• L520G1 半导体激光器
    美国
    厂商:索雷博
    芯片技术: GaN 波长: 515 to 525 nm 输出功率: 900 mW 工作电压: 4.8 to 5.4 V 工作电流: 1.6 to 1.8 A

    Thorlabs的L520G1是一款520 nm GaN激光二极管,可提供高达900 MW的输出功率。这款紧凑型光源采用9 mm封装,采用G引脚配置。激光二极管发出的高强度可见光可能对人眼有害。包含这些设备的产品必须遵循IEC 60825-1 “激光产品安全”中的安全预防措施。

  • L637G1 半导体激光器
    美国
    厂商:索雷博
    芯片技术: GaAs 工作模式: CW Lasers 波长: 637 nm 输出功率: 1.2 W 工作电压: 2.5 to 2.9 V

    Thorlabs的L637G1是一款637 nm GaAs激光二极管,输出功率为1.2 W.这款紧凑型光源适用于各种应用,采用Ø9 mm封装和G引脚配置。该二极管的引线直径为0.6 mm,大于Ø9 mm封装的典型直径0.45 mm.这使得它与设计用于标准Ø9 mm TO-CAN封装的底座和插座不兼容。这种激光二极管发出高强度的可见光,可能对人眼有害。包含这些设备的产品必须遵循IEC 60825-1 “激光产品安全”中的安全预防措施。购买产品时随附一个插座,以协助焊接。

  • L795VH1 半导体激光器
    美国
    厂商:索雷博
    技术: Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser (VCSEL) 芯片技术: AlGaAs 工作模式: CW Lasers 波长: 788 to 800 nm 输出功率: 0.25 mW

    Thorlabs的L795VH1是一款AlGaAs VCSEL激光二极管,工作波长为788至800 nm,在线性偏振的圆形高斯光束中提供高达0.25 MW的功率。它的频谱轮廓是单模的,并且具有20dB的单模抑制比(SMSR)。这款紧凑型光源采用H引脚配置的TO-46封装,适合单频应用。激光二极管发射红外光,这可能对人眼有害。包含这些设备的产品必须遵循IEC 60825-1 “激光产品安全”中的安全预防措施。

  • L850VG1 半导体激光器
    美国
    厂商:索雷博
    技术: Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser (VCSEL) 芯片技术: AlGaAs 波长: 850 nm 输出功率: 2 mW 工作电压: 2.2 to 2.6 V

    Thorlabs的L850VG1是一款2 MW AlGaAs VCSEL激光二极管,工作波长为850 nm.该VCSEL二极管具有单纵向和单横向工作模式。它输出圆形高斯光束。该激光器采用TO-46封装,具有G引脚配置。它会发出对人眼有害的不可见光。包含这些设备的产品必须遵循IEC 60825-1 “激光产品安全”中的安全预防措施。

  • QF3850T1 半导体激光器
    美国
    厂商:索雷博
    技术: Fabry-Perot (FP), Quantum Cascade 工作模式: CW Laser 波长: 3.85 µm 输出功率: 200 mW 工作电流: 13.5 to 0.6 A

    Thorlabs的QF3850T1是一款法布里-珀罗量子级联激光二极管,工作范围为3.75至3.95µm.该单空间模式激光器提供200mW的光输出功率。它具有30度的平行光束发散角(FWHM)和40度的垂直光束发散角(FWHM)。该激光二极管的正向电压为13.5V,阈值电流高达250mA.它具有发散的输出光束,并且在室温下以连续波(CW)模式工作。该半导体激光二极管的发射表面由ZnSe窗口保护,并且该二极管在TO-9封装中可用。

  • QF4050D3 半导体激光器
    美国
    厂商:索雷博
    技术: Fabry-Perot (FP) 工作模式: CW Laser 波长: 3.90 to 4.20 µm 输出功率: 1.2 W 工作电流: 1000 to 1800 mA

