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芯片技术: GaAs 工作模式: CW Lasers 波长: 637 nm 输出功率: 1.2 W 工作电压: 2.5 to 2.9 V
Thorlabs的L637G1是一款637 nm GaAs激光二极管,输出功率为1.2 W.这款紧凑型光源适用于各种应用,采用Ø9 mm封装和G引脚配置。该二极管的引线直径为0.6 mm,大于Ø9 mm封装的典型直径0.45 mm.这使得它与设计用于标准Ø9 mm TO-CAN封装的底座和插座不兼容。这种激光二极管发出高强度的可见光,可能对人眼有害。包含这些设备的产品必须遵循IEC 60825-1 “激光产品安全”中的安全预防措施。购买产品时随附一个插座,以协助焊接。
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技术: Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser (VCSEL) 芯片技术: AlGaAs 工作模式: CW Lasers 波长: 788 to 800 nm 输出功率: 0.25 mW
Thorlabs的L795VH1是一款AlGaAs VCSEL激光二极管,工作波长为788至800 nm,在线性偏振的圆形高斯光束中提供高达0.25 MW的功率。它的频谱轮廓是单模的,并且具有20dB的单模抑制比(SMSR)。这款紧凑型光源采用H引脚配置的TO-46封装,适合单频应用。激光二极管发射红外光,这可能对人眼有害。包含这些设备的产品必须遵循IEC 60825-1 “激光产品安全”中的安全预防措施。
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技术: Fabry-Perot (FP), Quantum Cascade 工作模式: CW Laser 波长: 3.85 µm 输出功率: 200 mW 工作电流: 13.5 to 0.6 A
Thorlabs的QF3850T1是一款法布里-珀罗量子级联激光二极管,工作范围为3.75至3.95µm.该单空间模式激光器提供200mW的光输出功率。它具有30度的平行光束发散角(FWHM)和40度的垂直光束发散角(FWHM)。该激光二极管的正向电压为13.5V,阈值电流高达250mA.它具有发散的输出光束,并且在室温下以连续波(CW)模式工作。该半导体激光二极管的发射表面由ZnSe窗口保护,并且该二极管在TO-9封装中可用。
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技术: Fabry-Perot (FP) 工作模式: CW Laser 波长: 2433 nm 输出功率: 0.5 W 工作电压: 1.4 V
Brolis Semiconductors的24xx nm高功率二极管是一种连续波法布里-珀罗激光二极管,工作波长为2450 nm.单发射器可提供高达600 MW的功率,激光棒可提供超过5 W的功率。该设备基于Brolis公司专有的GaSb I型激光技术,并在Brolis公司最先进的洁净室设施中进行开发,包括在市场上最大的3英寸GaSb衬底平台上进行先进的多晶片分子束外延。这种单TE00偏振激光器需要1.4 V的电源,消耗高达6 A的电流。它采用TO-CAN封装,腔长为1.0/1.5/2.0 mm,发射极宽度为90/120/150µm,非常适合安全、医疗、研究和检测应用。