• LDX-4119-660 半导体激光器
    美国
    厂商:RPMC Lasers Inc.
    工作模式: CW Laser 波长: 660 nm 输出功率: 10 mW 工作电压: 2.1 V 工作电流: 21000 mA

    来自RPMC Lasers Inc.的LDX-4119-660是在660nm的波长下工作的激光二极管阵列。它有一个100 X 19µm发射器,可提供10 MW的输出功率。该TE偏振激光二极管阵列的光谱宽度为1nm(FWHM),光束发散角为7度(平行)和40度(垂直)。在大多数封装上,这种激光二极管阵列的芯片连接可以是硬焊接或软焊接,并且具有高精度放置,无助焊剂、无空隙、均匀的键合线厚度。它需要9400 mA的阈值电流和消耗21000 mA电流的2.1 V直流电源。该激光二极管采用CS封装,尺寸为4.5 X 4 X 0.5 mm,是牙科激光器、机器视觉激光器、光遗传学激光器、PDT激光器和RGB激光器的理想选择。

  • LDX-4224-750 半导体激光器
    美国
    厂商:RPMC Lasers Inc.
    工作模式: CW Laser 波长: 750 nm 输出功率: 20 mW 工作电压: 1.9 V 工作电流: 28000 mA

    RPMC Lasers的LDX-4224-750是一种激光二极管阵列,工作波长为750 nm.它的输出功率为20 MW,光谱宽度为1 nm(FWHM)。该TM偏振激光二极管阵列的发射器尺寸为100 X 24µm,光束发散度为7度(平行)和26度(垂直)。它的阈值电流为12 A,需要1.9 V直流电源,消耗28 A电流。该激光二极管阵列采用4.5 X 4 X 0.5 mm的基板上芯片(CS)封装,是牙科激光、机器视觉激光、夜视激光和PDT激光应用的理想选择。

  • NDU4116 半导体激光器
    日本
    工作模式: CW Laser 波长: 370 to 380 nm 输出功率: 0.07 W 工作电压: 5.4 V 工作电流: 0.11 A

    NDU4116是一款紫外激光二极管,工作波长为370-380 nm,斜率效率为1.2 W/A,光输出功率为70 MW,光束指向精度为±3°。该激光二极管的平行光束发散角为9°,垂直光束发散角为22.5°。该器件的阈值电流为50 mA,PD反向电压高达5 V.这款单模激光二极管采用浮动安装式CAN封装,带一个光电二极管和一个齐纳二极管,尺寸为Ø5.6。它是激光加工、3D打印机、曝光设备、激光显微镜、医疗设备、光刻流式细胞仪、内窥镜和光纤应用的理想选择。

  • IPDFD1501 半导体激光器
    美国
    厂商:InPhenix
    技术: Distributed Feedback (DFB) 工作模式: CW Laser 波长: 1505 to 1523 nm 输出功率: 0.005 W 工作电流: <100 mA

    来自Inphenix的IPDFD1501是波长为1505至1523 nm的激光二极管,输出功率>5 MW,输出功率0.005 W,工作电流0.1 A,工作电流<100 mA.有关IPDFD1501的更多详细信息,请联系我们。

  • IPDFD1502 半导体激光器
    美国
    厂商:InPhenix
    技术: Distributed Feedback (DFB) 工作模式: CW Laser 波长: 1530 to 1570 nm 输出功率: 0.005 W 工作电流: <120 mA

    来自Inphenix的IPDFD1502是波长为1530至1570nm的激光二极管,输出功率>5mW,输出功率0.005W,工作电流0.12A,工作电流<120mA.有关IPDFD1502的更多详细信息,请联系我们。

  • IPDFD1601 半导体激光器
    美国
    厂商:InPhenix
    技术: Distributed Feedback (DFB) 工作模式: CW Laser 波长: 1650 to 1670 nm 输出功率: 0.003 to 0.005 W 工作电流: <80 mA

