在光纤到户中，对传输通信光的光纤进行监测时，采用1625nm或1650nm的波长进行维护测试，在光线路终端和光网络终端前端安装允许通信光通过但截断测试光的滤光片。非常靠近ONT的终端电缆具有带滤光器的SC型连接器。有必要提供一种能够容易地嵌入连接器中的滤波器，以实现更经济的端接电缆。光纤布拉格光栅（FBG）滤波器适合于这种应用。

Flyin Optronics的单模耦合器1x2 2x2具有非常低的插入损耗、低偏振依赖性和出色的环境稳定性，精确的耦合比从50/50到1/99，光纤类型为250um裸光纤、3mm和900um松套管光纤，具有非常严格的一致性。单模标准耦合器和宽带耦合器元件广泛应用于各种光通信系统中，以实现功率分配和监控功能。

光纤衰减器是一种无源器件，用于在不显著改变波形本身的情况下降低光信号的振幅。这通常是密集波分复用（DWDM）和掺铒光纤放大器（EDFA）应用中的要求，其中接收器不能接受从高功率光源产生的信号。先科衰减器采用了一种专有类型的金属离子掺杂光纤，可在光信号通过时减少光信号。这种衰减方法允许比光纤拼接或光纤偏移更高的性能，光纤拼接或光纤偏移通过误导而不是吸收光信号来起作用。Senko衰减器能够在1310、C和L波段工作。Senko衰减器能够长时间承受超过1W的高功率光照射，使其非常适合EDFA和其他高功率应用。低偏振相关损耗（PDL）和稳定且独立的波长分布使其成为DWDM的理想选择。

光纤衰减器是一种无源器件，用于在不显著改变波形本身的情况下降低光信号的振幅。这通常是密集波分复用（DWDM）和掺铒光纤放大器（EDFA）应用中的要求，其中接收器不能接受从高功率光源产生的信号。先科衰减器采用了一种专有类型的金属离子掺杂光纤，可在光信号通过时减少光信号。这种衰减方法允许比光纤拼接或光纤偏移更高的性能，光纤拼接或光纤偏移通过误导而不是吸收光信号来起作用。Senko衰减器能够在1310、C和L波段工作。Senko衰减器能够长时间承受超过1W的高功率光照射，使其非常适合EDFA和其他高功率应用。低偏振相关损耗（PDL）和稳定且独立的波长分布使其成为DWDM的理想选择。

硫系As2S3和As2Se3玻璃光纤具有较宽的传输范围（1.5μm~6.5μm和1.5μm~10μm）和较低的传输损耗，具有较高的非线性系数、较小的负折射率温度变化（DN/DT）、良好的功率容量和化学稳定性，可用于制作SMA、FC/PC和FC/APC等传输电缆。然而，由于硫系玻璃的高折射率（As2S3约为2.4，As2Se3约为2.7），光纤在输入和输出面会发生较大的菲涅尔反射（17%和21%）。对于采用SMA或FC/PC终端的电缆，输入端的这种反射可能会对激光器或其他光学元件造成不良影响。对于需要消除这种反射的应用，必须使用隔离器。在输入面采用8°角的FC/APC终端并不能缓解背向反射问题。然而，由于这些反射造成的功率损耗，上述终端仍将经历较低的传输功率。Irflex的FC/B®终端允许输入光束在输入面几乎完全传输，这意味着除了消除不需要的背向反射外，更多的功率被耦合到光纤中。我们的FC/B®连接器利用透射材料的布儒斯特角特性，在输入面实现了几乎完全的透射和无反射。以布儒斯特角入射到材料上的光对于其电场平行于入射平面的光将不会经历反射；这被称为TM或P极化。具有TE或S偏振的光仍将经历反射；因此，该角度也被称为偏振角。

新的FCB-ER8300块相机集成了1/2.3型Exmor R传感器，能够在高达30p的4K分辨率（3，840 X 2，160，QFHD）。该相机采用高品质12倍光学变焦镜头，当与超级分辨率变焦相结合时，可在高达20倍变焦时保持4K分辨率，在紧凑的外形中提供增强的4K可视性。这款相机还继承了索尼广受欢迎的FCB系列相机的一些独特功能，如自动ICR、隐私区域遮罩、降噪和可见度增强，支持在具有挑战性的照明条件下使用。这些出色的功能和优势使FCB-ER8300非常适合要求苛刻的广域监控应用，如运输、体育赛事监控、视频会议等。

推出我们FCB系列的较新版本：FCB-ER8550与FCB-ER8530一样，在方便和兼容的外形中重置了画质和性能，为各种空间和外形非常重要的应用带来了4K可能性。FBC-ER8550配备了较新的索尼CMOS传感器技术，是备受推崇的FCB-ER系列的较新版本，该系列首次推出时推出了FBC-ER8300。FCB-ER8550提供30fps的4K分辨率和集成的20倍光学变焦镜头，但包括外部同步功能。外形尺寸几乎与FCB-EV7520相同，因此提供了一种方便的解决方案来迁移到4K，而无需重新设计您的较终解决方案。FCB-ER8550的外部同步功能为部署多个摄像机的用户提供了额外的好处，例如在广播环境中或将FCB与其他附件（如红外光或热感摄像机）一起使用，这在视频监控行业中很常见。FCB-ER8550继承了索尼全球知名的FCB系列的众多功能，包括VISCA推荐协议、Auto-ICR和图像稳定。这些市场领先的功能适用于各种要求苛刻的应用。

