• SES22-9xx-01 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: CW Laser 输出功率: 22 W 激光颜色: Infrared 类型: Free Space Laser Diode

    II-VI SES22-9xx-01单发射器激光二极管系列旨在为下一代光纤激光器和其他高功率激光二极管应用的200mm纤芯光纤泵浦配置提供最高的输出功率和效率。即使在极高的输出功率下,专有的E2前镜钝化工艺也可防止激光二极管端面的灾难性光学损伤(COD)。单发射极激光二极管的P面朝下安装在优化的基台上,热阻非常低。该系列可提供915、940和975 nm的标准波长(其他可根据要求提供)。激光二极管是光纤激光器泵浦、材料加工、印刷和医疗应用的理想选择。

  • V940-8904-G01 半导体激光器
    技术: Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser (VCSEL) 工作模式: Pulsed Laser 波长: 940 nm 输出功率: 7 to 110 W 工作电流: 4 A

    II-VI Incorporated的V940-8904-G01是一款多模双结VCSEL(激光器)阵列,工作波长为940 nm.它在短脉冲中提供高达110 W的输出功率。VCSEL提供高功率转换效率和斜率效率。它需要低工作电流,这降低了电感对上升时间的影响,最大限度地减少了电磁干扰(EMI),并简化了用于产生短脉冲的驱动器设计。VCSEL是红外照明、短程激光雷达和3D相机(移动、物联网)应用的理想选择。

  • nanoplus FP HPFP 1950-2350nm 半导体激光器
    德国
    厂商:nanoplus
    技术: Fabry-Perot (FP) 工作模式: CW Laser 波长: 1950 to 2350 nm 输出功率: 1000 mW 工作电压: 2.5 V

    Nanoplus的Nanoplus FP HPFP 1950-2350nm是一种法布里-珀罗激光二极管,工作波长为1950至2350nm.它提供1000 MW的连续输出功率,并且具有高效率。激光二极管需要2.5 V的直流电源,阈值电流高达300 mA.它基于nanoplus&rsquos FP激光技术,是气体传感应用的理想选择。

  • Cs - QCW激光器二极管 半导体激光器
    美国
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 830 to 1100 nm 输出功率: 80 to 120 W 工作电压: 1.85 to 2 V 工作电流: 95 to 330 A

    美国Leonardo Electronics公司的CS-QCW激光二极管是一种激光二极管,其波长为830至1100 nm,输出功率为80至120 W,工作电压为1.85至2 V,工作电流为95至330 A,阈值电流为10000至28000 mA.CS-QCW激光二极管的更多细节可以在下面看到。

  • R1 - QCW 半导体激光器
    美国
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 830 to 1100 nm 输出功率: 80 to 120 W 工作电压: 1.85 to 2 V 工作电流: 95 to 330 A

    美国Leonardo Electronics公司的R1-QCW是一种激光二极管,其波长为830至1100 nm,输出功率为80至120 W,工作电压为1.85至2 V,工作电流为95至330 A,阈值电流为10000至28000 mA.有关R1-QCW的更多详细信息,请联系我们。

  • R5 - QCW 半导体激光器
    美国
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 830 to 1100 nm 输出功率: 80 to 100 W 工作电压: 1.85 to 2 V 工作电流: 95 to 330 A

    美国Leonardo Electronics公司的R5-QCW是一种激光二极管,波长为830~1100nm,输出功率为80~100W,工作电压为1.85~2V,工作电流为95~330A,阈值电流为10000~28000mA.R5-QCW的更多细节可以在下面看到。

  • S1 - QCW 半导体激光器
    美国
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 830 to 1100 nm 输出功率: 80 to 100 W 工作电压: 1.85 to 2 V 工作电流: 95 to 330 A

    美国Leonardo Electronics公司的S1-QCW是一种激光二极管,其波长为830至1100 nm,输出功率为80至100 W,工作电压为1.85至2 V,工作电流为95至330 A,阈值电流为10000至28000 mA.下面可以看到S1-QCW的更多详细信息。

  • S12 - QCW 半导体激光器
    美国
    巴条配置: Horizontal Stack 工作模式: Pulsed Laser 波长: 830 to 1100 nm 输出功率: 100 to 300 W 工作电压: 1.85 to 2 V

    美国Leonardo Electronics公司的S12-QCW是一种激光二极管,其波长为830至1100 nm,输出功率为100至300 W,工作电压为1.85至2 V,工作电流为95至330 A,阈值电流为10000至28000 mA.S12-QCW的更多细节可以在下面看到。

  • S14 - QCW 半导体激光器
    美国
    巴条配置: Horizontal Stack 工作模式: Pulsed Laser 波长: 830 to 1100 nm 输出功率: 100 to 300 W 工作电压: 1.85 to 2 V

    美国Leonardo Electronics公司的S14-QCW是一种激光二极管,其波长为830至1100 nm,输出功率为100至300 W,工作电压为1.85至2 V,工作电流为95至330 A,阈值电流为10000至28000 mA.S14-QCW的更多细节可以在下面看到。

  • S15 - QCW 半导体激光器
    美国
    巴条配置: Horizontal Stack 工作模式: Pulsed Laser 波长: 830 to 1100 nm 输出功率: 100 to 300 W 工作电压: 1.85 to 2 V

