• PLPVDC 940_P_L01 半导体激光器
    奥地利
    厂商:ams OSRAM
    类型: Laser Module 工作模式: Pulsed Laser 波长: 940 nm 激光颜色: Infrared 功率: 3 W

    来自OSRAM的PLPVDC 940_P_L01是在940nm下操作的红外激光器模块。它具有内置驱动器IC,专为基于飞行时间(TOF)方法的3D传感应用而设计。940 nm VCSEL功率阵列提供3W的光输出功率,典型上升和下降时间为0.5 ns.内置激光驱动器IC提供自动功率控制(APC)、激光安全特性、集成温度传感器,并因寄生电感降低而改善了光上升时间。集成监控光电二极管用于校准光输出功率、自动功率控制以及检测激光安全问题(镜头掉落、皮肤接触)。这款激光模块外形紧凑,尺寸为3.6 X 5.46 mm,带有SPI接口,非常适合摄影、AR游戏和物体扫描应用。

  • ISV850-004 半导体激光器
    英国
    厂商:ISOCOM Limited
    技术: Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser (VCSEL) 波长: 840 to 870 nm 输出功率: 0.004 W 工作电压: 2.5 V 工作电流: 0.009 A

    ISOCOM的ISV850系列是2D VCSEL激光二极管,专为手势识别和3D相机应用而设计。这些激光二极管封装在TO-46罐中,带有2D VCSEL,能够在室温下提供超过500mW的CW功率。预期用途为短电脉冲(<10ns)和低占空比(<1%),峰值功率可达10W.在脉冲操作中,2D阵列发射高斯形状的光束,并且能够具有小于1纳秒的上升和下降时间。

  • FLPD-760-0.25-VCSEL-TO39 半导体激光器
    德国
    技术: Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser (VCSEL) 芯片技术: GaAsP/AlGaAs 波长: 760 nm 输出功率: 0.25 mW 工作电压: 2 V

    Frankfurt Laser Company的FLPD-760-0.25-VCSEL-TO39是GaAsP/AlGaAs二极管VCSEL(垂直腔面发射激光器),工作波长为760nm.最小输出功率0.25mW,壁插效率12%,斜率效率0.3W/A,谱宽100MHz,发散角10°~25°。它的正向电压为1.8 V,阈值电流为0.5 mA.该激光器具有ESD保护,并具有内部TEC、热敏电阻和PD.该器件采用TO-39封装,尺寸为Ø9.14 mm,非常适合TDLAS应用。

  • V850-10GSA-1TGA 半导体激光器
    美国
    厂商:Inneos
    技术: Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser (VCSEL) 工作模式: CW Laser 输出功率: 2.6 to 3 mW 工作电压: 1.9 to 2.9 V 工作电流: 6 mA

    Inneos的V850-10GSA-1TGA是一款10 Gbps VCSEL激光二极管,工作波长为850 nm.光输出功率为2.6-3 MW,斜率效率为0.7 MW/mA.该单通道顶部发射激光二极管具有0.6nm的光谱宽度和7.5GHz的最小小信号带宽,光束发散半角为21度。它需要1.8–2.1 V的直流电源,功耗为6 mA.该激光二极管具有小于6V的反向电压,并且需要1.6mA的阈值电流。它采用尺寸为250 X 250 X 200微米的封装,非常适合发射器光学子组件、以太网收发器和光纤通道收发器应用。

  • V940-12GWA-1TGA 半导体激光器
    美国
    厂商:Inneos
    应用行业: Automotive, Industrial, Aerospace 技术: Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser (VCSEL) 工作模式: CW Laser 输出功率: 1 to 2.5 mW 工作电压: 2.2 to 2.8 V

    Inneos的V940-12GWA-1TGA是一款垂直腔面发射激光二极管,工作波长为940 nm.光输出功率为2.5 MW,斜率效率为0.3-0.6 MW/mA.该单通道顶部发射VCSEL在小于9.0GHz的带宽下具有12Gbps的数据速率。它的光谱宽度为1nm,光束发散半角为15度。V940-12GWA-1TGA可集成到收发器或传感器中,经过设计和测试,可在恶劣环境应用中保持高性能。该激光二极管的阈值电流为0.75 mA,反向电压高达8 V.它需要2.2 V的直流电源,消耗6 mA的电流。这款VCSEL采用裸片封装,尺寸为0.25 X 0.25 mm,非常适合工业和航空航天应用。

