1000-G是一款激光二极管,波长为808±3 nm,输出功率为100 W,工作电流为105 A,输出功率(CW)为100 W,工作温度为55摄氏度。有关QCW-1000-G的更多详细信息,请联系我们。

  • QCW-800-C 半导体激光器
    以色列
    工作模式: CW Laser 波长: 808 ±3 nm 输出功率: 100 W 工作电压: 18 V 工作电流: 105 A

    半导体器件公司的QCW-800-C是一种波长为808±3nm、输出功率为100W、工作电压为18V、工作电流为105A、阈值电流为20000mA的半导体激光器。有关QCW-800-C的更多详细信息,请联系我们。

  • QCW-840 半导体激光器
    以色列
    工作模式: CW Laser 波长: 808 ±3 nm 输出功率: 140 W 工作电流: 80 A 阈值电流: 20000 mA

    来自SIMIConductor Devices的QCW-840是一款激光二极管,波长为808±3 nm,输出功率为140 W,工作电流为80 A,阈值电流为20000 mA,输出功率(CW)为140 W.有关QCW-840的更多详细信息,请联系我们。

  • RLD65MQX1 半导体激光器
    日本
    工作模式: CW Laser 波长: 652 to 668 nm 输出功率: 0 to 0.01 W 工作电压: 2.3 to 2.8 V 工作电流: 0.015 to 0.04 A

    Rohm Semiconductor的RLD65MQX1是波长为652至668nm的激光二极管,输出功率为0至0.01W,工作电压为2.3至2.8V,工作电流为0.015至0.04A,阈值电流为15至40mA.有关RLD65MQX1的更多详细信息,请联系我们。

  • RLD90QZW3 半导体激光器
    日本
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 895 to 915 nm 工作电压: 16 to 22 V 工作电流: 30 A 阈值电流: 900 mA

    Rohm Semiconductor的RLD90QZW3是一种不可见的脉冲激光二极管,工作波长为905 nm.它提供了75W的峰值脉冲输出功率,脉冲宽度为50ns.该激光二极管的光束发散度为10度(平行)和25度(垂直),发射点精度为±150μm.其孔径尺寸为225×10μm.这款激光二极管需要16 V直流电源,阈值电流为0.9 A.它采用Ø5.6 mm TO-CAN封装,非常适合TOF传感器、测距仪、自动导引车(AGV)和安保应用。

  • RLD90QZW8 半导体激光器
    日本
    波长: 905 nm 输出功率: 120 W 工作电压: 16 V 阈值电流: 1 A 类型: Free Space Laser Diode

    Rohm的RLD90QZW8是一款脉冲激光二极管,工作波长为905 nm.它产生峰值输出功率为120W的窄光发射图案,并且具有±150μm的发射点精度。该激光二极管的孔径为270×10μm,光束发散度为10度(平行)和25度(垂直)。阈值电流为1 A,正向电压为16 V,正向电流为42 A.该激光二极管采用φ5.6mm CAN封装,非常适合车载激光雷达、自动导引车(AGV)、TOF传感器和安防应用。

  • RLD94SAQ6 半导体激光器
    日本
    波长: 940 nm 输出功率: 0.2 W 阈值电流: 70 mA

    Rohm Semiconductor的RLD94SAQ6是一款红外VCSEL二极管,工作波长为940 nm.它的光输出功率为200mW,转换效率为33%。该激光二极管具有0.85W/A的斜率效率和13度的光束发散FWHM.它的正向电压为2 V,正向电流为300 mA,阈值电流为70 mA.这款VCSEL二极管采用超薄SMD封装,尺寸为3 X 2 X 0.77 mm,非常适合3D深度传感器、TOF传感器、红外照明、距离测量、障碍物检测和手势识别应用。

  • 850D1S09X 半导体激光器
    德国
    厂商:Laser Components
    应用行业: Commercial, Military 芯片技术: AlGaAs 工作模式: Pulsed Laser 波长: 850 nm 输出功率: 13 W

