• NDB4216E 半导体激光器
    日本
    工作模式: CW Laser 波长: 450 to 460 nm 输出功率: 0.1 W 工作电压: 5.2 V 工作电流: 0.11 A

    来自Nichia Corporation的NDB4216E是4类激光二极管,其工作波长为450nm至460nm.它的连续波输出功率为0.1 W,斜率效率为1.2 W/A,波束指向精度为±2.5°(平行)和±3°(垂直)。这款单发射器激光二极管的光束发散角为8.5°(平行)和23°(垂直),符合RoHS规范。阈值电流为30 mA,工作电压为5.2 V,功耗为0.11 A.这款单模激光二极管采用浮动安装的CAN封装,尺寸为Ø5.6 mm,带有一个光电二极管和一个齐纳二极管。它是评估或设计应用程序的理想选择。

  • NDU4116 半导体激光器
    日本
    工作模式: CW Laser 波长: 370 to 380 nm 输出功率: 0.07 W 工作电压: 5.4 V 工作电流: 0.11 A

    NDU4116是一款紫外激光二极管,工作波长为370-380 nm,斜率效率为1.2 W/A,光输出功率为70 MW,光束指向精度为±3°。该激光二极管的平行光束发散角为9°,垂直光束发散角为22.5°。该器件的阈值电流为50 mA,PD反向电压高达5 V.这款单模激光二极管采用浮动安装式CAN封装,带一个光电二极管和一个齐纳二极管,尺寸为Ø5.6。它是激光加工、3D打印机、曝光设备、激光显微镜、医疗设备、光刻流式细胞仪、内窥镜和光纤应用的理想选择。

  • QL83H6SA 半导体激光器
    奥地利
    技术: Quantum Well 芯片技术: AlGaAs 工作模式: CW Lasers 波长: 830 nm 输出功率: 0.02 W

    Roithner Lasertechnik的QL83H6SA是一款具有量子阱结构的单模AlGaAs红外激光二极管,工作波长为830 nm.它的光输出功率为20mW,斜率效率为0.6W/A.该激光二极管具有9°的平行光束发散角和30°的垂直光束发散角。它需要1.9 V的工作电压和45 mA的电流。该器件采用集成PD的5.6 mm TO-CAN封装,是许多工业应用的理想选择。

  • QL63D4SA/B/C 半导体激光器
    工作模式: CW Laser 波长: 635 nm 输出功率: 5 mW 工作电压: 2.2 V 工作电流: 32 mA

    Quantum Semiconductor International生产的QL63D4SA/B/C是一款连续波红色激光二极管,工作波长为635 nm.该单个横向激光二极管提供5mW的光输出功率。它具有8度的平行光束发散角和35度的垂直光束发散角。QL63D4SA/B/C需要24 mA的阈值电流、32 mA的工作电流和30 V的反向电压。它采用5.6 mm TO-CAN封装,非常适合光学水平仪和激光指示器应用。

  • SPL PL90_3 波长905nm的纳米堆叠脉冲激光二极管 半导体激光器
    奥地利
    厂商:ams OSRAM
    波长: 905 nm RoHS: Yes 类型: 自由空间激光二极管 技术: 纳米堆叠激光技术(包含3个外延堆叠发射极) 工作模式: 脉冲

    来自OSRAM的SPL PL90_3,是波长为905nm的纳米堆叠脉冲激光二极管。输出峰值功率为65W-85W,脉宽为1-100ns,光谱带宽7nm.该激光二极管有3个发射器,光束发散角(FWHM)为9°(平行)和25°(垂直)。它的阈值电流为0.75 A,反向电压高达3 V。它需要9 V的直流电源,正向电流高达40 A。该激光二极管采用Ø5.8 X 32 mm的塑料封装,非常适合电子设备、设备照明(如固化、内窥镜)、工矿灯行业、工业自动化、安全安保和CCTV应用。

  • 462LM-1.4k 高光功率多模激光器 激光器模块和系统
    斯洛伐克
    厂商:KVANT
    光功率: 1400mW 中心波长: 462nm 中心波长容差: ±5nm 光束模式结构: Multimode 光束直径: 4 x 4mm (1/e2)

    462LM-1.4k是Kvant Lasers提供的一款具有1400毫瓦光功率的多模激光器,配备OEM驱动器,适用于工业加工、科学研究等领域,具有低光束发散角和高频调制能力。