• 光明锁5015-0000 半导体激光器
    美国
    厂商:QPC Lasers
    芯片技术: InP or GaAs 工作模式: CW Laser 波长: 1532 nm 输出功率: 180 W 工作电压: 1.5 V

    来自QPC Lasers的BrightLock 5015-0000是一款激光二极管,波长为1532 nm,输出功率为180 W,工作电压为1.5 V,工作电流为95 A.BrightLock 5015-0000的更多详情见下文。

  • 光明锁5015-0002 半导体激光器
    美国
    厂商:QPC Lasers
    工作模式: CW Laser 波长: 1532 nm 输出功率: 300 W 工作电压: 1.5 V 工作电流: 95 A

    来自QPC Lasers的Brightlock 5015-0002是一款激光二极管,波长为1532 nm,输出功率为300 W,工作电压为1.5 V,工作电流为95 A.Brightlock 5015-0002的更多详细信息可在下面查看。

  • 光明锁7110-0001 半导体激光器
    美国
    厂商:QPC Lasers
    技术: Distributed Feedback (DFB) 工作模式: CW Laser 波长: 1064 nm 输出功率: 60 mW 工作电压: 2.2 V

    来自QPC Lasers的Brightlock 7110-0001是波长为1064 nm、输出功率为60 MW、工作电压为2.2 V、工作电流为400 mA的激光二极管。有关BrightLock 7110-0001的更多详细信息,请联系我们。

  • BrightLock®单模激光器 半导体激光器
    美国
    厂商:QPC Lasers
    技术: Distributed Feedback (DFB) 工作模式: CW Laser 波长: 1550 nm 输出功率: up to 500 mW 工作电压: 1.9 to 3.9 V

    QPC Lasers的BrightLock®单模激光器在1550 nm下工作时,可提供高达500 MW CW的输出功率。这些激光器具有500kHz的窄线宽和稳定的光谱。它们采用蝶形封装,非常适合于光纤播种、激光通信、激光雷达和测距应用。

  • ML562G85 半导体激光器
    日本
    工作模式: CW Laser 波长: 639 nm 输出功率: 0 to 2.1 W 工作电压: 2.25 V 阈值电流: 550 mA

    三菱电机(Mitsubishi Electric)的ML562G85是一款红色激光二极管,工作波长为639 nm.它产生2.1 W的CW输出功率和250流明的亮度,效率为41%。这款横向多模激光二极管采用独创的高功率技术和优化的外延结构,可在高达45摄氏度的高温下工作。它采用TO-CAN封装,尺寸为Ø9.0 mm,非常适合需要高亮度的大型场地激光投影仪。

  • 4PN-101 半导体激光器
    美国
    应用行业: Military, Space, Medical 工作模式: CW Laser 波长: 1450 nm 输出功率: 3.8 W 工作电压: 1.6 V

    Seminex的4PN-101是一款4针光纤耦合激光模块,工作波长为1450 nm,可提供4 W的CW输出功率。多模激光器具有10nm的光谱宽度。该激光器需要1.6 V电源,阈值电流为0.5 A.它采用高功率Seminex激光二极管芯片,与光电二极管或热敏电阻一起安装在方便的低成本封装中。该封装采用105/125.22NA光纤和SMA 905连接器。该激光模块适用于OEM医疗、DPSS泵浦源、激光雷达、自由空间通信和军事/航空航天应用。

  • B-103 半导体激光器
    美国
    应用行业: Military, Space, Medical 工作模式: CW Laser 波长: 1310 nm 输出功率: 6.2 W 工作电压: 1.8 V

    Seminex公司的B-103是中心波长为1310nm的激光二极管。该器件采用1.8 V电源供电,输出功率为6.2瓦。该激光二极管采用B-mount封装,是自由空间光通信、军事/航空航天、激光雷达和医疗激光设备应用的理想选择。

  • TO56m-100-173 半导体激光器
    美国
    应用行业: Medical, Aerospace / Military 芯片技术: InP 工作模式: Pulsed Laser 波长: 1250 nm 输出功率: 8 W

    Seminex的TO56M-100-173是一款输出波长为1250 nm的脉冲激光二极管。它产生8W的脉冲输出功率,脉冲宽度为150ns(占空比为0.1%)。这种单/多模激光二极管的斜率效率为0.2W/A,腔长为1500μm.它具有30度(垂直)的快轴划分和10度(平行)的慢轴划分。激光二极管需要7.3 V直流电源,阈值电流高达1 A.它采用TO56封装,尺寸为50 X 1μm,非常适合OEM和专业医疗、激光雷达、军事、航空航天和照明应用。

  • TO56m-200-173 半导体激光器
    美国
    应用行业: Medical, Aerospace / Military 芯片技术: InP 工作模式: Pulsed Laser 波长: 1250 nm 输出功率: 13 W

