• ARR97C020 半导体激光器
    美国
    厂商:Northrop Grumman
    工作模式: CW Laser 波长: 808 nm 输出功率: 20 W 工作电压: 1.7 V 工作电流: 25 A

    诺斯罗普·格鲁曼公司的ARR97C020是一种传导冷却激光二极管阵列,中心波长为808nm(也可选择790-1550nm)。输出功率为20W,电光转换效率为47%。激光二极管阵列具有1.8nm的光谱宽度。该器件的工作电压为1.7 V,阈值电流为8 A.激光二极管阵列采用直接粘合的尖端光电C封装,尺寸为24.89 X 24.89 X 11.18 mm.该封装基于诺斯罗普·格鲁曼公司的Golden Bullet技术,该技术能够在每个封装中使用多个条。ARR97C020可安装到激光系统中,也可用于直接二极管应用。

  • ASM232P200 半导体激光器
    美国
    厂商:Northrop Grumman
    应用行业: Industrial, Scientific 工作模式: CW Laser, Pulsed Laser 波长: 808 nm 输出功率: 200 W 工作电压: 2 V

    诺斯罗普·格鲁曼公司的ASM232P200是一个工作波长为808nm的激光二极管子模块。它产生200W(每巴)的最小QCW(准连续波)输出功率,并且具有2.5nm的光谱宽度。这种激光二极管是基于专有的硬焊料技术与扩展匹配的材料。它具有15 A的阈值电流,并提供长脉冲和/或高占空比。该激光二极管需要2 V的直流电源并消耗180 A的电流。它采用Golden Bullet封装,尺寸为394 X 250 X 68 mm,是材料加工、Ti:S泵浦、激光雷达、激光切割和激光喷丸应用的理想选择。

  • UMB800C100 半导体激光器
    美国
    厂商:Northrop Grumman
    工作模式: CW Laser 波长: 808 nm 输出功率: 100 W 工作电压: 1.8 V 工作电流: 112 A

    诺斯罗普·格鲁曼公司的UMB800C100是一种808 nm激光二极管棒,具有25个200 X 1µm尺寸的发射器。它提供100W的CW输出功率,并且具有1.5nm的光谱宽度。该二极管的阈值电流为16 A,需要1.8 V电源。该二极管的条形尺寸为9.6 X 135 X 2000µm.

  • BMU100/120-976S-02-R 半导体激光器
    波长: 976 nm 输出功率: up to 120 W 工作电压: 30 V 工作电流: 10 A 阈值电流: 500 to 700 mA

    II-VI Incorporated的BMU100/120-976S-02-R是976 nm泵浦激光模块,具有高达120 W的波长稳定输出功率。该模块采用新一代多模激光二极管,具有E2前镜钝化功能,可防止激光二极管端面发生灾难性光学损伤(COD)。激光二极管串联连接,以实现快速电流切换。该模块包括一个反馈保护滤波器,可保护激光二极管免受有害的光纤激光器波长反馈光的影响。精确的波长稳定性减少了激光系统的预热时间和维护,提高了生产率。这种波长稳定的泵浦激光器模块是超快光纤激光器泵浦、超连续谱、医疗、分析和直接应用的理想选择。

  • HPC 50W 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: CW Laser, Pulsed Laser 工作电压: 1.5 to 1.65 V 工作电流: 50 to 55 A 阈值电流: 4 to 4.7 A

