• plpvq 940a bidos 半导体激光器
    奥地利
    厂商:ams OSRAM
    输出功率: 0.58W 激光波长: 0.940um 脉宽: 00 - 200000 ns 中心波长附近的调谐范围: Not Applicable

    小尺寸QFN中的VCSEL脉冲激光器

  • 准940nm VCSEL。 半导体激光器
    美国
    厂商:Vixar Inc.
    波长: 940nm

    准(具有高斯光束形状和多模光谱轮廓)940nm VCSEL。

  • STANDA ZO 晶体石英波板 14WPZO.4-940-15 偏振光学元件
    美国
    波形板类型: Zero Order 材料: Quartz 安装: Mounted 形状: Round 尺寸: 15mm

    波片是由具有双折射特性的材料制成的,通过双折射材料的非寻常光和寻常光的速度与它们的折射率成反比,当两束光复合时,这种速度上的差异会引起相位差。在任何特定波长下,相位差由延迟器-波片的厚度决定。ZO波片由两块石英波片构成,其快轴相互交叉。两块板之间的厚度差决定了延迟。

  • vcprobe-nir-stg-1 科学和工业相机
    法国
    厂商:Eldim
    相机类型: Industrial, Scientific 阵列类型: Not Specified 光谱带: 1 - 0.94 um # 像素(高度): 2801 # 像素(宽度): 2801

    VCPROBE-NIR-STG是测量小孔径近红外光源的理想选择,为LED和激光器等近红外光源提供了一种高效的测量解决方案。该系统可在±70°视角锥内进行全图测量,具有出色的角分辨率,工作距离为4mm非接触式测量。建议用于2.5 mm出射光瞳发射器。DXY+/-1 mm容差,相对于位置的可重复性优于1%,便于在线定位。VCPROBE-NIR-STG在940 nm波长下校准,可为研发和大规模生产/质量控制应用提供高速和精确的测量。如果您需要一个类似的系统用于特殊项目或大规模生产,我们可以建立一个符合您要求的系统。

  • vcprobe-nir-stg-2 科学和工业相机
    法国
    厂商:Eldim
    相机类型: Scientific, Security 阵列类型: Not Specified 光谱带: 1 - 0.940 um # 像素(高度): 2801 # 像素(宽度): 2801

    VCPROBE-NIR-STG是测量小孔径近红外光源的理想选择,为LED和激光器等近红外光源提供了一种高效的测量解决方案。该系统可在±70°视角锥内进行全图测量,具有出色的角分辨率,工作距离为4mm非接触式测量。建议用于2.5 mm出射光瞳发射器。DXY+/-1 mm容差,相对于位置的可重复性优于1%,便于在线定位。VCPROBE-NIR-STG在940 nm波长下校准,可为研发和大规模生产/质量控制应用提供高速和精确的测量。如果您需要一个类似的系统用于特殊项目或大规模生产,我们可以建立一个符合您要求的系统。

  • Yb:YAG 晶体 激光晶体
    中国大陆
    分类:激光晶体
    水晶类型: Er:YAG 水晶直径: 3mm 水晶长度: 50mm AR 涂层: Both sides

    Yb:YAG(Yb:YAG)是一种工作波长为1030nm的激光介质,在940nm处有一个宽达18nm的吸收带。它是高功率二极管泵浦固体激光器中较有用的介质之一。所使用的掺杂剂水平在被取代的钇原子的0.2%和30%之间。Yb:YAG具有很低的加热率、很高的斜率效率、没有激发态吸收和上转换发光、高机械强度和高热导率等优点。Yb:YAG可用940或970nm的可靠InGaAs激光二极管泵浦。Yb:YAG在高功率应用中是1064nm Nd:YAG的良好替代品,其倍频的515nm版本可以替代514nm激光器。

  • Yb:YAG激光晶体 激光晶体
    美国
    分类:激光晶体
    厂商:OptoCity
    水晶类型: Yb:YAG 水晶直径: 20mm 水晶长度: 70mm AR 涂层: One side, Both sides, Uncoated

    掺镱YAG(Yb:YAG)是一种在1030nm处产生激光的活性激光晶体,在940nm处具有18nm宽的吸收带。它是高功率二极管泵浦固体激光器中较有用的晶体之一。掺杂剂水平在被取代的钇原子的0.2-30%之间。Yb:YAG具有很低的发热分数、很高的斜率效率、无激发态吸收和上转换发光、高机械强度和高热导率等优点。Yb:YAG可由940或970nm的可靠InGaAs激光二极管泵浦。