    来自Inphenix的IPDFD1601是波长为1650至1670 nm的激光二极管,输出功率为3至5 MW,输出功率为0.00 3至0.005 W,工作电流为0.08 A,工作电流<80 mA.有关IPDFD1601的更多详细信息,请联系我们。

  • QL78M6SA 半导体激光器
    奥地利
    技术: Quantum Well 芯片技术: AlGaAs 工作模式: CW Lasers 波长: 780 nm 输出功率: 0.09 W

    Roithner Lasertechnik的QL78M6SA是一款工作波长为770至790 nm的AlGaAs红外激光二极管。它的输出功率为90 MW,LD反向电压为2 V,PD反向电压为30 V.该单横模激光二极管具有量子阱结构,可在高达60摄氏度的温度下工作。它采用5.6 mm TO-CAN封装,是工业应用的理想辐射源。

  • QL83H6SA 半导体激光器
    奥地利
    技术: Quantum Well 芯片技术: AlGaAs 工作模式: CW Lasers 波长: 830 nm 输出功率: 0.02 W

    Roithner Lasertechnik的QL83H6SA是一款具有量子阱结构的单模AlGaAs红外激光二极管,工作波长为830 nm.它的光输出功率为20mW,斜率效率为0.6W/A.该激光二极管具有9°的平行光束发散角和30°的垂直光束发散角。它需要1.9 V的工作电压和45 mA的电流。该器件采用集成PD的5.6 mm TO-CAN封装,是许多工业应用的理想选择。

  • RLT635-100GPD 半导体激光器
    奥地利
    工作模式: CW Laser 波长: 625 to 645 nm 输出功率: 0.1 W 工作电压: 2.5 V 工作电流: 0 to 0.7 A

    Roithner Lasertechnik公司的RLT635-100GPD是一种激光二极管,波长为625至645 nm,输出功率为0.1 W,工作电压为2.5 V,工作电流为0至0.7 A,阈值电流为500 mA.有关RLT635-100GPD的更多详细信息,请联系我们。

  • LDS-1570-DFB-2.5G-15/45 半导体激光器
    白俄罗斯
    厂商:LasersCom
    技术: Distributed Feedback (DFB), Multi-Quantum Well (MQW) 工作模式: CW/Pulsed Laser 波长: 1567 to 1573 nm 输出功率: 15 to 45 mW 工作电压: 1.4 to 1.7 V

    Laserscom的LDS-1570-DFB-2.5G-15/45是一款与光纤耦合的多量子阱激光二极管,工作波长为1570 nm,斜率效率为0.16 W/A.在SM光纤G.657.A1中,它在CW模式下的光输出功率高达15 MW,在脉冲模式下高达45 MW.该激光二极管需要大约1.4V的工作电压,并且具有大约8mA的阈值电流。它采用同轴电缆、带支架的同轴电缆或14针DIL,包括密封外壳中的监视器PD,是数据速率高达2.5 Gbps的光纤通信系统的理想选择。

  • LAPD 3050 光电探测器
    美国
    分类:光电探测器
    光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: InGaAs 波长范围: 1000 to 1650 nm 暗电流: 2 nA 电容: 1 pF

    来自OSI Laser Diode,Inc.的LAPD 3050是波长范围为1000至1650 nm、暗电流为2 nA、电容为1 PF、带宽为2.5 GHz、响应度/光敏度为7至9 A/W的光学检测器。

  • LPD 3080 光电探测器
    美国
    分类:光电探测器
    光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: InGaAs 暗电流: 0.05 to 0.5 nA 电容: 0.5 to 0.75 pF 响应度/光敏度: 0.8 to 0.9 A/W

    来自OSI Laser Diode,Inc.的LPD 3080是一款光学探测器,其暗电流为0.05至0.5 nA,电容为0.5至0.75 PF,带宽为2.5 GHz,响应度/光敏度为0.8到0.9 A/W,有效面积直径为75µm.有关LPD 3080的更多详细信息,请联系我们。