    II-VI Incorporated的HPC 50W是一种多发射器激光二极管,工作波长为915、940、980、1030或1060 nm.它的输出功率为50W,功率转换效率超过60%,斜率效率为1–1.1W/A.该激光二极管的光谱宽度可达4nm,在FWHM处的光束发散角为5.5度(平行)和26度(垂直)。它的填充因子为18%,波长温度系数为0.3 nm/℃。该TE偏振激光二极管具有10个发射极,发射极间距为500μm,发射极宽度为90μm.HPC 50W符合RoHS规范,具有单量子阱MBE结构。即使在极高的输出功率下,专有的E2前镜钝化工艺也可防止激光二极管端面的灾难性光学损伤(COD)。低于1μm的低线栅微笑值和小发射极宽度提高了光纤耦合效率,特别是对于低纤芯直径。5.4 mm激光二极管半条安装在扩展匹配的底座上,采用传导冷却的铜块封装,在CW和脉冲工作模式下提供卓越的可靠性。HPC 50W需要4-4.7 A的阈值电流和消耗50-55 A电流的1.5-1.65 V直流电源。这款激光二极管采用尺寸为24.9 X 24.9 X 14.19 mm的封装,非常适合材料加工(焊接、切割等)、准直固态激光泵浦、光纤激光泵浦、印刷和医疗应用。

  • Monsoon Series 模块化激光二极管棒 半导体激光器
    工作模式: CW Laser 激光颜色: Infrared 堆栈/阵列: Array/Stack 类型: Free Space Laser Diode RoHS: Yes

    II-VI Incorporated的Monsoon系列是模块化激光二极管棒,工作波长为795至1060 nm.它们提供可堆叠的40/50 W棒材、80/100 W棒材和200 W棒材,以提供与应用相匹配的模块化灵活性。这些模块化棒可以使用紧凑的框架垂直堆叠,该框架可提供高达6 kW的功率、高达1600 W的功率(使用无框架)或高达300 W的功率(使用水平阵列)。它们的光谱宽度(FWHM)为2.5或5 nm,功率效率高达60%。Monsoon系列激光二极管条基于专有的E2前镜钝化工艺,即使在极高的输出功率下,也能防止激光二极管面的灾难性光学损伤(COD)。它们采用硬焊技术,可为要求苛刻的应用提供卓越的可靠性,并在CW或QCW工作条件下实现高功率输出,而不会牺牲使用寿命。这些激光二极管棒还具有主动季风微通道冷却器,以提供用于垂直和水平堆叠的可扩展平台。它们采用尺寸为38.9 X 10.9 mm X 10 mm的模块,非常适合固态激光泵浦、直接应用,如材料加工(塑料焊接、热处理、退火、硬化等)、印刷和复印、医疗、生命和健康科学、国防和安全以及照明应用。

  • SES12-9xx-03 半导体激光器
    技术: Quantum Well 输出功率: 12 W 工作电压: 1.7 V 工作电流: < 12 A 阈值电流: 550 mA

    II-VI Incorporated的SES12-9xx-03是一款单发射器激光二极管,工作波长为915 nm、940 nm和975 nm.它提供高达12 W的输出功率,并具有4 nm的光谱宽度(FWHM)。该激光器需要1.7 V的直流电压,阈值电流高达550 mA.它的设计采用了专有的E2前镜钝化工艺,可防止灾难性的光学损伤(COD)。激光二极管的尺寸为400 X 150 X 90µm,非常适合光纤激光器泵浦、材料加工和医疗应用。

  • SES22-9xx-01 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: CW Laser 输出功率: 22 W 激光颜色: Infrared 类型: Free Space Laser Diode

    II-VI SES22-9xx-01单发射器激光二极管系列旨在为下一代光纤激光器和其他高功率激光二极管应用的200mm纤芯光纤泵浦配置提供最高的输出功率和效率。即使在极高的输出功率下,专有的E2前镜钝化工艺也可防止激光二极管端面的灾难性光学损伤(COD)。单发射极激光二极管的P面朝下安装在优化的基台上,热阻非常低。该系列可提供915、940和975 nm的标准波长(其他可根据要求提供)。激光二极管是光纤激光器泵浦、材料加工、印刷和医疗应用的理想选择。

  • V940-8904-G01 半导体激光器
    技术: Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser (VCSEL) 工作模式: Pulsed Laser 波长: 940 nm 输出功率: 7 to 110 W 工作电流: 4 A