    Laser Components的850D1S09X是一款AlGaAs脉冲激光二极管,工作波长为850 nm.它的输出功率为13W,效率为0.9W/A.该激光二极管的光谱带宽为5.5nm,光束扩展为10.5度(平行)和20度(垂直)。它的发射面积为225 X 1μm,脉冲宽度为150 ns.这款激光二极管的正向电压为3 V,最大正向电流为18 A.它采用密封和定制设计封装,非常适合测距、测量设备、武器模拟、激光雷达、安全屏障和光学触发应用。

  • 905D1S3J06-SQF-14-15 半导体激光器
    德国
    厂商:Laser Components
    应用行业: Medical 工作模式: Pulsed Laser 波长: 895 to 915 nm 输出功率: 25 W 工作电流: 22 A

    Laser Components的905D1S3J06-SQF-14-15是一款激光二极管,波长为895至915 nm,输出功率为25 W,工作电流为22 A,阈值电流为500 mA,输出功率(连续波)为25 W.有关905D1S3J06-SQF-14-15的更多详细信息,请联系我们。

  • ADL-83Y51TL 半导体激光器
    德国
    厂商:Laser Components
    芯片技术: AlGaAs 工作模式: CW Laser 波长: 830 nm 输出功率: 250 mW 工作电压: 1.9 to 2.4 V

    ADL-83Y51TL是一种低成本解决方案,适用于任何需要具有纵向单模光束轮廓的强大NIR激光二极管的应用,例如相机支持的手势控制。二极管在830nm的NIR范围内发射,并且具有250mW的CW功率。在脉冲操作中,它可以过驱动到高达500 MW.该器件采用紧凑的TO-56密封外壳,允许工作温度高达60°C.该器件配有集成式监控光电二极管,用于功率控制和稳定。激光二极管是光源和工业应用的理想选择。

  • ADL-94Y01EY-F2 半导体激光器
    德国
    厂商:Laser Components
    工作模式: CW Laser 输出功率: 0.2 W 工作电压: 1.9 V 工作电流: 0.35 to 0.4 A 阈值电流: 45 to 65 mA

    Laser Components的ADL-94Y01EY-F2是一款940nm红外激光二极管,可提供220 MW的光输出功率。该激光器需要45mA的阈值电流。它采用3.5 X 3.5 X 0.75 mm表面贴装封装,非常适合激光测距、光纤激光器泵浦和3D传感应用。

  • ALBALUX FM 半导体激光器
    德国
    厂商:Laser Components
    应用行业: Medical, Industrial, Defense 波长: 450 nm 工作电压: 12 V 工作电流: 2 A 激光颜色: White

    Laser Components的Albalux FM是一款白光光纤耦合激光模块,工作波长为450 nm.该激光器提供高亮度输出,可实现用于照明应用的长投射距离、窄光束角和小光学尺寸。它提供的白光强度高达LED的100倍。激光器通常提供超过150流明的光纤输出。它需要12 V电源并消耗2 A电流。该激光器可用于广泛的应用,包括医疗和工业内窥镜检查、光谱诊断、生物医学仪器、专业照明和许多其他应用。

  • GS-905系列 半导体激光器
    德国
    厂商:Laser Components
    应用行业: Scientific, Industrial, Military 工作模式: Pulsed Laser 波长: 895 to 915 nm 输出功率: 15 to 89 W 工作电压: 15 to 80 V

    Laser Components的GS-905系列是905 nm三结脉冲激光二极管,可提供80 W的输出功率。它们的脉冲宽度为2.5 ns,脉冲频率高达200 kHz.这些激光二极管采用密封TO-56封装,是快速可靠的激光测距应用(LIDAR)和扫描仪的理想选择,适用于安全、航空航天和汽车应用。该模块在小型密封封装内集成了大电流开关、电荷存储电容器和脉冲激光二极管。该封装有一个独立于信号和电源回路的接地引脚。

  • lcq78530s5n/m/p 半导体激光器
    德国
    厂商:Laser Components
    应用行业: Industrial 工作模式: CW Laser 波长: 775 to 795 nm 输出功率: 0.03 W 工作电压: 8 to 2.6 V

    Laser Components的LCQ78530S5N/M/P是一款激光二极管,波长为775至795 nm,输出功率为0.03 W,工作电压为8至2.6 V,工作电流为0.055至0.075 A,阈值电流为20至30 mA.有关LCQ78530S5N/M/P的详情,请联系我们。