    Seminex的TO56M-200-173是一款工作波长为1250 nm的红外激光二极管。该激光器的脉冲输出功率为13W,斜率效率为0.2W/A,快轴发散角为30°(FWHM),慢轴发散角为14°(FWHM)。它需要7.9 V的直流电源,功耗高达35 A.该激光二极管采用TO56封装,适用于军事/航空航天、激光雷达、OEM医疗、专业医疗和照明应用。

  • TO56m-300 半导体激光器
    美国
    应用行业: Medical, Aerospace / Military 芯片技术: InP 工作模式: Pulsed Laser 波长: 1550 nm 输出功率: 15 W

    Seminex公司的TO56M-300是基于InP的红外激光二极管,工作波长为1550 nm.该激光器腔长为1250μm,光谱宽度为28.8nm,输出功率为15W,斜率效率为0.2W/A,功率效率为2%。它需要8.6 V的直流电源,阈值电流为1 A.该激光二极管采用TO56封装,非常适合OEM医疗、专业医疗、激光雷达、军事、航空航天和照明应用。

  • SLD259VS 半导体激光器
    工作模式: CW Laser 波长: 840 to 860 nm 输出功率: 200 to 250 mW 工作电压: 2.2 to 2.5 V 工作电流: 210 to 270 mA

    Sony的SLD259VS是一款AlGaAs量子结构激光二极管,工作波长为850 nm.它的输出功率为200 MW,工作电流高达270 mA.激光二极管采用5.6 mm TO56封装,非常适合3D传感、深度传感和手势识别应用。

  • LNCQ28MS01WW 半导体激光器
    日本
    技术: Multi-Quantum Well (MQW) 工作模式: CW/Pulsed Laser 波长: 656 to 665 nm 输出功率: 0.1 to 0.35 W 工作电压: 2 to 3 V

    Panasonic公司的LNCQ28MS01WW是一种MOCVD制造的激光二极管,具有多量子阱结构,工作波长为655至665nm.它提供高达350 MW的脉冲输出功率,工作温度范围为-10至+85°C.激光二极管的脉冲宽度高达40 ns,占空比高达33%。它需要2至3 V的直流电源,功耗为165 mA.激光二极管具有7.5至13度的平行光束发散度和13至19.5度的垂直光束发散度。它采用TO-56 CAN封装,非常适合用于光盘驱动器、传感、分析、测量和农业应用。

  • LNCQ28PS01WW 半导体激光器
    日本
    技术: Quantum Well 工作模式: CW Laser 波长: 656 to 665 nm 输出功率: 0.1 W 工作电压: 2.4 to 3 V

    LNCQ28PS01WW是Panasonic公司生产的波长为656~665nm的半导体激光器,输出功率为0.1W,工作电压为2.4~3V,工作电流为0.12 8~0.18A,阈值电流为50~80mA.有关LNCQ28PS01WW的更多详细信息,请联系我们。

  • ARR291P1800 半导体激光器
    美国
    厂商:Northrop Grumman
    应用行业: Direct Diode Applications 巴条配置: Vertical Stack 工作模式: Pulsed Laser 波长: 808 nm 输出功率: 0 to 1800 W

    诺斯罗普·格鲁曼公司的ARR291P1800是8/10/12激光二极管条堆叠的激光二极管阵列,工作波长为790至1550 nm.它的准连续输出功率为1800 W(每巴150 W),斜率效率为15 W/A,电光效率为55%。该激光器阵列具有高达38×7°的光束发散角和0.5-300ms的脉冲持续时间。它采用硬AuSn焊料和膨胀匹配材料组装,以提高可靠性,并通过非去离子标准过滤水进行冷却,使安装和维护更具成本效益和时间效率。该激光器具有快轴和慢轴准直透镜选项。它需要24 V的直流电源,消耗140 A的电流。该激光阵列采用H封装,非常适合材料处理、激光雷达、激光喷丸、钛泵、激光切割和直接二极管应用,如脱毛和塑料焊接。

  • ARR97C020 半导体激光器
    美国
    厂商:Northrop Grumman
    工作模式: CW Laser 波长: 808 nm 输出功率: 20 W 工作电压: 1.7 V 工作电流: 25 A

    诺斯罗普·格鲁曼公司的ARR97C020是一种传导冷却激光二极管阵列,中心波长为808nm(也可选择790-1550nm)。输出功率为20W,电光转换效率为47%。激光二极管阵列具有1.8nm的光谱宽度。该器件的工作电压为1.7 V,阈值电流为8 A.激光二极管阵列采用直接粘合的尖端光电C封装,尺寸为24.89 X 24.89 X 11.18 mm.该封装基于诺斯罗普·格鲁曼公司的Golden Bullet技术,该技术能够在每个封装中使用多个条。ARR97C020可安装到激光系统中,也可用于直接二极管应用。

  • ASM232P200 半导体激光器
    美国
    厂商:Northrop Grumman
    应用行业: Industrial, Scientific 工作模式: CW Laser, Pulsed Laser 波长: 808 nm 输出功率: 200 W 工作电压: 2 V