    II-VI Incorporated的V940-8904-G01是一款多模双结VCSEL(激光器)阵列,工作波长为940 nm.它在短脉冲中提供高达110 W的输出功率。VCSEL提供高功率转换效率和斜率效率。它需要低工作电流,这降低了电感对上升时间的影响,最大限度地减少了电磁干扰(EMI),并简化了用于产生短脉冲的驱动器设计。VCSEL是红外照明、短程激光雷达和3D相机(移动、物联网)应用的理想选择。

  • nanoplus FP HPFP 1950-2350nm 半导体激光器
    德国
    厂商:nanoplus
    技术: Fabry-Perot (FP) 工作模式: CW Laser 波长: 1950 to 2350 nm 输出功率: 1000 mW 工作电压: 2.5 V

    Nanoplus的Nanoplus FP HPFP 1950-2350nm是一种法布里-珀罗激光二极管,工作波长为1950至2350nm.它提供1000 MW的连续输出功率,并且具有高效率。激光二极管需要2.5 V的直流电源,阈值电流高达300 mA.它基于nanoplus&rsquos FP激光技术,是气体传感应用的理想选择。

  • 萨皮尔系列 半导体激光器
    以色列
    工作模式: CW Laser 波长: 808 nm 输出功率: 70 to 100 W 工作电压: 2 V 工作电流: 110 A

    SIMIConductor Devices的Sapir系列是一种激光二极管,波长为808 nm,输出功率为70至100 W,工作电压为2 V,工作电流为110 A,输出功率(CW)为70至100 W.有关Sapir系列的更多详细信息,请联系我们。

  • RLD90QZW3 半导体激光器
    日本
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 895 to 915 nm 工作电压: 16 to 22 V 工作电流: 30 A 阈值电流: 900 mA

    Rohm Semiconductor的RLD90QZW3是一种不可见的脉冲激光二极管,工作波长为905 nm.它提供了75W的峰值脉冲输出功率,脉冲宽度为50ns.该激光二极管的光束发散度为10度(平行)和25度(垂直),发射点精度为±150μm.其孔径尺寸为225×10μm.这款激光二极管需要16 V直流电源,阈值电流为0.9 A.它采用Ø5.6 mm TO-CAN封装,非常适合TOF传感器、测距仪、自动导引车(AGV)和安保应用。

  • RLD94SAQ6 半导体激光器
    日本
    波长: 940 nm 输出功率: 0.2 W 阈值电流: 70 mA

    Rohm Semiconductor的RLD94SAQ6是一款红外VCSEL二极管,工作波长为940 nm.它的光输出功率为200mW,转换效率为33%。该激光二极管具有0.85W/A的斜率效率和13度的光束发散FWHM.它的正向电压为2 V,正向电流为300 mA,阈值电流为70 mA.这款VCSEL二极管采用超薄SMD封装,尺寸为3 X 2 X 0.77 mm,非常适合3D深度传感器、TOF传感器、红外照明、距离测量、障碍物检测和手势识别应用。

  • ADL-83Y51TL 半导体激光器
    德国
    厂商:Laser Components
    芯片技术: AlGaAs 工作模式: CW Laser 波长: 830 nm 输出功率: 250 mW 工作电压: 1.9 to 2.4 V

    ADL-83Y51TL是一种低成本解决方案,适用于任何需要具有纵向单模光束轮廓的强大NIR激光二极管的应用,例如相机支持的手势控制。二极管在830nm的NIR范围内发射,并且具有250mW的CW功率。在脉冲操作中,它可以过驱动到高达500 MW.该器件采用紧凑的TO-56密封外壳,允许工作温度高达60°C.该器件配有集成式监控光电二极管,用于功率控制和稳定。激光二极管是光源和工业应用的理想选择。

  • ADL-94Y01EY-F2 半导体激光器
    德国
    厂商:Laser Components
    工作模式: CW Laser 输出功率: 0.2 W 工作电压: 1.9 V 工作电流: 0.35 to 0.4 A 阈值电流: 45 to 65 mA

