近红外脉冲半导体激光器通常用于长距离飞行时间或相移测距仪或激光雷达系统。Excelitas提供各种理想的脉冲905 nm激光器设计，包括多腔单片结构，每个芯片较多有4个有效区域，可产生高达100 W的峰值光输出功率。激光器芯片的物理堆叠也是可能的，产生高达300W的峰值光输出功率。板上芯片组件可用于混合集成。有6种金属密封封装类型可供选择，适用于恶劣环境应用。对于大批量应用，可提供模制环氧树脂TO-18型封装和表面贴装超模压陶瓷覆晶封装。关键参数是脉冲宽度和上升/下降时间。可以减小脉冲宽度，从而允许增加的电流驱动并导致更高的峰值光功率。量子阱激光器设计提供<1ns的上升和下降时间，但驱动电路布局和封装电感在决定上升/下降时间方面起着更大的作用，因此应进行相应的设计。为此，Excelitas提供了具有不同电感值的多种封装类型。我们的核心能力包括：MOVPE晶圆生长；生长的GaAs晶片的晶片处理；使用环氧树脂或焊料芯片附着的组件；引线框架上激光器的环氧树脂封装密封产品符合MIL STD和客户要求。

近红外脉冲半导体激光器通常用于长距离飞行时间或相移测距仪或激光雷达系统。Excelitas提供各种理想的脉冲905 nm激光器设计，包括多腔单片结构，每个芯片较多有4个有效区域，可产生高达100 W的峰值光输出功率。激光器芯片的物理堆叠也是可能的，产生高达300W的峰值光输出功率。板上芯片组件可用于混合集成。有6种金属密封封装类型可供选择，适用于恶劣环境应用。对于大批量应用，可提供模制环氧树脂TO-18型封装和表面贴装超模压陶瓷覆晶封装。关键参数是脉冲宽度和上升/下降时间。可以减小脉冲宽度，从而允许增加的电流驱动并导致更高的峰值光功率。量子阱激光器设计提供<1ns的上升和下降时间，但驱动电路布局和封装电感在决定上升/下降时间方面起着更大的作用，因此应进行相应的设计。为此，Excelitas提供了具有不同电感值的多种封装类型。我们的核心能力包括：MOVPE晶圆生长；生长的GaAs晶片的晶片处理；使用环氧树脂或焊料芯片附着的组件；引线框架上激光器的环氧树脂封装密封产品符合MIL STD和客户要求。

近红外脉冲半导体激光器通常用于长距离飞行时间或相移测距仪或激光雷达系统。Excelitas提供各种理想的脉冲905 nm激光器设计，包括多腔单片结构，每个芯片较多有4个有效区域，可产生高达100 W的峰值光输出功率。激光器芯片的物理堆叠也是可能的，从而产生高达300W的峰值光输出功率。板上芯片组件可用于混合集成。有6种金属密封封装类型可供选择，适用于恶劣环境应用。对于大批量应用，可提供模制环氧树脂TO-18型封装和表面贴装超模压陶瓷覆晶封装。关键参数是脉冲宽度和上升/下降时间。可以减小脉冲宽度，从而允许增加的电流驱动并导致更高的峰值光功率。量子阱激光器设计提供<1ns的上升和下降时间，但驱动电路布局和封装电感在决定上升/下降时间方面起着更大的作用，因此应进行相应的设计。为此，Excelitas提供了具有不同电感值的多种封装类型。我们的核心能力包括：MOVPE晶圆生长；生长的GaAs晶片的晶片处理；使用环氧树脂或焊料芯片附着的组件；引线框架上激光器的环氧树脂封装密封产品符合MIL STD和客户要求。

Excelitas Technologies的PGEW系列单外延和多外延905 nm脉冲半导体激光器由一系列器件组成，这些器件具有多达四个外延生长在单个GaAs衬底芯片上的有源激射层。这种多层设计将输出功率乘以外延层的数量。例如，QPGEW Quad激光器的有源层宽度为225µm，具有四个外延生长的激射层，输出峰值功率接近100 W。T1¾（类TO）塑料封装补充了Excelitas采用密封金属封装的Epi-Cavity激光器，非常适合大批量应用。该激光器采用Excelitas的新型多活性区域激光器芯片，在较小的发射区域内提供高输出功率。PGEW系列的激光芯片具有75和225µm的条纹宽度，并提供单（PGEW）、双（DPGEW）、三（TPGEW）或四（QPGEW）外腔版本。这些器件在垂直于芯片表面的方向上具有25°的光束发散角，在结平面内具有10°的光束扩展。功率输出在整个MIL规格温度范围内表现出极佳的稳定性。使用金属有机化学气相沉积（MOCVD）来制造结构。在涉及光纤耦合应用的情况下，外腔有源区的横向间隔将更多的光功率集中到更小的几何结构中，从而允许增加耦合到光纤中的光功率。峰值波长集中在大多数硅光电二极管的较大响应度附近。PGEW激光器与Excelitas EPI-APD系列C30737的器件匹配得特别好。这些器件非常适合以成本为首要考虑因素且需要大批量生产能力的应用。

