• SLD301V 半导体激光器
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 770 to 840 nm 输出功率: 0.1 W 工作电压: 1.9 to 3 V 工作电流: 0.25 to 0.4 A

    Sony Semiconductor Solutions Corporation的SLD301V是波长为770至840 nm、输出功率为0.1 W、工作电压为1.9至3 V、工作电流为0.25至0.4 A、阈值电流为150至200 mA的激光二极管。有关SLD301V的更多详细信息,请联系我们。

  • SLD302V 半导体激光器
    技术: Double-Hetro Type 工作模式: Pulsed Laser 波长: 770 to 840 nm 输出功率: 0.2 W 工作电压: 1.9 to 3 V

    SLD302V是Sony Semiconductor Solutions Corporation生产的激光二极管,波长为770至840 nm,输出功率为0.2 W,工作电压为1.9至3 V,工作电流为0.35至0.5 A,阈值电流为150至200 mA.有关SLD302V的更多详细信息,请联系我们。

  • SLD322V 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: Pulsed Laser 波长: 790 to 840 nm 输出功率: 0.5 W 工作电压: 2.1 to 3 V

    SLD322V是由Sony Semiconductor Solutions Corporation生产的激光二极管,其波长为790至840 nm,输出功率为0.5 W,工作电压为2.1至3 V,工作电流为0.75至1.2 A,阈值电流为180至300 mA.有关SLD322V的更多详细信息,请联系我们。

  • SLD323V 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: Pulsed Laser 波长: 790 to 840 nm 输出功率: 1 W 工作电压: 2.1 to 3 V

    Sony Semiconductor Solutions Corporation生产的SLD323V是一种激光二极管,波长为790至840 nm,输出功率为1 W,工作电压为2.1至3 V,工作电流为1.4至2 A,阈值电流为300至500 mA.有关SLD323V的更多详细信息,请联系我们。

  • SLD326YT 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: Pulsed Laser 波长: 790 to 840 nm 输出功率: 4 W 工作电压: 2.4 to 2.8 V

    Sony Semiconductor Solutions Corporation生产的SLD326YT是一款激光二极管,波长为790~840 nm,输出功率为4 W,工作电压为2.4~2.8 V,工作电流为4~8 A,阈值电流为1000~2000 mA.有关SLD326YT的更多详细信息,请联系我们。

  • SLD332F 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: Pulsed Laser 波长: 805 to 811 nm 输出功率: 1 W 工作电压: 1.8 to 3.0 V

    Sony Semiconductor Solutions Corporation生产的SLD332F是一种激光二极管,其波长为805至811 nm,输出功率为1 W,工作电压为1.8至3.0 V,工作电流为1.2至1.5 A,阈值电流为400至500 mA.有关SLD332F的更多详细信息,请联系我们。

  • SLD333V 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: Pulsed Laser 波长: 790 to 840 nm 输出功率: 1 W 工作电压: 2 to 3 V

    Sony Semiconductor Solutions Corporation生产的SLD333V是一种激光二极管,波长为790至840 nm,输出功率为1 W,工作电压为2至3 V,工作电流为1.2至1.5 A,阈值电流为200至500 mA.有关SLD333V的更多详细信息,请联系我们。

  • SLD334YT 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: Pulsed Laser 波长: 795 to 840 nm 输出功率: 2 W 工作电压: 2.2 to 3 V

    Sony Semiconductor Solutions Corporation生产的SLD334YT是一款激光二极管,波长为795至840 nm,输出功率为2 W,工作电压为2.2至3 V,工作电流为2.2至3.6 A,阈值电流为600至1000 mA.有关SLD334YT的更多详细信息,请联系我们。

  • SLD335F 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: Pulsed Laser 波长: 805 to 811 nm 输出功率: 5 W 工作电压: 2.2 to 3 V

    SLD335F是由Sony Semiconductor Solutions Corporation生产的激光二极管,其波长为805至811 nm,输出功率为5 W,工作电压为2.2至3 V,工作电流为5.2至6.5 A,阈值电流为800至1500 mA.有关SLD335F的更多详细信息,请联系我们。

  • SLD335YT 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: Pulsed Laser 波长: 790 to 840 nm 输出功率: 4 W 工作电压: 2.1 to 3 V

    SLD335YT是Sony Semiconductor Solutions Corporation生产的激光二极管,波长为790至840 nm,输出功率为4 W,工作电压为2.1至3 V,工作电流为4.3至5.5 A,阈值电流为800至1500 mA.有关SLD335YT的更多详细信息,请联系我们。

  • SLD336VF 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: Pulsed Laser 波长: 790 to 840 nm 输出功率: 0.75 W 工作电压: 2 to 2.3 V

    Sony Semiconductor Solutions Corporation生产的SLD336VF是一种激光二极管,波长为790至840 nm,输出功率为0.75 W,工作电压为2至2.3 V,工作电流为0.8至1 A,阈值电流为200至300 mA.有关SLD336VF的更多详细信息,请联系我们。

  • SLD343YT 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: Pulsed Laser 波长: 790 to 840 nm 输出功率: 4 W 工作电压: 2 to 2.3 V

    Sony Semiconductor Solutions Corporation生产的SLD343YT是一种激光二极管,其波长为790至840 nm,输出功率为4 W,工作电压为2至2.3 V,工作电流为4.6至6.5 A,阈值电流为1000至2000 mA.有关SLD343YT的更多详细信息,请联系我们。