  • V980-10GXA-1TGA 半导体激光器
    美国
    厂商:Inneos
    应用行业: Automotive, Industrial 技术: Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser (VCSEL) 工作模式: CW Laser 波长: 965 to 990 nm 输出功率: 1 to 1.6 mW

    Inneos的V980-10GXA-1TGA是一款垂直腔面发射激光二极管,工作波长为980 nm.光输出功率为1.6 W,斜率效率为0.5-0.75 MW/mA.该单通道顶部发射VCSEL在超过7.75GHz的带宽下具有10Gbps的数据速率。它的光谱宽度为0.4nm,光束发散半角为16度。V980-10GXA-1TGA可集成到收发器或传感器中,经过设计和测试,可在恶劣环境应用中保持高性能。该激光二极管的阈值电流为2 mA,反向电压高达8 V.它需要2-3.15 V的直流电源,消耗3 mA的电流。这款VCSEL采用裸片封装,尺寸为0.25 X 0.25 mm,非常适合工业和汽车应用。

  • V980-6GUA-1TGA 半导体激光器
    美国
    厂商:Inneos
    应用行业: Automotive, Industrial, Aerospace 技术: Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser (VCSEL) 工作模式: CW Laser 波长: 965 to 990 nm 输出功率: 1 to 2.7 mW

    Inneos的V980-6GUA-1TGA是一款垂直腔面发射激光二极管,工作波长为980 nm.光输出功率为2.7 MW,斜率效率为0.4-0.6 MW/mA.这种单通道顶部发射VCSEL在小于4.5GHz的带宽下具有6Gbps的数据速率。它的光谱宽度为0.4nm,光束发散半角为13度。V980-6GUA-1TGA可集成到收发器或传感器中,经过设计和测试,可在恶劣环境应用中保持高性能。该激光二极管的阈值电流为1 mA,反向电压高达8 V.它需要1.9-3.0 V的直流电源,消耗5 mA的电流。这款VCSEL采用裸片封装,尺寸为0.20 X 0.25 mm,非常适合恶劣环境传感器、发射器光学子组件和宽温度收发器。

  • V980-6GXA-1TGA 半导体激光器
    美国
    厂商:Inneos
    应用行业: Automotive, Industrial, Aerospace 技术: Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser (VCSEL) 工作模式: CW Laser 波长: 965 to 990 nm 输出功率: 1 to 1.6 mW

    Inneos的V980-6GXA-1TGA是一款6 Gbps VCSEL激光二极管,工作波长为980 nm.其光输出功率为1.6mW,斜率效率为0.5-0.75mW/mA.该单通道顶部发射激光二极管的光谱宽度为0.4nm,最小小信号带宽为4.5GHz,光束发散半角为16度。它需要2-3.3 V的直流电源,功耗为3 mA.该激光二极管的反向电压高达8 V,需要0.7 mA的阈值电流。该器件采用尺寸为250 X 250 X 200微米的封装,非常适合汽车、工业和航空航天应用中的恶劣环境传感器、发射器光学子组件和宽温度收发器。

  • V940-8904-G01 半导体激光器
    技术: Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser (VCSEL) 工作模式: Pulsed Laser 波长: 940 nm 输出功率: 7 to 110 W 工作电流: 4 A

    II-VI Incorporated的V940-8904-G01是一款多模双结VCSEL(激光器)阵列,工作波长为940 nm.它在短脉冲中提供高达110 W的输出功率。VCSEL提供高功率转换效率和斜率效率。它需要低工作电流,这降低了电感对上升时间的影响,最大限度地减少了电磁干扰(EMI),并简化了用于产生短脉冲的驱动器设计。VCSEL是红外照明、短程激光雷达和3D相机(移动、物联网)应用的理想选择。

  • VCSEL 760 - 830 纳米 半导体激光器
    美国
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 760 to 830 nm 输出功率: 0.5 to 8 W 工作电压: 11 to 22 V 工作电流: 110 A

    美国Leonardo Electronics的VCSEL 760-830 nm是一种激光二极管,波长为760至830 nm,输出功率为0.5至8 W,工作电压为11至22 V,工作电流为110 A,输出功率(CW)为0.5至8 W.

