• S15 - QCW 半导体激光器
    美国
    巴条配置: Horizontal Stack 工作模式: Pulsed Laser 波长: 830 to 1100 nm 输出功率: 100 to 300 W 工作电压: 1.85 to 2 V

    美国Leonardo Electronics公司的S15-QCW是一种激光二极管,其波长为830至1100 nm,输出功率为100至300 W,工作电压为1.85至2 V,工作电流为95至330 A,阈值电流为10000至28000 mA.S15-QCW的更多细节可以在下面看到。

  • S16 - QCW 半导体激光器
    美国
    巴条配置: Horizontal Stack 工作模式: Pulsed Laser 波长: 830 to 1100 nm 输出功率: 100 to 150 W 工作电压: 2 V

    美国Leonardo Electronics的S16-QCW是一种激光二极管,波长为830至1100 nm,输出功率为100至150 W,工作电压为2 V,工作电流为105至165 A,阈值电流为10000至14000 mA.S16-QCW的更多细节可以在下面看到。

  • S2 - QCW 半导体激光器
    美国
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 830 to 1100 nm 输出功率: 100 to 300 W 工作电压: 1.85 to 2 V 工作电流: 95 to 330 A

    美国Leonardo Electronics公司的S2-QCW是一种激光二极管,其波长为830至1100 nm,输出功率为100至300 W,工作电压为1.85至2 V,工作电流为95至330 A,阈值电流为10000至28000 mA.S2-QCW的更多细节可以在下面看到。

  • S25 - QCW 半导体激光器
    美国
    巴条配置: Horizontal Stack 工作模式: Pulsed Laser 波长: 830 to 1100 nm 输出功率: 80 to 120 W 工作电压: 1.85 to 2 V

    美国Leonardo Electronics公司的S25-QCW是一种激光二极管,其波长为830至1100 nm,输出功率为80至120 W,工作电压为1.85至2 V,工作电流为95至330 A,阈值电流为10000至28000 mA.S25-QCW的更多细节可以在下面看到。

  • S3 - QCW 半导体激光器
    美国
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 830 to 1100 nm 输出功率: 100 to 300 W 工作电压: 1.85 to 2 V 工作电流: 95 to 330 A

    美国Leonardo Electronics公司的S3-QCW是一种激光二极管,其波长为830至1100 nm,输出功率为100至300 W,工作电压为1.85至2 V,工作电流为95至330 A,阈值电流为10000至28000 mA.S3-QCW的更多细节可以在下面看到。

  • S4 - QCW 半导体激光器
    美国
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 830 to 1100 nm 输出功率: 100 to 300 W 工作电压: 1.85 to 2 V 工作电流: 95 to 330 A

    美国Leonardo Electronics的S4-QCW是一种激光二极管,波长为830至1100 nm,输出功率为100至300 W,工作电压为1.85至2 V,工作电流为95至330 A,阈值电流为10000至28000 mA.S4-QCW的更多细节可以在下面看到。

  • S5 - QCW 半导体激光器
    美国
    巴条配置: Horizontal Stack 工作模式: Pulsed Laser 波长: 830 to 1100 nm 输出功率: 100 to 300 W 工作电压: 1.85 to 2 V

    美国Leonardo Electronics公司的S5-QCW是一种激光二极管,其波长为830至1100 nm,输出功率为100至300 W,工作电压为1.85至2 V,工作电流为95至330 A,阈值电流为10000至28000 mA.S5-QCW的更多细节可以在下面看到。

  • S6 - QCW 半导体激光器
    美国
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 830 to 1100 nm 输出功率: 100 to 300 W 工作电压: 2 V 工作电流: 85 to 120 A

    美国Leonardo Electronics公司的S6-QCW是一种激光二极管,其波长为830至1100 nm,输出功率为100至300 W,工作电压为2 V,工作电流为85至120 A,阈值电流为7000至10000 mA.S6-QCW的更多细节可以在下面看到。

  • S7 - QCW 半导体激光器
    美国
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 830 to 1100 nm 输出功率: 100 to 150 W 工作电压: 1.85 to 2 V 工作电流: 95 to 330 A

    美国Leonardo Electronics的S7-QCW是一种激光二极管,其波长为830至1100 nm,输出功率为100至150 W,工作电压为1.85至2 V,工作电流为95至330 A,阈值电流为10000至28000 mA.S7-QCW的更多细节可以在下面看到。

  • S9 - QCW 半导体激光器
    美国
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 830 to 1100 nm 输出功率: 100 to 300 W 工作电压: 1.85 to 2 V 工作电流: 95 to 330 A