    诺斯罗普·格鲁曼公司的ASM232P200是一个工作波长为808nm的激光二极管子模块。它产生200W(每巴)的最小QCW(准连续波)输出功率,并且具有2.5nm的光谱宽度。这种激光二极管是基于专有的硬焊料技术与扩展匹配的材料。它具有15 A的阈值电流,并提供长脉冲和/或高占空比。该激光二极管需要2 V的直流电源并消耗180 A的电流。它采用Golden Bullet封装,尺寸为394 X 250 X 68 mm,是材料加工、Ti:S泵浦、激光雷达、激光切割和激光喷丸应用的理想选择。

  • UMB800C100 半导体激光器
    美国
    厂商:Northrop Grumman
    工作模式: CW Laser 波长: 808 nm 输出功率: 100 W 工作电压: 1.8 V 工作电流: 112 A

    诺斯罗普·格鲁曼公司的UMB800C100是一种808 nm激光二极管棒,具有25个200 X 1µm尺寸的发射器。它提供100W的CW输出功率,并且具有1.5nm的光谱宽度。该二极管的阈值电流为16 A,需要1.8 V电源。该二极管的条形尺寸为9.6 X 135 X 2000µm.

  • HPC 50W 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: CW Laser, Pulsed Laser 工作电压: 1.5 to 1.65 V 工作电流: 50 to 55 A 阈值电流: 4 to 4.7 A

    II-VI Incorporated的HPC 50W是一种多发射器激光二极管,工作波长为915、940、980、1030或1060 nm.它的输出功率为50W,功率转换效率超过60%,斜率效率为1–1.1W/A.该激光二极管的光谱宽度可达4nm,在FWHM处的光束发散角为5.5度(平行)和26度(垂直)。它的填充因子为18%,波长温度系数为0.3 nm/℃。该TE偏振激光二极管具有10个发射极,发射极间距为500μm,发射极宽度为90μm.HPC 50W符合RoHS规范,具有单量子阱MBE结构。即使在极高的输出功率下,专有的E2前镜钝化工艺也可防止激光二极管端面的灾难性光学损伤(COD)。低于1μm的低线栅微笑值和小发射极宽度提高了光纤耦合效率,特别是对于低纤芯直径。5.4 mm激光二极管半条安装在扩展匹配的底座上,采用传导冷却的铜块封装,在CW和脉冲工作模式下提供卓越的可靠性。HPC 50W需要4-4.7 A的阈值电流和消耗50-55 A电流的1.5-1.65 V直流电源。这款激光二极管采用尺寸为24.9 X 24.9 X 14.19 mm的封装,非常适合材料加工(焊接、切割等)、准直固态激光泵浦、光纤激光泵浦、印刷和医疗应用。

  • 季风系列 半导体激光器
    工作模式: CW Laser 激光颜色: Infrared 堆栈/阵列: Array/Stack 类型: Free Space Laser Diode RoHS: Yes

    II-VI Incorporated的Monsoon系列是模块化激光二极管棒,工作波长为795至1060 nm.它们提供可堆叠的40/50 W棒材、80/100 W棒材和200 W棒材,以提供与应用相匹配的模块化灵活性。这些模块化棒可以使用紧凑的框架垂直堆叠,该框架可提供高达6 kW的功率、高达1600 W的功率(使用无框架)或高达300 W的功率(使用水平阵列)。它们的光谱宽度(FWHM)为2.5或5 nm,功率效率高达60%。Monsoon系列激光二极管条基于专有的E2前镜钝化工艺,即使在极高的输出功率下,也能防止激光二极管面的灾难性光学损伤(COD)。它们采用硬焊技术,可为要求苛刻的应用提供卓越的可靠性,并在CW或QCW工作条件下实现高功率输出,而不会牺牲使用寿命。这些激光二极管棒还具有主动季风微通道冷却器,以提供用于垂直和水平堆叠的可扩展平台。它们采用尺寸为38.9 X 10.9 mm X 10 mm的模块,非常适合固态激光泵浦、直接应用,如材料加工(塑料焊接、热处理、退火、硬化等)、印刷和复印、医疗、生命和健康科学、国防和安全以及照明应用。

  • SES12-9xx-03 半导体激光器
    技术: Quantum Well 输出功率: 12 W 工作电压: 1.7 V 工作电流: < 12 A 阈值电流: 550 mA

    II-VI Incorporated的SES12-9xx-03是一款单发射器激光二极管,工作波长为915 nm、940 nm和975 nm.它提供高达12 W的输出功率,并具有4 nm的光谱宽度(FWHM)。该激光器需要1.7 V的直流电压,阈值电流高达550 mA.它的设计采用了专有的E2前镜钝化工艺,可防止灾难性的光学损伤(COD)。激光二极管的尺寸为400 X 150 X 90µm,非常适合光纤激光器泵浦、材料加工和医疗应用。