• BMU100/120-976S-02-R 半导体激光器
    波长: 976 nm 输出功率: up to 120 W 工作电压: 30 V 工作电流: 10 A 阈值电流: 500 to 700 mA

    II-VI Incorporated的BMU100/120-976S-02-R是976 nm泵浦激光模块,具有高达120 W的波长稳定输出功率。该模块采用新一代多模激光二极管,具有E2前镜钝化功能,可防止激光二极管端面发生灾难性光学损伤(COD)。激光二极管串联连接,以实现快速电流切换。该模块包括一个反馈保护滤波器,可保护激光二极管免受有害的光纤激光器波长反馈光的影响。精确的波长稳定性减少了激光系统的预热时间和维护,提高了生产率。这种波长稳定的泵浦激光器模块是超快光纤激光器泵浦、超连续谱、医疗、分析和直接应用的理想选择。

  • HPC 50W 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: CW Laser, Pulsed Laser 工作电压: 1.5 to 1.65 V 工作电流: 50 to 55 A 阈值电流: 4 to 4.7 A

    II-VI Incorporated的HPC 50W是一种多发射器激光二极管,工作波长为915、940、980、1030或1060 nm.它的输出功率为50W,功率转换效率超过60%,斜率效率为1–1.1W/A.该激光二极管的光谱宽度可达4nm,在FWHM处的光束发散角为5.5度(平行)和26度(垂直)。它的填充因子为18%,波长温度系数为0.3 nm/℃。该TE偏振激光二极管具有10个发射极,发射极间距为500μm,发射极宽度为90μm.HPC 50W符合RoHS规范,具有单量子阱MBE结构。即使在极高的输出功率下,专有的E2前镜钝化工艺也可防止激光二极管端面的灾难性光学损伤(COD)。低于1μm的低线栅微笑值和小发射极宽度提高了光纤耦合效率,特别是对于低纤芯直径。5.4 mm激光二极管半条安装在扩展匹配的底座上,采用传导冷却的铜块封装,在CW和脉冲工作模式下提供卓越的可靠性。HPC 50W需要4-4.7 A的阈值电流和消耗50-55 A电流的1.5-1.65 V直流电源。这款激光二极管采用尺寸为24.9 X 24.9 X 14.19 mm的封装,非常适合材料加工(焊接、切割等)、准直固态激光泵浦、光纤激光泵浦、印刷和医疗应用。

  • Monsoon Series 模块化激光二极管棒 半导体激光器
    工作模式: CW Laser 激光颜色: Infrared 堆栈/阵列: Array/Stack 类型: Free Space Laser Diode RoHS: Yes

    II-VI Incorporated的Monsoon系列是模块化激光二极管棒,工作波长为795至1060 nm.它们提供可堆叠的40/50 W棒材、80/100 W棒材和200 W棒材,以提供与应用相匹配的模块化灵活性。这些模块化棒可以使用紧凑的框架垂直堆叠,该框架可提供高达6 kW的功率、高达1600 W的功率(使用无框架)或高达300 W的功率(使用水平阵列)。它们的光谱宽度(FWHM)为2.5或5 nm,功率效率高达60%。Monsoon系列激光二极管条基于专有的E2前镜钝化工艺,即使在极高的输出功率下,也能防止激光二极管面的灾难性光学损伤(COD)。它们采用硬焊技术,可为要求苛刻的应用提供卓越的可靠性,并在CW或QCW工作条件下实现高功率输出,而不会牺牲使用寿命。这些激光二极管棒还具有主动季风微通道冷却器,以提供用于垂直和水平堆叠的可扩展平台。它们采用尺寸为38.9 X 10.9 mm X 10 mm的模块,非常适合固态激光泵浦、直接应用,如材料加工(塑料焊接、热处理、退火、硬化等)、印刷和复印、医疗、生命和健康科学、国防和安全以及照明应用。

