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印刷技术: Grayscale Lithography 最小 XY 特征尺寸: 1000nm
LithoScale系统采用EV Group的MLE™无掩模曝光技术,通过结合强大的数字处理功能,实现实时数据传输和即时曝光、高结构分辨率和吞吐量可扩展性,从而解决传统瓶颈问题。其无掩模方法消除了与掩模相关的耗材,而带有可调固态激光源的曝光系统设计具有高冗余度和长寿命稳定性,并具有独特的自动校准功能,无需维护。强大的实时数字处理功能可实现从设计文件到基板的即时曝光,从而避免每个数字掩模布局的数小时转换时间。LithoScale具有整个基板表面的高分辨率(<2µm L/s)、动态芯片级可寻址曝光,可实现灵活的无耗材处理和低拥有成本(COO)。LithoScale系统集成了全晶圆顶部和背面对准,利用具有可见近红外功能的专用物镜和专有卡盘设计,可适应高达300 mm的晶圆尺寸。该系统具有自动聚焦的动态对准模式,以适应基板材料和表面变化。精细控制聚焦水平位置的能力保持侧壁陡峭以及抗蚀剂的期望3D轮廓,同时防止边缘顶部和底部。大工作距离和自动自适应聚焦确保整个曝光表面的图案均匀性。它还提供个性化的模具加工,同时快速全场定位和动态对准可实现各种基板尺寸和形状的高可扩展性。
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中心波长: 1064nm 重复频率: 10 - 10 kHz 脉冲能源: 0.01mJ 脉冲持续时间: 1000fs 极化: Unspecified
被动调Q微片固态激光器(微片激光器)是一种方便的短脉冲发射源(0.5至1ns),具有高脉冲能量(10μJ)和接近衍射极限的光束质量。微芯片激光器的应用可以通过使用一个或多个放大器级增加其脉冲能量和平均功率来显著扩展,但前提是放大器保持微芯片发射的固有光束质量和其他所需属性。我们已经证明,双通VHGM放大器可以将1064nm微芯片振荡器的脉冲能量和平均功率分别增加到500uJ和5W以上,同时保持微芯片激光器的光束质量和发射光谱。下图显示了2通放大器的平均1064nm输出功率与放大器驱动电流(在10kHz的脉冲率下)的关系,并且是注入到2通放大器中的1064nm种子功率的函数。放大器中的较大808nm泵浦功率为40W。考虑到将种子功率减少10倍(至约10mW)导致放大器输出功率减少不到2倍,2通放大器在100mW种子功率下很好地饱和。在2通放大器的输出端不需要法拉第隔离器,而在其他设计中经常需要法拉第隔离器来将2通放大光束与输入种子光束分离,从而导致更紧凑、更高效和更低成本的MOPA系统。在JG Manni,Optics Communications 252:117-126(2005)中提供了更多细节。微芯片激光振荡器现在是商业上可获得的,其可以在200ps脉冲持续时间中产生10nJ脉冲能量,并且在100ps脉冲中产生4nJ脉冲能量。(见www.batop.de)我们计划将这种微芯片激光器与我们的双通道VHGM放大器配对,并将在此网页上报告我们的结果。
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放大器类型: YDFA - Ytterbium-Doped Fiber Amplifier 波长范围: 1300 - 1550 nm 最大输出功率: 6dBm 标称增益: 4dB
在稀土掺杂石英光纤应用领域,人们对使用Er和Yb离子作为活性掺杂剂的高功率包层泵浦光纤激光器越来越感兴趣。这种激光器可以通过使用Q开关技术在脉冲模式下操作,并且能够产生具有数毫焦耳能量、10kW量级的峰值功率和100ns量级的持续时间的脉冲。这些特性以及高空间光束质量和紧凑的非冷却激光器布置使得光纤激光器成为典型的高功率脉冲应用的有吸引力的源,所述高功率脉冲应用例如测距、非线性频率转换或直到较近还由传统固态激光器主导的材料处理。
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水晶类型: Nd:YVO4 水晶直径: 3*3mm 水晶长度: 0.5~5mm AR 涂层: One side, Both sides, Uncoated
如果您打算购买Nd:YVO4激光晶体,那么您只需要搜索Laser-CryLink,然后您就可以以较优惠的价格购买任何类型的激光产品。如果您对我们的产品有任何疑问,请随时与我们讨论。如需更多信息,请联系我们。@crylinkNd:YVO4晶体是一种优良的半导体泵浦固体激光晶体。Nd:YVO4的较大优点是吸收系数高,受激发射截面大,吸收带宽和吸收峰在808nm左右。由于这些优点,小晶体可以用来制造更小的激光设备。Nd:YVO4晶体的另一个特点是它是单轴的,这使得它能发出线偏振光。与倍频晶体相结合,可以实现绿、蓝、红三种波长的全固态激光器。