FAXD-975-4W-200-HHLW是一种多模半导体连续输出功率为4W的975nm激光二极管。发射极尺寸为200µm。它被封装在带窗口的高热负荷封装中，适用于各种光电应用。

FAXD-975-4W-200-XX是一款多模半导体激光器在975nm处具有4W CW输出功率的二极管。发射器大小为200µm。它适用于各种光电应用。

FAXD-975-5W-200-HHLW是一种多模半导体连续输出功率为5W的975nm激光二极管。发射极尺寸为200µm。它被封装在带窗口的高热负荷封装中，适用于各种光电应用。

FAXD-975-5W-200-XX是一款多模半导体激光器在975nm处具有5W CW输出功率的二极管。发射器大小为200µm。它适用于各种光电应用。

FAXD-975-6W-200-HHLW是一种多模半导体连续输出功率为6W的975nm激光二极管。发射极尺寸为200µm。它被封装在带窗口的高热负荷封装中，适用于各种光电应用。

FAXD-975-6W-200-XX是一款多模半导体激光器在975nm处具有6W连续输出功率的二极管。发射器大小为200µm。适用于各种光电子器件。应用程序。

FAXD-975-7.5W-FC200是一种光纤耦合多模连续输出功率为7.5W的半导体激光器975nm。它配备了内部热敏电阻，TEC和光电二极管，并适用于各种光电应用。

FAXD-808-8W-975是一款多模半导体激光器。在975nm处具有8W连续输出功率的二极管。发射器大小为400µm。它适用于各种光电应用。

FAXD-975-8W-400-HHLW是一种多模半导体8W连续输出975nm激光二极管。发射器尺寸为400µm。它被封装在一个有窗口的高热负荷封装中，适用于各种光电应用。

FAXD-975-8W-90是一种多模半导体激光二极管在975nm处具有8W的连续输出功率。发射器大小为90µm。适用于各种光电子器件。应用程序。

FIDL-1000M-1020X是用MOCVD半导体激光器制作的1020nm InGaAs/GaAs量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-1000M-1020X光源是一款CW多模注入式半导体激光二极管，采用9mm TO型外壳，内置监控光电二极管以稳定输出功率，并采用集成TEC、热敏电阻和监控二极管的TO-3窗口外壳。该激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-1000M-1064X是用MOCVD半导体激光器制作的1064nm InGaAs/GaAs量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-1000M-1064X光源是一款CW多模注入式半导体激光二极管，采用INSOT-148外壳，内置监控光电二极管以稳定输出功率，TO-3窗口外壳集成了TEC、热敏电阻和监控二极管。该激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-1000M-1070X是用MOCVD半导体激光器制作的1070nm InGaAs/GaAs量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-1000M-1070X光源是一款CW多模注入式半导体激光二极管，采用11.4mm外壳，内置监控光电二极管以稳定输出功率，并采用集成TEC、热敏电阻和监控二极管的TO-3窗口外壳。该激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-1000M-804X是804nm AlGaAs/GaAs量子阱MOCVD半导体激光器结构低阈值电流和高斜率效率有助于低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-1000M-804X光源是连续多模式注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-1000M-808D-TO3是用MOCVD半导体激光器制作的808nm AlGaAs/GaAs量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FIDL-1000M-808D-TO3光源是一种连续多模注入半导体激光二极管。采用TO-3外壳，内置TEC、热敏电阻和监控光电二极管，以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统中。

FIDL-1000M-808X是808nm AlGaAs/GaAs多量子阱结构用MOCVD半导体激光器制作。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-1000M-808X光源是一种连续多模注入式半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-1000M-830X是用MOCVD半导体激光器制作的830nm AlGaAs/GaAs量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-1000M-830X是一款CW多模注入式半导体激光二极管，配有监控光电二极管以稳定功率输出。激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-1000M-850X是用MOCVD半导体激光器制作的850nm AlGaAs/GaAs量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-1000M-850X光源是一款CW多模注入式半导体激光二极管，采用9mm TO型外壳和TO-3外壳，内置监控光电二极管、TEC和热敏电阻，以稳定输出功率。TO-3光学输出窗口由蓝宝石/玻璃制成。激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-1000M-860X是用MOCVD半导体激光器制作的860nm AlGaAs/GaAs量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-1000M-860X光源是一种CW多模注入式半导体激光二极管，采用9mm TO型外壳和TO-3外壳，内置监控光电二极管、TEC和热敏电阻，以稳定输出功率。TO-3光学输出窗口由蓝宝石/玻璃制成。该激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-1000M-895D是用MOCVD半导体激光器制作的895nm InGaAs/GaAs多量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-1000M-895D光源是一种CW多模注入式半导体激光二极管，采用9mm TO型外壳和TO-3外壳，内置监控光电二极管、TEC和热敏电阻，以稳定输出功率。TO-3光学输出窗口由蓝宝石/玻璃制成。激光二极管适用于各种光电系统。