  • V940-8904-G01 半导体激光器
    技术: Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser (VCSEL) 工作模式: Pulsed Laser 波长: 940 nm 输出功率: 7 to 110 W 工作电流: 4 A

    II-VI Incorporated的V940-8904-G01是一款多模双结VCSEL(激光器)阵列,工作波长为940 nm.它在短脉冲中提供高达110 W的输出功率。VCSEL提供高功率转换效率和斜率效率。它需要低工作电流,这降低了电感对上升时间的影响,最大限度地减少了电磁干扰(EMI),并简化了用于产生短脉冲的驱动器设计。VCSEL是红外照明、短程激光雷达和3D相机(移动、物联网)应用的理想选择。

  • FPL-1650-14BF 半导体激光器
    俄罗斯
    厂商:Nolatech
    工作模式: CW Laser, Pulsed Laser 波长: 1620 to 1650 nm 输出功率: 0.02 W 工作电压: 2.5 V 工作电流: 0.15 to 0.2 A

    FPL-1650-14BF-200是200 MW单模激光二极管模块,设计用于光学测量和通信。该激光器采用14引脚标准蝶形封装,配有监控光电二极管和热电冷却器(TEC)。模块尾纤为0.7-1.0米单模保偏光纤,并通过FC/PC连接器连接。

  • 氦气 半导体激光器
    以色列
    工作模式: CW Laser 波长: 808 to 975 nm 输出功率: Up to 9 W 工作电流: 11 A 类型: Fiber-Coupled Laser Diode

    来自半导体器件的氦气是一种激光二极管,其波长为808至975 nm,输出功率高达9 W,工作电流为11 A,输出功率(CW)高达9 W.氦气的更多详情见下文。

  • 卡拉特 半导体激光器
    以色列
    巴条配置: Horizontal Stack 工作模式: CW Laser 波长: 808 nm 输出功率: 80 W 工作电流: 90 A

    来自SIMIConductor Devices的KARAT是波长为808nm、输出功率为80W、工作电流为90A、输出功率(CW)为80W、工作温度为25℃的激光二极管。

  • 拉皮德系列 半导体激光器
    以色列
    工作模式: CW Laser 输出功率: 40 to 80W 工作电压: 2 V 工作电流: 50 to 90 A 堆栈/阵列: Array/Stack

    来自SIMIConductor Devices的LAPID系列是波长为808nm、915nm、940nm的激光二极管,输出功率为40至80W,工作电压为2V,工作电流为50至90A,输出功率(连续波)为40至80W.有关LAPID系列的更多详细信息,请联系我们。

  • 霓虹灯 半导体激光器
    以色列
    工作模式: CW Laser 输出功率: Up to 50 W 工作电流: 12 A 类型: Fiber-Coupled Laser Diode

    来自半导体器件的氖是一种激光二极管,波长为808/-5nm、915/-5nm、950/-5 nm、975/-5 nm,输出功率高达50 W,工作电流为12 A,输出功率(CW)高达50 W,工作温度为20至30摄氏度。

  • 奥德姆 半导体激光器
    以色列
    巴条配置: Vertical Stack 工作模式: CW Laser 波长: 940 nm 输出功率: 150 W 工作电压: 18 V

    来自SIMIConductor Devices的ODEM是波长为940nm、输出功率为150W、工作电压为18V、工作电流为170A、输出功率(CW)为150W的激光二极管。

  • 蛋白石2 半导体激光器
    以色列
    工作模式: CW Laser, Pulsed Laser 波长: 940 nm 输出功率: 100 W 工作电压: 3.2 V 工作电流: 120 A

    来自SIMIConductor Devices的Opal 2是波长为940nm、输出功率为100W、工作电压为3.2V、工作电流为120A、输出功率(CW)为100W的激光二极管。Opal 2的更多细节可参见下文。

  • QCW-1000-G 半导体激光器
    以色列
    工作模式: CW Laser, Pulsed Laser 波长: 808 ±3 nm 输出功率: 100 W 工作电流: 105 A 堆栈/阵列: Array/Stack