    来自Thorlabs的QF4050D3是一款单空间模式、4050 nm Fabry-Perot量子级联激光器,可提供高达1.2瓦的输出功率。该激光器在室温下以连续波(CW)模式工作。QF4050D3安装在开放式散热器D型安装封装上,阴极和阳极均与散热器底座隔离。这种分立半导体激光器是一种适用于许多应用的紧凑型光源。集成了一个热敏电阻,用于温度监控。没有监控光电二极管。

  • 20XX纳米SAF增益芯片 半导体激光器
    立陶宛
    技术: Fabry-Perot Laser (FP) 工作模式: Pulsed Laser 波长: 2025 nm 输出功率: 0.0405 W 工作电压: 1 V

    来自Brolis Semiconductors的20xx nm SAF增益芯片是波长为2025 nm、输出功率为0.0405 W、工作电压为1 V、工作电流为0.3 A、阈值电流为50 mA的激光二极管。有关20xx nm SAF增益芯片的更多详细信息,请联系我们。

  • 23XX纳米的CW激光二极管 半导体激光器
    立陶宛
    技术: Fabry-Perot Laser (FP) 工作模式: CW Laser 波长: 2315 nm 输出功率: 0.04 W 工作电压: 1.5 V

    Brolis Semiconductors公司的23xxnm连续激光二极管是一种波长为2315nm,输出功率为0.04W,工作电压为1.5V,工作电流为0.6A,阈值电流为30mA的激光二极管。23xx nm CW激光二极管的更多详细信息可以在下面看到。

  • 23XX纳米高功率二极管 半导体激光器
    立陶宛
    技术: Fabry-Perot Laser (FP) 工作模式: CW Laser 波长: 2290 nm 输出功率: 0.5 W 工作电压: 1.5 V

    Brolis Semiconductors公司生产的23xxnm大功率激光二极管,波长为2290nm,输出功率为0.5W,工作电压为1.5V,工作电流为5A,阈值电流为300mA.23xx nm高功率二极管的更多详细信息可以在下面看到。

  • 23XX纳米SAF增益芯片 半导体激光器
    立陶宛
    技术: Fabry-Perot Laser (FP) 工作模式: Pulsed Laser 波长: 2250 nm 输出功率: 0.016 to 0.01 W 工作电压: 1 V

    来自Brolis Semiconductors的23xx nm SAF增益芯片是一种激光二极管,波长为2250nm,输出功率为0.016至0.01W,工作电压为1V,工作电流为0.3A,输出功率(CW)为0.016至0.01W.23xx nm SAF增益芯片的更多详情见下文。

  • 24XX纳米高功率二极管 半导体激光器
    立陶宛
    技术: Fabry-Perot (FP) 工作模式: CW Laser 波长: 2433 nm 输出功率: 0.5 W 工作电压: 1.4 V

    Brolis Semiconductors的24xx nm高功率二极管是一种连续波法布里-珀罗激光二极管,工作波长为2450 nm.单发射器可提供高达600 MW的功率,激光棒可提供超过5 W的功率。该设备基于Brolis公司专有的GaSb I型激光技术,并在Brolis公司最先进的洁净室设施中进行开发,包括在市场上最大的3英寸GaSb衬底平台上进行先进的多晶片分子束外延。这种单TE00偏振激光器需要1.4 V的电源,消耗高达6 A的电流。它采用TO-CAN封装,腔长为1.0/1.5/2.0 mm,发射极宽度为90/120/150µm,非常适合安全、医疗、研究和检测应用。

  • 24XX纳米SAF增益芯片 半导体激光器
    立陶宛
    技术: Fabry-Perot Laser (FP) 工作模式: Pulsed Laser 波长: 2380 nm 输出功率: 0.005 to 0.095 W 工作电压: 1 V

    来自Brolis Semiconductors的24xx nm SAF增益芯片是一款激光二极管,波长为2380 nm,输出功率为0.005至0.095 W,工作电压为1 V,工作电流为0.3 A,输出功率(CW)为0.005至0.095 W.24xx nm SAF增益芯片的更多详情见下文。

  • 26XX纳米的激光二极管 半导体激光器
    立陶宛
    技术: Fabry-Perot Laser (FP) 工作模式: CW Laser 波长: 2590 nm 输出功率: 0.02 W 工作电压: 1.6 V