波长锁定FBG用作激光二极管的外部反射器。通过使用这种FBG，容易稳定泵浦半导体激光器和单频激光器的波长产生。FWHM为0.3÷0.8nm，反射率为2÷5%的低反射光栅是稳定泵浦功率激光器的理想选择。接近半导体激光晶体，FWHM约为0.1nm，反射率为10÷20%的FBG用于产生单一频率源。

QLD-810-100S是Qphotonics公司生产的波长为812nm的半导体激光器，输出功率为0~0.1W，工作电压为2.1V，工作电流为0.17~0.17A，阈值电流为28mA.有关QLD-810-100S的更多详细信息，请联系我们。

QLD-840-200S是Qphotonics公司生产的波长为839.3nm的半导体激光器，输出功率为0~0.1997W，工作电压为2.15V，工作电流为0.265~0.292A，阈值电流为54mA.有关QLD-840-200S的更多详细信息，请联系我们。

QLD-945-300S是Qphotonics公司生产的波长为948.4nm的半导体激光器，输出功率为0~0.3012W，工作电压为1.88V，工作电流为0.319~0.351A，阈值电流为30mA.有关QLD-945-300S的更多详细信息，请联系我们。

Ushio公司的HL6545MG是一种波长为652~664nm，输出功率为0.13W，工作电压为2.5~3.3V，工作电流为0.17 5~0.21A，阈值电流为60~75mA的半导体激光器。有关HL6545MG的更多详细信息，请联系我们。

NDA4116是一种波长为468~478 nm，输出功率为0.1 W，工作电压为5.7 V，工作电流为0.12 A，阈值电流为20~45 mA的半导体激光器。有关NDA4116的更多详细信息，请联系我们。

NDB4116是一种波长为440~450nm，输出功率为0.1W，工作电压为5.3V，工作电流为0.1A，阈值电流为10~50mA的半导体激光器。有关NDB4116的更多详细信息，请联系我们。

NDS4116是日本日亚化学工业株式会社生产的波长为483~493nm的半导体激光器，输出功率为0.06W，工作电压为5.6V，工作电流为0.1A，阈值电流为30~50mA.有关NDS4116的更多详细信息，请联系我们。

NDS4216是一种波长为483~493nm，输出功率为0.2W，工作电压为6V，工作电流为0.27A，阈值电流为25~70mA的半导体激光器。有关NDS4216的更多详细信息，请联系我们。

NDV4916E是日本日亚公司生产的波长为410~420nm的半导体激光器，输出功率为0.12W，工作电压为4.7V，工作电流为0.11A，阈值电流为34~50mA.有关NDV4916E的更多详细信息，请联系我们。

NDV4A16E是日本Nichia公司生产的波长为420~425nm的半导体激光器，输出功率为0.12W，工作电压为5.2V，工作电流为0.1A，阈值电流为24~50mA.有关NDV4A16E的更多详细信息，请联系我们。

NDV7116是一种波长为400~405nm，输出功率为0.6W，工作电压为4.1V，工作电流为0.55A，阈值电流为100~180mA的半导体激光器。有关NDV7116的更多详细信息，请联系我们。

E-Lyrae系列：450 nm高功率激光模块，基于关于E-Lyrae系列多发射器模块技术，针对蓝光激光器芯片特性进行优化，由电子控制系统集成。内置驱动器，另外一款没有。这两种产品皆有。

QubeCL是一个模块化平台，针对半导体激光器，特别是量子级联激光器(QCLs)，提供了精确和简单的驱动和控制工具。该系统集成了多个高性能仪器于10x10 cm2的超紧凑占地面积内。具有极低的电流噪声和高精度的温度控制，适用于高精度的科学研究和工业应用。

QubeCL系统是专为最先进的量子级联激光器(QCL)源设计的高性能激光器驱动环境，也可以驱动任何种类的半导体激光器。该系统的扩展模块允许您定制系统，获得一个10x10 cm2足迹的高性能仪器。该系统旨在最小化外部接线，并将易受干扰的连接封闭在其框架内，从而减少噪声耦合并最大化性能。适用于精密气体光谱学等应用。