  • Crytur的Yb:YAG棒 激光晶体
    捷克
    分类:激光晶体
    厂商:Crytur Ltd.
    水晶类型: Yb:YAG 水晶直径: 80mm 水晶长度: 100mm AR 涂层: One side, Both sides

    Yb3+离子表现出小的量子亏损和准三能级系统,具有长的激光上能级寿命,这对于调Q激光器中的能量积累是重要的。Yb3+的宽发光带有利于亚皮秒脉冲的产生。Yb:YAG晶体在940nm处具有较长的储能寿命、较宽的吸收带和较低的量子亏损,是二极管泵浦高能激光器的理想选择。

  • ZO 晶体石英波板 14WPZO.4-940-12.7 偏振光学元件
    美国
    波形板类型: Zero Order 材料: Quartz 安装: Mounted 形状: Round 尺寸: 12.7mm

    波片是由具有双折射特性的材料制成的,通过双折射材料的非寻常光和寻常光的速度与它们的折射率成反比,当两束光复合时,这种速度上的差异会引起相位差。在任何特定波长下,相位差由延迟器-波片的厚度决定。ZO波片由两块石英波片构成,其快轴相互交叉。两块板之间的厚度差决定了延迟。

  • ZO 晶体石英波板 14WPZO.4-940-20 偏振光学元件
    美国
    波形板类型: Zero Order 材料: Quartz 安装: Mounted 形状: Round 尺寸: 20mm

    波片是由具有双折射特性的材料制成的,通过双折射材料的非寻常光和寻常光的速度与它们的折射率成反比,当两束光复合时,这种速度上的差异会引起相位差。在任何特定波长下,相位差由延迟器-波片的厚度决定。ZO波片由两块石英波片构成,其快轴相互交叉。两块板之间的厚度差决定了延迟。

  • 940纳米VCSEL芯片V00101 - 多模式 半导体激光器
    美国
    厂商:Vixar Inc.
    波长: 940 nm 光功率: 10.5 W 操作/焊接温度: -40°C~100°C 储存温度: -40°C~110°C 正向电流: max. 22mA

    波长:940nm;裸片尺寸:0.175 mm X 0.215 mm3个光圈;建议较大峰值功率CW,100%DC:15 MW;

  • 940纳米VCSEL芯片V00059 - 高功率 半导体激光器
    美国
    厂商:Vixar Inc.
    波长: 940 nm 光功率: 2.3 W 操作/焊接温度: -40°C to 110°C 储存温度: -40°C to 110°C 正向电流(脉冲操作): 6A

    货号:V00059;裸片尺寸:0.87mm X 0.87mm 281孔径;建议较大峰值功率CW,100%DC:2W;推荐较大峰值功率100μs,1%DC:6W;推荐较大峰值功率5ns,0.1%DC:13W

  • 940纳米VCSEL芯片V00081 - 高功率 半导体激光器
    美国
    厂商:Vixar Inc.
    操作/焊接温度: -40°C - 110°C 储存温度: -40°C - 110°C 正向电流(脉冲操作): 5 A 正向电流(直流操作): 10 A 反向电压: Not designed for reverse operation

    货号:V00081;裸片尺寸:0.9毫米X 1.00毫米550孔;推荐的较大峰值功率CW,100%DC:3W;推荐较大峰值功率100μs,1%DC:8W;推荐较大峰值功率5ns,0.1%DC:35W

  • 940纳米VCSEL V00155 - 高功率 半导体激光器
    美国
    厂商:Vixar Inc.
    操作/焊接温度: -20°C~100°C 储存温度: -20°C~110°C 正向电流: 8.5A 正向电流(脉冲操作): 3.5A 反向电压: Not designed for reverse operation

    货号:V00155;裸片尺寸:0.90mm X 1.00mm 550孔多结(2J);推荐的较大峰值功率CW,100%DC:4W;推荐较大峰值功率100μs,1%DC:10W;推荐较大峰值功率5ns,0.1%DC:75W

  • 940纳米VCSEL V00156 - 高功率 半导体激光器
    美国
    厂商:Vixar Inc.
    操作/焊接温度: -20°C-100°C 储存温度: -20°C-110°C 正向电流(脉冲操作): 7A 正向电流(直流操作): 3A 反向电压: Not designed for reverse operation