    来自SIMIConductor Devices的QCW-1000-G是一款激光二极管,波长为808±3 nm,输出功率为100 W,工作电流为105 A,输出功率(CW)为100 W,工作温度为55摄氏度。有关QCW-1000-G的更多详细信息,请联系我们。

  • QCW-800-C 半导体激光器
    以色列
    工作模式: CW Laser 波长: 808 ±3 nm 输出功率: 100 W 工作电压: 18 V 工作电流: 105 A

    半导体器件公司的QCW-800-C是一种波长为808±3nm、输出功率为100W、工作电压为18V、工作电流为105A、阈值电流为20000mA的半导体激光器。有关QCW-800-C的更多详细信息,请联系我们。

  • QCW-840 半导体激光器
    以色列
    工作模式: CW Laser 波长: 808 ±3 nm 输出功率: 140 W 工作电流: 80 A 阈值电流: 20000 mA

    来自SIMIConductor Devices的QCW-840是一款激光二极管,波长为808±3 nm,输出功率为140 W,工作电流为80 A,阈值电流为20000 mA,输出功率(CW)为140 W.有关QCW-840的更多详细信息,请联系我们。

  • 红宝石E系列 半导体激光器
    以色列
    工作模式: CW Laser, Pulsed Laser 波长: 808 nm 输出功率: 200 W 工作电压: 18 V 工作电流: 200 A

    来自SIMIConductor Devices的Ruby E系列是一款激光二极管,波长为808 nm,输出功率为200 W,工作电压为18 V,工作电流为200 A,输出功率(CW)为200 W.Ruby E系列的更多详细信息见下文。

  • 红宝石系列 半导体激光器
    以色列
    工作模式: CW Laser 波长: 808 nm 输出功率: 75 W 工作电压: 15 to 17 V 工作电流: 80 A

    来自SIMIConductor Devices的Ruby系列是波长为808nm、输出功率为75W、工作电压为15至17V、工作电流为80A、阈值电流为20000mA的激光二极管。Ruby系列的更多细节可以在下面看到。

  • 萨皮尔系列 半导体激光器
    以色列
    工作模式: CW Laser 波长: 808 nm 输出功率: 70 to 100 W 工作电压: 2 V 工作电流: 110 A

    SIMIConductor Devices的Sapir系列是一种激光二极管,波长为808 nm,输出功率为70至100 W,工作电压为2 V,工作电流为110 A,输出功率(CW)为70至100 W.有关Sapir系列的更多详细信息,请联系我们。

  • 氙气 半导体激光器
    以色列
    工作模式: CW Laser 输出功率: Up to 320 W 工作电流: 10 to 12 A 类型: Fiber-Coupled Laser Diode 纤芯直径: 200 to 220, 400 to 440 µm

    来自半导体器件的氙是一种激光二极管,波长为808/-5nm、915/-5nm、950/-5 nm、975/-5 nm,输出功率高达320 W,工作电流为10至12 A,输出功率(CW)高达320 W,工作温度为20至30摄氏度。

  • RLD2BPND1 半导体激光器
    日本
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 660 nm 输出功率: 0.02 W 工作电压: 2.2 V 工作电流: 0.023 A

    Rohm Semiconductor公司的RLD2BPND1是波长为660nm,输出功率为0.02W,工作电压为2.2V,工作电流为0.023A,阈值电流为13mA的激光二极管。有关RLD2BPND1的更多详细信息,请联系我们。

  • RLD2BPNK2 半导体激光器
    日本
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 787 nm 输出功率: 0.02 W 工作电压: 1.8 V 工作电流: 0.029 A

    Rohm Semiconductor公司的RLD2BPNK2是一种波长为787nm、输出功率为0.02W、工作电压为1.8V、工作电流为0.029A、阈值电流为12mA的激光二极管。有关RLD2BPNK2的更多详细信息,请联系我们。