• FWSX-RGB-010-FCSM 半导体激光器
    德国
    输出功率: 10 mW 工作电压: 2.7 to 6 V 工作电流: 100 to 180 mA 阈值电流: 30 to 50 mA 激光颜色: Red, Green, Blue

    Frankfurt Laser Company的FWSX-RGB-010-FCSM是一款光纤耦合RGB激光二极管,工作波长为445、520和635 mm.它提供10 MW的输出功率,并具有内置TEC冷却器。该器件需要2.7/6/7 V的电源电压,功耗高达180 mA.该激光器采用80cm单模光纤和FC/SMA905连接器模块,非常适合用于照明、瞄准光束、生物科学和内窥镜应用。外壳和光纤采用激光焊接,确保产品的高稳定性和长期可靠性。

  • FWSX-RGB-Pigtailed激光模块 半导体激光器
    德国
    工作电压: 2.7 to 7 V 工作电流: 0.1 to 0.2 A 激光颜色: Blue, Green, Red, White 类型: Fiber-Coupled Laser Diode 纤芯直径: 3um, 9um, 50um, 105um, 200um

    Frankfurt Laser的FWSX-RGB尾纤激光模块是RGB尾纤白色激光二极管模块,工作波长为638(红色)、520(绿色)和445 nm(蓝色)。这些光纤耦合RGB激光二极管模块提供单模、多模和双模输出。它们提供10/20mW的单模输出功率和超过50mW的多模输出功率。这些激光模块需要7 V的直流电源,电流消耗小于200 mA.这些器件采用同轴封装,内置热敏电阻和TE冷却器。这些激光二极管是瞄准光束、照明、生物科学和内窥镜应用的理想选择。

  • V940-12GWA-1TGA 半导体激光器
    美国
    厂商:Inneos
    应用行业: Automotive, Industrial, Aerospace 技术: Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser (VCSEL) 工作模式: CW Laser 输出功率: 1 to 2.5 mW 工作电压: 2.2 to 2.8 V

    Inneos的V940-12GWA-1TGA是一款垂直腔面发射激光二极管,工作波长为940 nm.光输出功率为2.5 MW,斜率效率为0.3-0.6 MW/mA.该单通道顶部发射VCSEL在小于9.0GHz的带宽下具有12Gbps的数据速率。它的光谱宽度为1nm,光束发散半角为15度。V940-12GWA-1TGA可集成到收发器或传感器中,经过设计和测试,可在恶劣环境应用中保持高性能。该激光二极管的阈值电流为0.75 mA,反向电压高达8 V.它需要2.2 V的直流电源,消耗6 mA的电流。这款VCSEL采用裸片封装,尺寸为0.25 X 0.25 mm,非常适合工业和航空航天应用。

  • V980-10GWA-1TGA 半导体激光器
    美国
    厂商:Inneos
    应用行业: Automotive, Industrial, Aerospace 技术: Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser (VCSEL) 工作模式: CW Laser 波长: 965 to 990 nm 输出功率: 2 to 2.7 mW

    Inneos的V980-10GWA-1TGA是一款垂直腔面发射激光二极管,工作波长为980 nm.它提供高达10 Gbps的数据速率和2.7 MW的光输出功率。这种单通道顶发射激光二极管的光谱宽度为0.4nm,最小小信号带宽为7.5GHz,斜率效率为0.5-0.6mW/mA.它的阈值电流为1.25毫安,光束发散半角为13度,微分电阻为68欧姆。该激光二极管需要1.7-2.7 V的直流电源,并消耗5 mA的电流。它采用尺寸为0.25 X 0.25 X 0.20 mm的裸片封装,非常适合汽车、工业和航空航天应用中的发射器光学子组件、高性能收发器和恶劣环境传感器。

  • V980-10GXA-1TGA 半导体激光器
    美国
    厂商:Inneos
    应用行业: Automotive, Industrial 技术: Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser (VCSEL) 工作模式: CW Laser 波长: 965 to 990 nm 输出功率: 1 to 1.6 mW

    Inneos的V980-10GXA-1TGA是一款垂直腔面发射激光二极管,工作波长为980 nm.光输出功率为1.6 W,斜率效率为0.5-0.75 MW/mA.该单通道顶部发射VCSEL在超过7.75GHz的带宽下具有10Gbps的数据速率。它的光谱宽度为0.4nm,光束发散半角为16度。V980-10GXA-1TGA可集成到收发器或传感器中,经过设计和测试,可在恶劣环境应用中保持高性能。该激光二极管的阈值电流为2 mA,反向电压高达8 V.它需要2-3.15 V的直流电源,消耗3 mA的电流。这款VCSEL采用裸片封装,尺寸为0.25 X 0.25 mm,非常适合工业和汽车应用。