    美国Leonardo Electronics公司的S9-QCW是一种激光二极管,其波长为830至1100 nm,输出功率为100至300 W,工作电压为1.85至2 V,工作电流为95至330 A,阈值电流为10000至28000 mA.S9-QCW的更多细节可以在下面看到。

  • VCSEL 760 - 830 纳米 半导体激光器
    美国
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 760 to 830 nm 输出功率: 0.5 to 8 W 工作电压: 11 to 22 V 工作电流: 110 A

    美国Leonardo Electronics的VCSEL 760-830 nm是一种激光二极管,波长为760至830 nm,输出功率为0.5至8 W,工作电压为11至22 V,工作电流为110 A,输出功率(CW)为0.5至8 W.

  • 氦气 半导体激光器
    以色列
    工作模式: CW Laser 波长: 808 to 975 nm 输出功率: Up to 9 W 工作电流: 11 A 类型: Fiber-Coupled Laser Diode

    来自半导体器件的氦气是一种激光二极管,其波长为808至975 nm,输出功率高达9 W,工作电流为11 A,输出功率(CW)高达9 W.氦气的更多详情见下文。

  • 卡拉特 半导体激光器
    以色列
    巴条配置: Horizontal Stack 工作模式: CW Laser 波长: 808 nm 输出功率: 80 W 工作电流: 90 A

    来自SIMIConductor Devices的KARAT是波长为808nm、输出功率为80W、工作电流为90A、输出功率(CW)为80W、工作温度为25℃的激光二极管。

  • 拉皮德系列 半导体激光器
    以色列
    工作模式: CW Laser 输出功率: 40 to 80W 工作电压: 2 V 工作电流: 50 to 90 A 堆栈/阵列: Array/Stack

    来自SIMIConductor Devices的LAPID系列是波长为808nm、915nm、940nm的激光二极管,输出功率为40至80W,工作电压为2V,工作电流为50至90A,输出功率(连续波)为40至80W.有关LAPID系列的更多详细信息,请联系我们。

  • 霓虹灯 半导体激光器
    以色列
    工作模式: CW Laser 输出功率: Up to 50 W 工作电流: 12 A 类型: Fiber-Coupled Laser Diode

    来自半导体器件的氖是一种激光二极管,波长为808/-5nm、915/-5nm、950/-5 nm、975/-5 nm,输出功率高达50 W,工作电流为12 A,输出功率(CW)高达50 W,工作温度为20至30摄氏度。

  • 奥德姆 半导体激光器
    以色列
    巴条配置: Vertical Stack 工作模式: CW Laser 波长: 940 nm 输出功率: 150 W 工作电压: 18 V

    来自SIMIConductor Devices的ODEM是波长为940nm、输出功率为150W、工作电压为18V、工作电流为170A、输出功率(CW)为150W的激光二极管。

  • 蛋白石2 半导体激光器
    以色列
    工作模式: CW Laser, Pulsed Laser 波长: 940 nm 输出功率: 100 W 工作电压: 3.2 V 工作电流: 120 A

    来自SIMIConductor Devices的Opal 2是波长为940nm、输出功率为100W、工作电压为3.2V、工作电流为120A、输出功率(CW)为100W的激光二极管。Opal 2的更多细节可参见下文。

  • QCW-1000-G 半导体激光器
    以色列
    工作模式: CW Laser, Pulsed Laser 波长: 808 ±3 nm 输出功率: 100 W 工作电流: 105 A 堆栈/阵列: Array/Stack

    来自SIMIConductor Devices的QCW-1000-G是一款激光二极管,波长为808±3 nm,输出功率为100 W,工作电流为105 A,输出功率(CW)为100 W,工作温度为55摄氏度。有关QCW-1000-G的更多详细信息,请联系我们。

  • QCW-800-C 半导体激光器
    以色列
    工作模式: CW Laser 波长: 808 ±3 nm 输出功率: 100 W 工作电压: 18 V 工作电流: 105 A

    半导体器件公司的QCW-800-C是一种波长为808±3nm、输出功率为100W、工作电压为18V、工作电流为105A、阈值电流为20000mA的半导体激光器。有关QCW-800-C的更多详细信息,请联系我们。

  • QCW-840 半导体激光器
    以色列
    工作模式: CW Laser 波长: 808 ±3 nm 输出功率: 140 W 工作电流: 80 A 阈值电流: 20000 mA

    来自SIMIConductor Devices的QCW-840是一款激光二极管,波长为808±3 nm,输出功率为140 W,工作电流为80 A,阈值电流为20000 mA,输出功率(CW)为140 W.有关QCW-840的更多详细信息,请联系我们。