  • RLD94SAQ6 半导体激光器
    日本
    波长: 940 nm 输出功率: 0.2 W 阈值电流: 70 mA

    Rohm Semiconductor的RLD94SAQ6是一款红外VCSEL二极管,工作波长为940 nm.它的光输出功率为200mW,转换效率为33%。该激光二极管具有0.85W/A的斜率效率和13度的光束发散FWHM.它的正向电压为2 V,正向电流为300 mA,阈值电流为70 mA.这款VCSEL二极管采用超薄SMD封装,尺寸为3 X 2 X 0.77 mm,非常适合3D深度传感器、TOF传感器、红外照明、距离测量、障碍物检测和手势识别应用。

  • VD-0808I-004W-1C-2A0 半导体激光器
    德国
    厂商:Laser Components
    应用行业: Medical 技术: Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser (VCSEL) 工作模式: CW Laser 波长: 808 nm 输出功率: 0 to 4 W

    Laser Components的VD-0808I-004W-1C-2A0是一款垂直腔面发射激光器(VCSEL)二极管,工作波长为808 nm.该激光二极管的峰值输出功率高达4 W,效率高达39%。它的正向电压为2.2V,正向电流为4.5A.激光二极管的光束角为25°,发射面积为846×811μm.它采用氧化物隔离技术设计,采用3535封装。该激光二极管是3D传感器、激光雷达、红外照明、接近传感器和医疗应用的理想选择。

  • L795VH1 半导体激光器
    美国
    厂商:索雷博
    技术: Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser (VCSEL) 芯片技术: AlGaAs 工作模式: CW Lasers 波长: 788 to 800 nm 输出功率: 0.25 mW

    Thorlabs的L795VH1是一款AlGaAs VCSEL激光二极管,工作波长为788至800 nm,在线性偏振的圆形高斯光束中提供高达0.25 MW的功率。它的频谱轮廓是单模的,并且具有20dB的单模抑制比(SMSR)。这款紧凑型光源采用H引脚配置的TO-46封装,适合单频应用。激光二极管发射红外光,这可能对人眼有害。包含这些设备的产品必须遵循IEC 60825-1 “激光产品安全”中的安全预防措施。

  • L850VG1 半导体激光器
    美国
    厂商:索雷博
    技术: Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser (VCSEL) 芯片技术: AlGaAs 波长: 850 nm 输出功率: 2 mW 工作电压: 2.2 to 2.6 V

    Thorlabs的L850VG1是一款2 MW AlGaAs VCSEL激光二极管,工作波长为850 nm.该VCSEL二极管具有单纵向和单横向工作模式。它输出圆形高斯光束。该激光器采用TO-46封装,具有G引脚配置。它会发出对人眼有害的不可见光。包含这些设备的产品必须遵循IEC 60825-1 “激光产品安全”中的安全预防措施。

  • PLPVQ 940A 半导体激光器
    奥地利
    厂商:ams OSRAM
    技术: Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser (VCSEL) 工作模式: CW / Pulsed 波长: 932 to 948 nm 输出功率: 0.5 to 0.75 W 工作电压: 1.5 to 2.7 V

    欧司朗的PLPVQ 940A是一款垂直腔面发射激光器(VCSEL),工作波长范围为932至948 nm.该脉冲激光器的峰值输出功率高达0.75 W,上升/下降时间为1 ns.它的工作电压为1.5至2.7 V,功耗高达0.75 A.该装置的平行和垂直光束发散度分别为65度和78度。该激光器采用小型QFN封装,激光孔径为10µm(直径)X 40µm(间距),非常适合访问控制(虹膜/静脉扫描、面部识别)和手势识别应用。