  • V980-6GXA-1TGA 半导体激光器
    美国
    厂商:Inneos
    应用行业: Automotive, Industrial, Aerospace 技术: Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser (VCSEL) 工作模式: CW Laser 波长: 965 to 990 nm 输出功率: 1 to 1.6 mW

    Inneos的V980-6GXA-1TGA是一款6 Gbps VCSEL激光二极管,工作波长为980 nm.其光输出功率为1.6mW,斜率效率为0.5-0.75mW/mA.该单通道顶部发射激光二极管的光谱宽度为0.4nm,最小小信号带宽为4.5GHz,光束发散半角为16度。它需要2-3.3 V的直流电源,功耗为3 mA.该激光二极管的反向电压高达8 V,需要0.7 mA的阈值电流。该器件采用尺寸为250 X 250 X 200微米的封装,非常适合汽车、工业和航空航天应用中的恶劣环境传感器、发射器光学子组件和宽温度收发器。

  • APF系列 半导体激光器
    应用行业: Defense, Space 技术: QCW 输出功率: Up to 600 W 工作电压: 10 to 12 V 工作电流: 100 A

    Quantel Laser的APF系列是光纤耦合QCW激光二极管堆栈,工作波长为808、915、940和980 nm.它们提供高达600W的光输出功率,并且具有超过45%的效率。这些激光二极管具有5nm的光谱宽度和高达250μs的脉冲宽度。它们需要10-12 V的直流电源,电流消耗小于100 A.这些激光二极管具有现场可更换的光纤电缆,并提供高耦合效率。它们采用尺寸为38.5 X 80 X 56 mm的模块,是光泵浦、医疗、工业、国防和空间应用的理想选择。

  • HF系列 半导体激光器
    应用行业: Medical, Industrial 工作模式: Quasi-CW Laser 波长: 808 nm 输出功率: 150 W 工作电压: 2.5 V

    Quantel Lasers的HF系列是光纤耦合QCW激光二极管条模块,工作波长为808 nm.它们提供150W的脉冲输出功率,脉冲宽度为200μs,脉冲重复频率为80-400Hz.这些激光二极管的效率超过40%。它们具有纤芯直径为0.6毫米、长度为2米的光纤。这些激光二极管采用紧凑的抗震封装,尺寸为21 X 100 X 34 mm,带有SMA 905连接器,是医疗、光泵浦和工业应用的理想选择。

  • EYP-BAL-0808-00020-1540-SOT23-0016 半导体激光器
    德国
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 808 nm 输出功率: 0 to 20 W 阈值电流: 0 to 2000 mA 激光增益介质: GaAs

    来自Eagleyard的EYP-BAL-0808-00020-1540-SOT23-0016是工作在808nm波长的多模脉冲激光二极管。它提供高达20 W的CW功率,脉冲持续时间为500µs.宽区域激光器需要2000mA的阈值电流。它采用TO-CAN封装,适用于空间和国防、材料加工、医疗和激光雷达或固态激光泵浦等领域的传感应用。

  • EYP-RWE-1060-10020-0750-SOT01-0000 半导体激光器
    德国
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 1060 nm 输出功率: 0.07 W 工作电流: 0.18 to 0.2 A 激光增益介质: GaAs

    来自Eagleyard的EYP-RWE-1060-10020-0750-SOT01-0000是可在960至1080nm范围内调谐的GaAs半导体激光二极管。该可调谐1060nm法布里-珀罗激光二极管提供高达100mW的输出功率。它采用TO-CAN封装,非常适合光谱应用。

  • 6507-0003 半导体激光器
    美国
    厂商:QPC Lasers
    工作模式: CW Laser 波长: 795 nm 输出功率: 180 W 工作电压: 14.3 to 15 V 工作电流: 40 to 50 A

    来自QPC Lasers的6507-0003是795nm光纤耦合激光器模块,可提供超过180 W的输出功率。该激光器是自旋交换光泵浦(SEOP)的理想光源。其光谱宽度小于0.25nm,纤芯直径为1000μm.