  • SLD344YT 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: Pulsed Laser 波长: 790 to 840 nm 输出功率: 6 W 工作电压: 2 to 2.3 V

    SLD344YT是由Sony Semiconductor Solutions Corporation生产的激光二极管,其波长为790至840 nm,输出功率为6 W,工作电压为2至2.3 V,工作电流为7至9 A,阈值电流为1400至3000 mA.有关SLD344YT的更多详细信息,请联系我们。

  • SLD431S 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: Pulsed Laser 波长: 805 to 811 nm 输出功率: 20 W 工作电压: 1.9 to 2.5 V

    SLD431S是由Sony Semiconductor Solutions Corporation生产的激光二极管,波长为805至811 nm,输出功率为20 W,工作电压为1.9至2.5 V,工作电流为25至30 A,阈值电流为6000至15000 mA.有关SLD431S的更多详细信息,请联系我们。

  • SLD432S 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: Pulsed Laser 波长: 805 to 811 nm 输出功率: 40 W 工作电压: 1.9 to 2.8 V

    SLD432S是由Sony Semiconductor Solutions Corporation生产的激光二极管,其波长为805至811 nm,输出功率为40 W,工作电压为1.9至2.8 V,工作电流为50至55 A,阈值电流为14000至18000 mA.有关SLD432S的更多详细信息,请联系我们。

  • SLD433S4 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: Pulsed Laser 波长: 805 to 811 nm 输出功率: 60 W 工作电压: 2.5 V

    SLD433S4是由Sony Semiconductor Solutions Corporation生产的激光二极管,波长为805至811 nm,输出功率为60 W,工作电压为2.5 V,工作电流为75至85 A,阈值电流为17000至22000 mA.有关SLD433S4的更多详细信息,请联系我们。

  • LNCQ28MS01WW 半导体激光器
    日本
    技术: Multi-Quantum Well (MQW) 工作模式: CW/Pulsed Laser 波长: 656 to 665 nm 输出功率: 0.1 to 0.35 W 工作电压: 2 to 3 V

    Panasonic公司的LNCQ28MS01WW是一种MOCVD制造的激光二极管,具有多量子阱结构,工作波长为655至665nm.它提供高达350 MW的脉冲输出功率,工作温度范围为-10至+85°C.激光二极管的脉冲宽度高达40 ns,占空比高达33%。它需要2至3 V的直流电源,功耗为165 mA.激光二极管具有7.5至13度的平行光束发散度和13至19.5度的垂直光束发散度。它采用TO-56 CAN封装,非常适合用于光盘驱动器、传感、分析、测量和农业应用。

  • ARR291P1800 半导体激光器
    美国
    厂商:Northrop Grumman
    应用行业: Direct Diode Applications 巴条配置: Vertical Stack 工作模式: Pulsed Laser 波长: 808 nm 输出功率: 0 to 1800 W

    诺斯罗普·格鲁曼公司的ARR291P1800是8/10/12激光二极管条堆叠的激光二极管阵列,工作波长为790至1550 nm.它的准连续输出功率为1800 W(每巴150 W),斜率效率为15 W/A,电光效率为55%。该激光器阵列具有高达38×7°的光束发散角和0.5-300ms的脉冲持续时间。它采用硬AuSn焊料和膨胀匹配材料组装,以提高可靠性,并通过非去离子标准过滤水进行冷却,使安装和维护更具成本效益和时间效率。该激光器具有快轴和慢轴准直透镜选项。它需要24 V的直流电源,消耗140 A的电流。该激光阵列采用H封装,非常适合材料处理、激光雷达、激光喷丸、钛泵、激光切割和直接二极管应用,如脱毛和塑料焊接。

  • ARR97C020 半导体激光器
    美国
    厂商:Northrop Grumman
    工作模式: CW Laser 波长: 808 nm 输出功率: 20 W 工作电压: 1.7 V 工作电流: 25 A

    诺斯罗普·格鲁曼公司的ARR97C020是一种传导冷却激光二极管阵列,中心波长为808nm(也可选择790-1550nm)。输出功率为20W,电光转换效率为47%。激光二极管阵列具有1.8nm的光谱宽度。该器件的工作电压为1.7 V,阈值电流为8 A.激光二极管阵列采用直接粘合的尖端光电C封装,尺寸为24.89 X 24.89 X 11.18 mm.该封装基于诺斯罗普·格鲁曼公司的Golden Bullet技术,该技术能够在每个封装中使用多个条。ARR97C020可安装到激光系统中,也可用于直接二极管应用。

  • ASM232P200 半导体激光器
    美国
    厂商:Northrop Grumman
    应用行业: Industrial, Scientific 工作模式: CW Laser, Pulsed Laser 波长: 808 nm 输出功率: 200 W 工作电压: 2 V

    诺斯罗普·格鲁曼公司的ASM232P200是一个工作波长为808nm的激光二极管子模块。它产生200W(每巴)的最小QCW(准连续波)输出功率,并且具有2.5nm的光谱宽度。这种激光二极管是基于专有的硬焊料技术与扩展匹配的材料。它具有15 A的阈值电流,并提供长脉冲和/或高占空比。该激光二极管需要2 V的直流电源并消耗180 A的电流。它采用Golden Bullet封装,尺寸为394 X 250 X 68 mm,是材料加工、Ti:S泵浦、激光雷达、激光切割和激光喷丸应用的理想选择。