  • CAC940D001 半导体激光器
    美国
    厂商:Vertilite
    技术: Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser (VCSEL) 工作模式: Pulsed Laser 输出功率: 180 to 210 mW 工作电压: 2.3 to 2.6 V 工作电流: 250 mA

    Vertilite的CAC940D001是一款垂直腔面发射激光二极管阵列,工作波长为940 nm.该激光器的输出功率为210mW,功率转换效率为36%,斜率效率为1W/A,光谱宽度(RMS)为2.5nm,光束全发散角为23°,阈值电流为30mA.它需要2.3 V的直流电源,功耗为250 mA.这款激光二极管阵列采用芯片封装,尺寸为212 X 241 X 100µm,非常适合手势识别、汽车传感、飞行时间和红外照明应用。

  • CAS850A005 半导体激光器
    美国
    厂商:Vertilite
    技术: Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser (VCSEL) 工作模式: CW Laser 输出功率: 0.4 to 1 mW 工作电压: 1.7 to 2.5 V 工作电流: 1.5 mA

    Vertilite的CAS850A005是一款垂直腔面发射激光器(VCSEL)二极管,工作波长为850 nm.该激光器输出光功率为0.6mW,功率转换效率为30%,斜率效率为0.8W/A,光束全发散角为16°,阈值电流为0.8mA.它需要2.1 V的直流电源,功耗为1.5 mA.这款激光二极管采用尺寸为173 X 173 X 100µm的封装,非常适合3D传感应用。

  • P35940S2G006 半导体激光器
    美国
    厂商:Vertilite
    技术: Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser (VCSEL) 工作模式: Pulsed Laser 输出功率: 2.5 to 2.8 W 工作电压: 1.5 to 2.3 V 工作电流: 3.5 A

    Vertilite的P35940S2G006是一款垂直腔面发射激光照明模块,工作波长为940 nm.该VCSEL二极管的输出功率为2.8W,功率转换效率为38%,斜率效率为1W/A,光谱宽度(RMS)为1nm,FWHM处的光束发散角为72°(长轴)和58°(短轴)。阈值电流为0.6 A,差分电阻为0.3Ω。该激光二极管需要1.9 V的直流电源,并消耗3.5 A的电流。它采用卷带封装,尺寸为3.5±0.1 X 3.2±0.1 X 1.2±0.1 mm,非常适合飞行时间和红外照明应用。

  • MS9740B 光谱分析仪
    日本
    分类:光谱分析仪
    厂商:安立公司
    波长范围: 600 to 1750 nm 波长精度: ±20 to ±300 ppm 光纤模式: Multi Mode 动态范围: 42 to 70 dB 扫描时间: 0.2 to 1.65 s

    MS9740B是一款光谱分析仪,工作波长范围为600 nm至1750 nm,可准确验证和改进5G和云通信系统中设计的100G/400G光模块的上市时间。台式OSA具有超过70dB的宽动态范围,测量处理时间小于0.35S(扫描30nm波长)。它具有低至–90 dBm的光学灵敏度,并且可以在45 dB或更高的情况下进行精确的边模抑制比(SMSR)测量。光谱分析仪专为高通量生产环境而设计。它支持多模光纤输入,是制造和评估850-nm波段VCSEL模块的理想选择。MS9740B支持九种应用测量模式,包括LD模块、DFB-LD、FP-LD、LED、PMD、WDM、光放大器(NF和增益)和WDM滤波器。

  • V00140 895nm VCSEL垂直腔表面发射激光器芯片(裸片) 半导体激光器
    美国
    厂商:Vixar Inc.
    波长: 894.6 nm 类型: VCSEL芯片(裸片) 正向电压: 1.78 V 芯片技术: GaAs VCSEL 应用行业: 原子钟,磁力计

    来自Vixar的V00140,是波长为895nm的单模VCSEL芯片(裸片)。输出功率为0.3mW,阈值电流为0.61mA,正向电流为1.4mA,线宽≤100MHz,调制带宽≥4.6GHz,可应用于原子钟,磁力计。该产品为现货,如有需要,请联系我们。