FTLD-1650-10S是基于GaInAsP/InP PBC量子阱结构的1650nm半导体激光器，采用MOCVD和LPE技术制备。激光二极管的主要特点是高可靠性和ESD不敏感。FTLD-1650-10S是一种连续单模注入半导体激光器。它采用SOT-148外壳，内置监控光电二极管和蝶形外壳，内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

FTLD-1660-05S是基于GaInAsP/InP PBC量子阱结构的1660nm激光器，采用MOCVD和LPE工艺制备。激光二极管的主要特点是高可靠性和ESD不敏感。FTLD-1660-05S是连续单模注入式半导体激光器。它采用SOT-148外壳，内置监控光电二极管和蝶形外壳，内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

FTLD-1660-10S是基于GaInAsP/InP PBC量子阱结构的1660nm激光器，采用MOCVD和LPE技术制备。激光二极管的主要特点是高可靠性和ESD不敏感。FTLD-1660-10S是连续单模注入式半导体激光器。它采用SOT-148外壳，内置监控光电二极管和蝶形外壳，内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

FTLD-1670-05S是基于GaInAsP/InP PBC量子阱结构的1670nm激光器，采用MOCVD和LPE工艺制备。激光二极管的主要特点是高可靠性和ESD不敏感。FTLD-1670-05S是连续单模注入式半导体激光器。它采用SOT-148外壳，内置监控光电二极管和蝶形外壳，内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

FTLD-1670-10S是基于GaInAsP/InP PBC量子阱结构的1670nm半导体激光器，采用MOCVD和LPE工艺制备。激光二极管的主要特点是高可靠性和ESD不敏感。FTLD-1670-10S是连续单模注入式半导体激光器。它采用SOT-148外壳，内置监控光电二极管和蝶形外壳，内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

FTLD-1690-05S是基于GaInAsP/InP PBC量子阱结构的1690nm激光器，采用MOCVD和LPE工艺制备。激光二极管的主要特点是高可靠性和ESD不敏感。FTLD-1690-05S是连续单模注入式半导体激光器。它采用SOT-148外壳，内置监控光电二极管和蝶形外壳，内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

FTLD-1690-10S是基于GaInAsP/InP PBC量子阱结构的1690nm激光器，采用MOCVD和LPE工艺制备。激光二极管的主要特点是高可靠性和ESD不敏感。FTLD-1690-10S是连续单模注入式半导体激光器。它采用SOT-148外壳，内置监控光电二极管和蝶形外壳，内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

光电二极管PD 24-03设计用于探测1000至2430nm中红外光谱范围内的辐射。它们由与GaSb衬底晶格匹配的窄带隙GaInAsSb/AlGaAsSb基异质结构制成。

光电二极管PD 36-03被设计用于检测从1800到3800nm的中红外光谱范围内的辐射。它们由与InAs衬底晶格匹配的窄带隙InAsSbP/InAs基异质结构制成。

光电二极管PD 36-05设计用于检测1800至3600nm中红外光谱范围内的辐射。它们由与InAs衬底晶格匹配的窄带隙InAsSbP/InAs基异质结构制成。

光电二极管PD 41-03设计用于探测3000至4100nm中红外光谱范围内的辐射。它们由与InAs衬底晶格匹配的窄带隙InAsSbP/InAs基异质结构制成。

光电二极管PD 41-05设计用于探测3000至4100nm中红外光谱范围内的辐射。它们由与InAs衬底晶格匹配的窄带隙InAsSbP/InAs基异质结构制成。

光电二极管PD 43-03设计用于探测3000-4600nm中红外光谱范围内的辐射。它们由与InAs衬底晶格匹配的窄带隙InAsSbP/InAs基异质结构制成。

光电二极管PD 43-05设计用于检测2600至4600nm中红外光谱范围内的辐射。它们由与InAs衬底晶格匹配的窄带隙InAsSbP/InAs基异质结构制成。

光电二极管PD 36-05-CG（带玻璃盖）设计用于探测1800-3600nm中红外光谱范围内的辐射。它们由与InAs衬底晶格匹配的窄带隙InAsSbP/InAs基异质结构制成。

光电二极管PD 43-03-CG（带玻璃盖）设计用于探测3000-4600nm中红外光谱范围内的辐射。它们由与InAs衬底晶格匹配的窄带隙InAsSbP/InAs基异质结构制成。

光电二极管PD 43-05-CG（带玻璃盖）设计用于探测2600至4600 nm中红外光谱范围内的辐射。它们由与InAs衬底晶格匹配的窄带隙InAsSbP/InAs基异质结构制成。

光电二极管PD 36-03-CG（带玻璃盖）设计用于探测1800-3800nm中红外光谱范围内的辐射。它们由与InAs衬底晶格匹配的窄带隙InAsSbP/InAs基异质结构制成。

Hamamatsu Photonics的P13243-045CF是一款InAsSb光电二极管，工作波长为4450 nm.光电二极管的灵敏度为3.7mA/W，光谱响应半峰全宽（FWHM）为350nm，探测率为8.2×108cm·Hz1/2/W，光敏面积为0.7×0.7mm，视场为90°，带通滤波器为4.45μm.上升时间为15 ns，噪声等效功率为8.5 X 10-11 W/Hz1/2，分流电阻为300 kΩ。P13243-045F采用陶瓷封装，非常适合火焰监测应用。

Hamamatsu Photonics的P13243-045MF是一款InAsSb光电二极管，工作波长为4450 nm.光电二极管的灵敏度为3.7mA/W，光谱响应半峰全宽（FWHM）为350nm，探测率为8.2×108cm·Hz1/2/W，光敏面积为0.7×0.7mm，带通滤波器为4.45μm，视场为82°。它的上升时间为15 ns，噪声等效功率为8.5 X 10-11 W/Hz1/2，分流电阻为300 kΩ。P13243-045MF采用TO-46封装，非常适合火焰监测应用。