  • UPD-100-IR1-P 光电探测器
    德国
    分类:光电探测器
    厂商:ALPHALAS
    光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: Germanium 波长范围: 400 to 2000 nm 上升时间: 100 ps 暗电流: 700 nA

    来自AlphaLas的UPD-100-IR1-P是波长范围为400至2000nm、上升时间为100ps、暗电流为700nA、带宽为3GHz、有源区直径为0.005mm的光学探测器。有关UPD-100-IR1-P的更多详细信息,请联系我们。

  • UPD-15-IR2-FC 光电探测器
    德国
    分类:光电探测器
    厂商:ALPHALAS
    光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: InGaAs 波长范围: 800 to 1700 nm 上升时间: 15 ps 暗电流: 0.1 nA

    来自AlphaLas的UPD-15-IR2-FC是波长范围为800至1700nm、上升时间为15ps、暗电流为0.1nA、带宽为25GHz的光学探测器。有关UPD-15-IR2-FC的更多详细信息,请联系我们。

  • UPD-200-SD 光电探测器
    德国
    分类:光电探测器
    厂商:ALPHALAS
    光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: Silicon 波长范围: 320 to 1100 nm 上升时间: 175 ps 暗电流: 0.001 nA

    来自AlphaLas的UPD-200-SD是波长范围为320至1100nm、上升时间为175ps、暗电流为0.001nA、带宽为2GHz、有源区直径为0.126mm的光学探测器。有关UPD-200-SD的更多详细信息,请联系我们。

  • UPD-200-SP 光电探测器
    德国
    分类:光电探测器
    厂商:ALPHALAS
    光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: Silicon 波长范围: 320 to 1100 nm 上升时间: 175 ps 暗电流: 0.001 nA

    来自AlphaLas的UPD-200-SP是波长范围为320至1100nm、上升时间为175ps、暗电流为0.001nA、带宽为2GHz、有源区直径为0.126mm的光学探测器。有关UPD-200-SP的更多详细信息,请联系我们。

  • UPD-200-UD 光电探测器
    德国
    分类:光电探测器
    厂商:ALPHALAS
    光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: Silicon 波长范围: 170 to 1100 nm 上升时间: 175 ps 暗电流: 0.001 nA

    来自AlphaLas的UPD-200-UD是波长范围为170至1100nm、上升时间为175ps、暗电流为0.001nA、带宽为2GHz、有源区直径为0.126mm的光学检测器。有关UPD-200-UD的更多详细信息,请联系我们。

  • UPD-200-UP 光电探测器
    德国
    分类:光电探测器
    厂商:ALPHALAS
    光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: Silicon 波长范围: 170 to 1100 nm 上升时间: 175 ps 暗电流: 0.001 nA

    来自AlphaLas的UPD-200-UP是波长范围为170至1100nm、上升时间为175ps、暗电流为0.001nA、带宽为2GHz、有源区直径为0.126mm的光学探测器。有关UPD-200-UP的更多详细信息,请联系我们。

  • UPD-2M-IR2-P-1TEC 光电探测器
    德国
    分类:光电探测器
    厂商:ALPHALAS
    光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: InGaAs 波长范围: 900 to 1700 nm 上升时间: 75000 ps 暗电流: 0.3 nA

    AlphaLas公司的UPD-2M-IR2-P-1TEC是一种光学探测器,波长范围为900~1700nm,上升时间为75000ps,暗电流为0.3nA,带宽为0.004GHz,有源区直径为3.14mm.UPD-2M-IR2-P-1TEC的更多详情见下文。

  • UPD-2M-IR2-P 光电探测器
    德国
    分类:光电探测器
    厂商:ALPHALAS
    光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: InGaAs 波长范围: 900 to 1700 nm 上升时间: 75000 ps 暗电流: 5 nA

    来自AlphaLas的UPD-2M-IR2-P是波长范围为900至1700nm、上升时间为75000ps、暗电流为5nA、带宽为0.004GHz、有源区直径为3.14mm的光学探测器。有关UPD-2M-IR2-P的更多详细信息,请联系我们。