    Brolis Semiconductors公司的26XX nm激光二极管是一种波长为2590 nm、输出功率为0.02 W、工作电压为1.6 V、工作电流为0.5 A、阈值电流为100 mA的激光二极管。有关26xx nm激光二极管的更多详细信息,请联系我们。

  • 9XX纳米激光二极管 半导体激光器
    立陶宛
    技术: Fabry-Perot Laser (FP) 工作模式: CW Laser 波长: 983 nm 输出功率: 12 W 工作电压: 2 V

    来自Brolis Semiconductors的9xx nm激光二极管是一款激光二极管,波长为983 nm,输出功率为12 W,工作电压为2 V,工作电流为15 A,输出功率(CW)为12 W.9xx nm激光二极管的更多详情见下文。

  • BSC41104 半导体激光器
    立陶宛
    技术: Fabry-Perot Laser (FP) 工作模式: CW Laser 波长: 1940 nm 输出功率: 1 W 工作电压: 1.8 V

    Brolis Semiconductors公司的BSC41104是一种波长为1940nm、输出功率为1W、工作电压为1.8V、工作电流为6.5A、阈值电流为450mA的激光二极管。有关BSC41104的更多详细信息,请联系我们。

  • BSC4828 半导体激光器
    立陶宛
    技术: Fabry-Perot Laser (FP) 工作模式: CW Laser 波长: 2700 nm 输出功率: 0.005 to 0.02 W 工作电压: 1.5 V

    Brolis Semiconductors公司的BSC4828是一种波长为2700 nm的激光二极管,输出功率为0.00 5至0.02 W,工作电压为1.5 V,工作电流为0.8 A,阈值电流为150 mA.有关BSC4828的更多详细信息,请联系我们。

  • FL21000079AR-BSC4434 半导体激光器
    立陶宛
    技术: Fabry-Perot Laser (FP) 工作模式: CW Laser 波长: 2080 nm 输出功率: 0.14 to 0.15 W 工作电压: 2 V

    Brolis Semiconductors的FL21000079AR-BSC4434是波长为2080 nm的激光二极管,输出功率为0.14至0.15 W,工作电压为2 V,工作电流为0.8 A,阈值电流为80 mA.有关FL21000079AR-BSC4434的更多详细信息,请联系我们。

  • FL21000079AR-W90-2mm 半导体激光器
    立陶宛
    技术: Fabry-Perot Laser (FP) 工作模式: CW Laser 波长: 2080 to 2110 nm 输出功率: 1 W 工作电压: 1 to 5 V

    Brolis Semiconductors的FL21000079AR-W90-2MM是一款激光二极管,波长为2080至2110 nm,输出功率为1 W,工作电压为1至5 V,工作电流为3至6 A,阈值电流为280 mA.有关FL21000079AR-W90-2mm的更多详细信息,请联系我们。

  • FL24500420B4CM 半导体激光器
    立陶宛
    技术: Fabry-Perot Laser (FP) 工作模式: CW Laser 波长: 2410 to 2470 nm 输出功率: 0.05 to 0.1 W 工作电压: 1 to 2 V

    来自Brolis Semiconductors的FL24500420B4CM是波长为2410至2470 nm、输出功率为0.05至0.1 W、工作电压为1至2 V、工作电流为1.3至1.5 A、阈值电流为100至150 mA的激光二极管。有关FL24500420B4CM的更多详细信息,请联系我们。

  • FL30000080B4CM 半导体激光器
    立陶宛
    技术: Fabry-Perot Laser (FP) 工作模式: CW Laser 波长: 2940 to 3050 nm 输出功率: 0.017 to 0.028 W 工作电压: 1 to 2 V

    Brolis Semiconductors的FL30000080B4CM是一种激光二极管,波长为2940至3050 nm,输出功率为0.017至0.028 W,工作电压为1至2 V,工作电流为0.8 A,阈值电流为65至90 mA.有关FL30000080B4CM的更多详细信息,请联系我们。