• BP810 滤光片
    美国
    分类:滤光片
    过滤器类型: Bandpass Filter 玻璃颜色: Narrow Near-IR 波长: 790 to 830 nm 半高宽(FWHM): 65 nm 过滤器形状: Round

    来自Midwest Optical Systems,Inc.的BP810是具有波长790至830nm、带宽(FWHM)65nm的光学滤波器。有关BP810的更多详细信息,请联系我们。

  • ITF-50S-83IR 滤光片
    美国
    分类:滤光片
    过滤器类型: Color Glass Filter 玻璃颜色: Black 波长: 830 nm RoHS: Yes 过滤器形状: Square

    OptoSigma公司的ITF-50S-83IR是波长为830nm的滤光器。有关ITF-50S-83IR的更多详细信息,请联系我们。

  • vpf-50s-12-65-83000 滤光片
    美国
    分类:滤光片
    过滤器类型: Bandpass Filter, Interference Filter 阻挡波长: 1 to 1200 nm RoHS: Yes 过滤器形状: Square

    来自OptoSigma Corporation的VPF-50S-12-65-83000是具有中心波长(CWL)830nm、阻挡波长1至1200nm的光学滤波器。有关VPF-50S-12-65-83000的更多详细信息,请联系我们。

  • I830-30C 激光器模块和系统
    美国
    厂商:MeshTel
    类型: Laser Module 工作模式: CW Laser 超快激光: Nanosecond Lasers 波长: 830 nm 可调谐: No

    来自Meshtel的I830-30C是波长为830nm、功率为0.03W、输出功率(脉冲)为30mW、输出功率(CW)为0.03W、脉冲能量为0.1mJ的激光器。I830-30C的更多详细信息可以在下面看到。

  • LS-1 激光器模块和系统
    德国
    厂商:Laser Components
    类型: Laser System 工作模式: CW Laser 可调谐: No 模式: Multi-mode 激光颜色: Red, Near-Infrared, Infrared

    来自Laser Components的LS-1是波长为647nm、785nm、830nm、1064nm的激光器,功率为500至800mW,工作温度为10至40摄氏度,存储温度为-10至60摄氏度。

  • LS-2 激光器模块和系统
    德国
    厂商:Laser Components
    类型: Laser System 工作模式: CW Laser 可调谐: No 模式: Multi-mode 激光颜色: Red, Near-Infrared, Infrared

    来自Laser Components的LS-2是波长为647nm、785nm、830nm、1064nm的激光器,功率为500至800mW,工作温度为10至40摄氏度,存储温度为-10至60摄氏度。

  • 大学生-5 激光器模块和系统
    美国
    厂商:KM Labs, Inc.
    类型: Laser System 技术: Mode-Locked Laser, Solid State Laser 工作模式: Pulsed Laser 超快激光: Femtosecond Lasers 波长: 760 to 830 nm

    来自KMLabs的College-5是波长为760至830nm、功率为500W、输出功率(脉冲)为500W、脉冲能量为5.2nJ的激光器。College-5的更多细节可以在下面看到。

  • 大专院校 激光器模块和系统
    美国
    厂商:KM Labs, Inc.
    类型: Laser System 技术: Mode-Locked Laser, Solid State Laser 工作模式: Pulsed Laser 超快激光: Femtosecond Lasers 波长: 760 to 830 nm

    来自KMLabs的Collegiate是波长为760至830nm、功率为5W、输出功率(脉冲)为5W、脉冲能量为5.2nJ的激光器。学院的更多细节可以在下面看到。

  • IDT 6 激光器模块和系统
    意大利
    厂商:ID&T
    类型: Laser Pointer, Alignment Laser 工作模式: CW Laser 可调谐: No 激光颜色: Red, Infrared 功率: 0.9 to 2 mW

    来自ID&T的IDT 6是波长为635、650、670、780、808、830nm的激光器,功率为0.9至2mW,输出功率(CW)为0.9至2mW,工作温度为-15至50摄氏度,存储温度为-40至85摄氏度。

  • 真高斯激光(TGL) 激光器模块和系统
    加拿大
    厂商:OSELA
    类型: Laser Module, Alignment Laser 技术: Direct Diode Laser 波长: 405 to 830 nm 可调谐: Yes 功率: 15 to 100 mW

    Osela的真高斯激光器(TGL)是一种工作波长为405至830nm的高斯激光器。它的输出功率为15.35-100mW,波长漂移为0.25nm/度。激光器产生的圆形光束的指向稳定性优于6µrad/°C,视轴低于3 mrad,上升/下降时间小于5µs.它需要5至24 V的直流电源,并具有100:1的高极化比。该激光器配有带飞线的18英寸电源电缆,并具有ESD保护,可承受高达30 VDC的过压。它使用独特的光学技术,在紧凑的独立自由空间模块中产生类似光纤的衍射受限光束。该技术允许在长工作范围内保持高高斯拟合(>95%),而没有通常在直接二极管激光器中发现的副瓣。该激光器是生命科学、仪器仪表和定位应用的理想选择。