GaAs基锥形放大器用于极端谐振器配置中，以将高达2000W的近衍射极限输出功率与小谱线宽度和高边模抑制比相结合。它们的后端面具有小于0.01%的高抗反射涂层，以保证与光栅的良好耦合。前表面具有抗反射涂层，以保护芯片不受背向反射的影响。典型的应用是高分辨率吸收光谱或非线性倍频。

GaAs基锥形放大器用于极端谐振器配置中，以将高达2000mW的近衍射极限输出功率与小谱线宽度和高边模抑制比相结合。它们的后端面具有小于0.01%的高抗反射涂层，以保证与光栅的良好耦合。前表面具有抗反射涂层，以保护芯片不受背向反射的影响。典型的应用是高分辨率吸收光谱或非线性倍频。

GaAs基锥形放大器用于极端谐振器配置中，以将高达1000W的近衍射极限输出功率与小谱线宽度和高边模抑制比相结合。它们的后端面具有小于0.01%的高抗反射涂层，以保证与光栅的良好耦合。前表面具有抗反射涂层，以保护芯片不受背向反射的影响。典型的应用是高分辨率吸收光谱或非线性倍频。

GaAs基锥形放大器用于极端谐振器配置中，以将高达2000W的近衍射极限输出功率与小谱线宽度和高边模抑制比相结合。它们的后端面具有小于0.01%的高抗反射涂层，以保证与光栅的良好耦合。前表面具有抗反射涂层，以保护芯片不受背向反射的影响。典型的应用是高分辨率吸收光谱或非线性倍频。

GaAs基锥形放大器用于极端谐振器配置中，以将高达2000W的近衍射极限输出功率与小谱线宽度和高边模抑制比相结合。它们的后端面具有小于0.01%的高抗反射涂层，以保证与光栅的良好耦合。前表面具有抗反射涂层，以保护芯片不受背向反射的影响。典型的应用是高分辨率吸收光谱或非线性倍频。

GaAs基锥形放大器用于极端谐振器配置中，以将高达2000W的近衍射极限输出功率与小谱线宽度和高边模抑制比相结合。它们的后端面具有小于0.01%的高抗反射涂层，以保证与光栅的良好耦合。前表面具有抗反射涂层，以保护芯片不受背向反射的影响。典型的应用是高分辨率吸收光谱或非线性倍频。

GaAs基锥形放大器用于极端谐振器配置中，以将高达2000W的近衍射极限输出功率与小谱线宽度和高边模抑制比相结合。它们的后端面具有小于0.01%的高抗反射涂层，以保证与光栅的良好耦合。前表面具有抗反射涂层，以保护芯片不受背向反射的影响。典型的应用是高分辨率吸收光谱或非线性倍频。

GaAs基锥形放大器用于极端谐振器配置中，以将高达2000W的近衍射极限输出功率与小谱线宽度和高边模抑制比相结合。它们的后端面具有小于0.01%的高抗反射涂层，以保证与光栅的良好耦合。前表面具有抗反射涂层，以保护芯片不受背向反射的影响。典型的应用是高分辨率吸收光谱或非线性倍频。

GaAs基锥形放大器用于极端谐振器配置中，以将高达500mW的近衍射极限输出功率与小谱线宽度和高边模抑制比相结合。它们的后端面具有小于0.01%的高抗反射涂层，以保证与光栅的良好耦合。前表面具有抗反射涂层，以保护芯片不受背向反射的影响。典型的应用是高分辨率吸收光谱或非线性倍频。

GaAs基锥形放大器用于极端谐振器配置中，以将高达500mW的近衍射极限输出功率与小谱线宽度和高边模抑制比相结合。它们的后端面具有小于0.01%的高抗反射涂层，以保证与光栅的良好耦合。前表面具有抗反射涂层，以保护芯片不受背向反射的影响。典型的应用是高分辨率吸收光谱或非线性倍频。

GaAs基锥形放大器用于极端谐振器配置中，以将高达3000mW的近衍射极限输出功率与小谱线宽度和高边模抑制比相结合。它们的后端面具有小于0.01%的高抗反射涂层，以保证与光栅的良好耦合。前表面具有抗反射涂层，以保护芯片不受背向反射的影响。典型的应用是高分辨率吸收光谱或非线性倍频。

GaAs基锥形放大器用于极端谐振器配置中，以将高达1500mW的近衍射极限输出功率与小谱线宽度和高边模抑制比相结合。它们的后端面具有小于0.01%的高抗反射涂层，以保证与光栅的良好耦合。前表面具有抗反射涂层，以保护芯片不受背向反射的影响。典型的应用是高分辨率吸收光谱或非线性倍频。

GaAs基锥形放大器用于极端谐振器配置中，以将高达2000mW的近衍射极限输出功率与小谱线宽度和高边模抑制比相结合。它们的后端面具有小于0.01%的高抗反射涂层，以保证与光栅的良好耦合。前表面具有抗反射涂层，以保护芯片不受背向反射的影响。典型的应用是高分辨率吸收光谱或非线性倍频。