    Laser Components的ADL-94Y01EY-F2是一款940nm红外激光二极管,可提供220 MW的光输出功率。该激光器需要45mA的阈值电流。它采用3.5 X 3.5 X 0.75 mm表面贴装封装,非常适合激光测距、光纤激光器泵浦和3D传感应用。

  • ALBALUX FM 半导体激光器
    德国
    厂商:Laser Components
    应用行业: Medical, Industrial, Defense 波长: 450 nm 工作电压: 12 V 工作电流: 2 A 激光颜色: White

    Laser Components的Albalux FM是一款白光光纤耦合激光模块,工作波长为450 nm.该激光器提供高亮度输出,可实现用于照明应用的长投射距离、窄光束角和小光学尺寸。它提供的白光强度高达LED的100倍。激光器通常提供超过150流明的光纤输出。它需要12 V电源并消耗2 A电流。该激光器可用于广泛的应用,包括医疗和工业内窥镜检查、光谱诊断、生物医学仪器、专业照明和许多其他应用。

  • VD-0808I-004W-1C-2A0 半导体激光器
    德国
    厂商:Laser Components
    应用行业: Medical 技术: Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser (VCSEL) 工作模式: CW Laser 波长: 808 nm 输出功率: 0 to 4 W

    Laser Components的VD-0808I-004W-1C-2A0是一款垂直腔面发射激光器(VCSEL)二极管,工作波长为808 nm.该激光二极管的峰值输出功率高达4 W,效率高达39%。它的正向电压为2.2V,正向电流为4.5A.激光二极管的光束角为25°,发射面积为846×811μm.它采用氧化物隔离技术设计,采用3535封装。该激光二极管是3D传感器、激光雷达、红外照明、接近传感器和医疗应用的理想选择。

  • QLD1161-8030 半导体激光器
    日本
    厂商:QD Laser
    技术: Distributed Feedback Laser (DFB) 工作模式: CW Laser, Pulsed Laser 波长: 1180 nm 输出功率: 0.03 W 类型: Fiber-Coupled Laser Diode

    QD Laser的QLD1161-8030是一款分布式反馈(DFB)激光二极管,工作波长为1180 nm.它提供30 MW的光输出功率,需要1.7 V的直流电源。该激光二极管具有光隔离器、监视器PD和内置热电冷却器(TEC)。它需要30 mA的阈值电流,并消耗150 mA的电流。该激光二极管采用光纤尾纤14引脚蝶形封装,尺寸为34 X 20 X 7.4 mm,光纤直径为900/250μm,带FC/APC或套圈连接器。它是SHG以及科学、工业和传感应用的理想种子源。

  • QLD1261-4005 半导体激光器
    日本
    厂商:QD Laser
    技术: Distributed Feedback Laser (DFB) 工作模式: CW Laser, Pulsed Laser 波长: 1240 nm 输出功率: 10 mW 工作电压: 1.5 V

    QD Laser的QLD1261-4005是一款分布反馈(DFB)激光二极管,工作峰值波长为1240 nm.它的光输出功率为10 MW,偏振消光比为20 dB.该激光二极管具有集成的光隔离器、监视器PD和热电冷却器。它需要7 mA的阈值电流,并且具有高达2 V的反向电压。该激光二极管消耗50 mA的电流。该器件采用14引脚蝶形封装,带尾纤和TEC,是传感、测试和测量应用的理想选择。

  • QLF083A 半导体激光器
    日本
    厂商:QD Laser
    技术: Quantum Well 波长: 830 nm 输出功率: 220 mW 工作电压: 2.3 V 工作电流: 225 mA

    QD Laser公司的QLF083A是一种法布里-珀罗(Fabry-Perot)量子阱激光二极管,工作波长为830 nm,斜率效率为1.1 W/A,峰值输出功率为220 MW.该激光二极管的平行光束发散角为9°,垂直光束发散角为18°。它需要大约2.3V的工作电压,并且具有38mA的阈值电流。激光二极管安装在包括监视器PD的TO-56接头中,并用平板玻璃帽密封。用于工业激光打标机、测量仪器、生命科学应用等。