  • BrightLase 7315-0010 半导体激光器
    美国
    厂商:QPC Lasers
    应用行业: Industrial 工作模式: CW Laser 波长: 1550 nm 输出功率: 15 W 工作电压: 7 V

    QPC Lasers LLC的BrightLase 7315-0010是一款1550 nm激光二极管,可从100µm宽度的发射器提供超过15W的峰值功率。该器件采用TO-18封装,非常适合传感、人眼安全测距、隐蔽照明和工业计量应用。

  • ML562G84 半导体激光器
    日本
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 638 nm 输出功率: 0 to 2.5 W 工作电压: 2.4 V 占空比: up to 40%

    来自三菱的ML562G85是中心波长为639nm的连续波(CW)红色激光二极管(LD)。它提供2.1 W的输出功率,产生250流明。激光二极管具有41%的高插拔效率。它采用9 mm TO-CAN封装,是投影仪的理想选择。

  • ML562G85 半导体激光器
    日本
    工作模式: CW Laser 波长: 639 nm 输出功率: 0 to 2.1 W 工作电压: 2.25 V 阈值电流: 550 mA

    三菱电机(Mitsubishi Electric)的ML562G85是一款红色激光二极管,工作波长为639 nm.它产生2.1 W的CW输出功率和250流明的亮度,效率为41%。这款横向多模激光二极管采用独创的高功率技术和优化的外延结构,可在高达45摄氏度的高温下工作。它采用TO-CAN封装,尺寸为Ø9.0 mm,非常适合需要高亮度的大型场地激光投影仪。

  • 4PN-101 半导体激光器
    美国
    应用行业: Military, Space, Medical 工作模式: CW Laser 波长: 1450 nm 输出功率: 3.8 W 工作电压: 1.6 V

    Seminex的4PN-101是一款4针光纤耦合激光模块,工作波长为1450 nm,可提供4 W的CW输出功率。多模激光器具有10nm的光谱宽度。该激光器需要1.6 V电源,阈值电流为0.5 A.它采用高功率Seminex激光二极管芯片,与光电二极管或热敏电阻一起安装在方便的低成本封装中。该封装采用105/125.22NA光纤和SMA 905连接器。该激光模块适用于OEM医疗、DPSS泵浦源、激光雷达、自由空间通信和军事/航空航天应用。

  • TO56m-100-173 半导体激光器
    美国
    应用行业: Medical, Aerospace / Military 芯片技术: InP 工作模式: Pulsed Laser 波长: 1250 nm 输出功率: 8 W

    Seminex的TO56M-100-173是一款输出波长为1250 nm的脉冲激光二极管。它产生8W的脉冲输出功率,脉冲宽度为150ns(占空比为0.1%)。这种单/多模激光二极管的斜率效率为0.2W/A,腔长为1500μm.它具有30度(垂直)的快轴划分和10度(平行)的慢轴划分。激光二极管需要7.3 V直流电源,阈值电流高达1 A.它采用TO56封装,尺寸为50 X 1μm,非常适合OEM和专业医疗、激光雷达、军事、航空航天和照明应用。

  • SLD1254JFR-V 半导体激光器
    工作模式: CW Laser 波长: 635 to 645 nm 输出功率: 90 mW 工作电压: 2.5 to 2.9 V 工作电流: 150 to 185 mA

    索尼半导体解决方案公司(Sony Semiconductor Solutions Corporation)的SLD1254JFR-V是一款激光二极管,波长为635至645 nm,输出功率为90 MW,工作电压为2.5至2.9 V,工作电流为150至185 mA.有关SLD1254JFR-V的更多详细信息,请联系我们。

  • SLD259VS 半导体激光器
    工作模式: CW Laser 波长: 840 to 860 nm 输出功率: 200 to 250 mW 工作电压: 2.2 to 2.5 V 工作电流: 210 to 270 mA

    Sony的SLD259VS是一款AlGaAs量子结构激光二极管,工作波长为850 nm.它的输出功率为200 MW,工作电流高达270 mA.激光二极管采用5.6 mm TO56封装,非常适合3D传感、深度传感和手势识别应用。

  • SLD266ZS 半导体激光器
    工作模式: CW Laser, Pulsed Laser 波长: 785 to 800 nm 输出功率: 10 mW 工作电压: 1.6 to 2.3 V 工作电流: 0.02 to 0.035 A

    索尼公司的SLD266ZS是一款红外单片八光束激光二极管,工作波长为785至800 nm.每个光束都可以单独操作,发射器之间的间隔为30微米。它提供10 MW的输出功率,同时消耗高达35 mA的电流。激光二极管采用TO CAN封装,是激光打印机、数码复印机和激光束打印机的理想选择。

  • SLD291VS 半导体激光器
    工作模式: CW Laser 波长: 840 to 860 nm 输出功率: 350 mW 工作电压: 2.3 to 2.6 V 工作电流: 400 to 470 mA

    索尼半导体解决方案公司(Sony Semiconductor Solutions Corporation)的SLD291VS是一款激光二极管,波长为840至860 nm,输出功率为350 MW,工作电压为2.3至2.6 V,工作电流为400至470 mA.有关SLD291VS的更多详细信息,请联系我们。