    货号:V00156;裸片尺寸:0.90mm X 1.00mm 550孔多结(3J);建议较大峰值功率连续波,100%直流:4W;推荐较大峰值功率100μs,1%DC:12W;推荐较大峰值功率5ns,0.1%DC:110W

  • 940纳米VCSEL芯片V00063 - 高功率 半导体激光器
    美国
    厂商:Vixar Inc.
    操作/焊接温度: -40°C to 110°C 储存温度: -40°C to 110°C 正向电流(脉冲操作): max. 16A 正向电流(直流操作): max. 6A 反向电压: Not designed for reverse operation

    货号:V00063;裸片尺寸:1.26mm X 1.26mm 770孔径;建议较大峰值功率连续波,100%直流:4W;推荐较大峰值功率100μs,1%DC:11W;推荐较大峰值功率5ns,0.1%DC:36W

  • 940纳米VCSEL芯片V00132 - 高功率 半导体激光器
    美国
    厂商:Vixar Inc.
    操作/焊接温度: -40°C to 110°C 储存温度: -40°C to 110°C 正向电流(脉冲操作): max. 10A 正向电流(直流操作): max. 20A 反向电压: Not designed for reverse operation

    货号:V00155;裸片尺寸:1.99mm X 1.99mm 1672孔径;推荐的较大峰值功率CW,100%DC:6W;推荐较大峰值功率100μs,1%DC:20W;推荐较大峰值功率5ns,0.1%DC:76W

  • VCSEL评估模块 半导体激光器
    美国
    厂商:Vixar Inc.
    波长: 850nm(V00133) / 940nm(V00132) 峰值电流: 130A 传播延迟: 1-2ns 供电电压: 7V-10V 门驱动器电源电压: 5V

    VIXAR评估模块用于产生高光功率的短激光脉冲飞行时间(TOF)和VCSEL闪光激光雷达应用。它结合了高功率VCSEL具有超快氮化镓(GaN)场效应晶体管(FET)、栅极驱动器和放电电容器组。该模块可以被驱动用于高速脉冲操作,并且它可以产生高峰值功率的短光脉冲。 评估模块安装了850 nm(V00133)和940 Nm(V00132)VCSEL芯片产品目前可从Vixar的标准产品组合中获得。VCSEL被驱动EPC2045 GaN开关FET能够提供高达130 A的电流脉冲。由Texas Instruments LMG1020驱动,这是一种具有传播延迟的高电流栅极驱动器1–2纳秒。有关的更多信息,请参阅相应的组件数据表。 VCSEL芯片、EPC2045 GaN FET和LMG1020栅极驱动器。驱动电路采用PCB技术构建,以改善VCSEL的散热性能。并使激光性能较大化。对于直接热,存在大热结合焊盘,从VCSEL芯片到连接的散热器的散热。驱动器电路和评估板两者都配备有电容器组,以改善到驱动器电路的电荷输送,用于更高的占空比(DC)操作。

  • 940纳米VCSEL - V00159评估模块 半导体激光器
    美国
    厂商:Vixar Inc.
    波长: 940 nm 操作/焊接温度: -40°C to 105°C 储存温度: -40°C to 120°C 正向电流: 130A 供电电压: 10V

    VIXAR评估模块的开发旨在帮助客户开发用于飞行时间(TOF)应用的VCSEL。该模块可以用峰值功率高达80W的高光脉冲来驱动高速脉冲操作。该模块可用于在各种测试条件下评估Vixar的高功率VCSEL产品。该驱动器模块可安装在评估板上,以便快速设置和测量Vixar的高功率芯片和简化的高速GaN FET电路。SMA连接器允许快速连接脉冲触发器和FET电压测量。该模块已显示出在110 A的正向电流下提供80W的峰值光功率。

  • CW: TDFA-CW 光纤放大器
    美国
    分类:光纤放大器
    放大器类型: TDFA Amplifier 输出类型: Pulse 输入功率: -10 dBm 波长: 1940 to 2010 nm

    Nuphoton Technologies,Inc.的CW:TDFA-CW是一种光纤放大器,电源电压为24 V,输入功率为-10 dBm,信号增益为30 dB,波长为1940至2010 nm,工作温度为-5至50摄氏度。