    美国Leonardo Electronics公司的S15-QCW是一种激光二极管,其波长为830至1100 nm,输出功率为100至300 W,工作电压为1.85至2 V,工作电流为95至330 A,阈值电流为10000至28000 mA.S15-QCW的更多细节可以在下面看到。

  • S16 - QCW 半导体激光器
    美国
    巴条配置: Horizontal Stack 工作模式: Pulsed Laser 波长: 830 to 1100 nm 输出功率: 100 to 150 W 工作电压: 2 V

    美国Leonardo Electronics的S16-QCW是一种激光二极管,波长为830至1100 nm,输出功率为100至150 W,工作电压为2 V,工作电流为105至165 A,阈值电流为10000至14000 mA.S16-QCW的更多细节可以在下面看到。

  • S2 - QCW 半导体激光器
    美国
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 830 to 1100 nm 输出功率: 100 to 300 W 工作电压: 1.85 to 2 V 工作电流: 95 to 330 A

    美国Leonardo Electronics公司的S2-QCW是一种激光二极管,其波长为830至1100 nm,输出功率为100至300 W,工作电压为1.85至2 V,工作电流为95至330 A,阈值电流为10000至28000 mA.S2-QCW的更多细节可以在下面看到。

  • S25 - QCW 半导体激光器
    美国
    巴条配置: Horizontal Stack 工作模式: Pulsed Laser 波长: 830 to 1100 nm 输出功率: 80 to 120 W 工作电压: 1.85 to 2 V

    美国Leonardo Electronics公司的S25-QCW是一种激光二极管,其波长为830至1100 nm,输出功率为80至120 W,工作电压为1.85至2 V,工作电流为95至330 A,阈值电流为10000至28000 mA.S25-QCW的更多细节可以在下面看到。

  • S3 - QCW 半导体激光器
    美国
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 830 to 1100 nm 输出功率: 100 to 300 W 工作电压: 1.85 to 2 V 工作电流: 95 to 330 A

    美国Leonardo Electronics公司的S3-QCW是一种激光二极管,其波长为830至1100 nm,输出功率为100至300 W,工作电压为1.85至2 V,工作电流为95至330 A,阈值电流为10000至28000 mA.S3-QCW的更多细节可以在下面看到。

  • S4 - QCW 半导体激光器
    美国
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 830 to 1100 nm 输出功率: 100 to 300 W 工作电压: 1.85 to 2 V 工作电流: 95 to 330 A

    美国Leonardo Electronics的S4-QCW是一种激光二极管,波长为830至1100 nm,输出功率为100至300 W,工作电压为1.85至2 V,工作电流为95至330 A,阈值电流为10000至28000 mA.S4-QCW的更多细节可以在下面看到。

  • S5 - QCW 半导体激光器
    美国
    巴条配置: Horizontal Stack 工作模式: Pulsed Laser 波长: 830 to 1100 nm 输出功率: 100 to 300 W 工作电压: 1.85 to 2 V

    美国Leonardo Electronics公司的S5-QCW是一种激光二极管,其波长为830至1100 nm,输出功率为100至300 W,工作电压为1.85至2 V,工作电流为95至330 A,阈值电流为10000至28000 mA.S5-QCW的更多细节可以在下面看到。

  • S6 - QCW 半导体激光器
    美国
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 830 to 1100 nm 输出功率: 100 to 300 W 工作电压: 2 V 工作电流: 85 to 120 A

    美国Leonardo Electronics公司的S6-QCW是一种激光二极管,其波长为830至1100 nm,输出功率为100至300 W,工作电压为2 V,工作电流为85至120 A,阈值电流为7000至10000 mA.S6-QCW的更多细节可以在下面看到。

  • S7 - QCW 半导体激光器
    美国
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 830 to 1100 nm 输出功率: 100 to 150 W 工作电压: 1.85 to 2 V 工作电流: 95 to 330 A

    美国Leonardo Electronics的S7-QCW是一种激光二极管,其波长为830至1100 nm,输出功率为100至150 W,工作电压为1.85至2 V,工作电流为95至330 A,阈值电流为10000至28000 mA.S7-QCW的更多细节可以在下面看到。

  • S9 - QCW 半导体激光器
    美国
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 830 to 1100 nm 输出功率: 100 to 300 W 工作电压: 1.85 to 2 V 工作电流: 95 to 330 A

    美国Leonardo Electronics公司的S9-QCW是一种激光二极管,其波长为830至1100 nm,输出功率为100至300 W,工作电压为1.85至2 V,工作电流为95至330 A,阈值电流为10000至28000 mA.S9-QCW的更多细节可以在下面看到。

  • QCW-1000-G 半导体激光器
    以色列
    工作模式: CW Laser, Pulsed Laser 波长: 808 ±3 nm 输出功率: 100 W 工作电流: 105 A 堆栈/阵列: Array/Stack

    来自SIMIConductor Devices的QCW-1000-G是一款激光二极管,波长为808±3 nm,输出功率为100 W,工作电流为105 A,输出功率(CW)为100 W,工作温度为55摄氏度。有关QCW-1000-G的更多详细信息,请联系我们。