  • A堆栈808纳米 半导体激光器
    西班牙
    厂商:Monocrom
    巴条配置: Vertical Stack 波长: 780 to 830 nm 输出功率: 20 to 500 W 工作电流: 20 to 450 A 阈值电流: 4 to 30 A

    来自MonoCrom的堆叠808nm是具有波长780至830nm、输出功率20至500W、输出功率20至500W、工作电流20至450A的激光二极管。堆叠808nm的更多细节可以在下面看到。

  • DFB激光二极管 - 760 nm - 830 nm 半导体激光器
    德国
    厂商:nanoplus
    技术: Distributed Feedback Laser (DFB) 工作模式: CW Laser 波长: 759 to 761 nm 输出功率: 0.01 W 工作电压: 2 V

    来自Nanoplus的DFB激光二极管-760 nm-830 nm是波长为759至761 nm、输出功率为0.01 W、工作电压为2 V、工作电流为0.03 A、阈值电流为10至30 mA的激光二极管。DFB激光二极管-760nm-830nm的更多详细信息可以在下面看到。

  • Cs 半导体激光器
    Cs
    美国
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 760 to 830 nm 输出功率: 80 to 120 W 工作电压: 1.9 to 2.1 V 工作电流: 95 to 330 A

    来自美国Leonardo Electronics的CS是激光二极管,其波长为760至830nm,输出功率为80至120W,工作电压为1.9至2.1V,工作电流为95至330A,阈值电流为10000至28000mA.有关CS的更多详细信息,请联系我们。

  • LT1020 760-830纳米 半导体激光器
    美国
    工作模式: CW Laser 波长: 760 to 830 nm 输出功率: 20 to 80 W 工作电压: 1.8 to 2 V 工作电流: 0.5 to 8.5 A

    美国Leonardo Electronics公司的LT1020 760-830nm是一种激光二极管,其波长为760至830nm,输出功率为20至80W,工作电压为1.8至2V,工作电流为0.5至8.5A,阈值电流为100至700mA.LT1020 760-830 nm的更多详细信息可以在下面看到。

  • S12 半导体激光器
    S12
    美国
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 760 to 830 nm 输出功率: 100 to 300 W 工作电压: 1.9 to 2.1 V 工作电流: 95 to 330 A

    Leonardo Electronics US的S12是激光二极管,其波长为760至830nm,输出功率为100至300W,工作电压为1.9至2.1V,工作电流为95至330A,阈值电流为10000至28000mA.S12的更多细节可以在下面看到。

  • S14 半导体激光器
    S14
    美国
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 760 to 830 nm 输出功率: 100 to 300 W 工作电压: 1.9 to 2.1 V 工作电流: 95 to 330 A

    来自美国Leonardo Electronics的S14是激光二极管,其波长为760至830nm,输出功率为100至300W,工作电压为1.9至2.1V,工作电流为95至330A,阈值电流为10000至28000mA.有关S14的更多详细信息,请联系我们。

  • S2 半导体激光器
    S2
    美国
    巴条配置: Horizontal Stack 工作模式: Pulsed Laser 波长: 760 to 830 nm 输出功率: 80 to 100 W 工作电压: 1.9 to 2.1 V

    来自美国Leonardo Electronics的S2是激光二极管,其波长为760至830nm,输出功率为80至100W,工作电压为1.9至2.1V,工作电流为95至330A,阈值电流为10000至28000mA.S2的更多细节可以在下面看到。

  • S25 半导体激光器
    S25
    美国
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 760 to 830 nm 输出功率: 80 to 120 W 工作电压: 1.9 to 2.1 V 工作电流: 95 to 330 A

    来自美国Leonardo Electronics的S25是激光二极管,其波长为760至830nm,输出功率为80至120W,工作电压为1.9至2.1V,工作电流为95至330A,阈值电流为10000至28000mA.有关S25的更多详细信息,请联系我们。

  • S3 半导体激光器
    S3
    美国
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 760 to 830 nm 输出功率: 100 to 300 W 工作电压: 1.9 to 2.1 V 工作电流: 95 to 330 A

    来自Leonardo Electronics US的S3是激光二极管,其波长为760至830nm,输出功率为100至300W,工作电压为1.9至2.1V,工作电流为95至330A,阈值电流为10000至28000mA.下面可以看到S3的更多详细信息。

  • S4 半导体激光器
    S4
    美国
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 760 to 830 nm 输出功率: 100 to 300 W 工作电压: 1.9 to 2.1 V 工作电流: 95 to 330 A

    来自美国Leonardo Electronics的S4是激光二极管,其波长为760至830nm,输出功率为100至300W,工作电压为1.9至2.1V,工作电流为95至330A,阈值电流为10000至28000mA.S4的更多细节可以在下面看到。