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重复频率: 75MHz 总调谐范围: 1315 - 4800 nm 核心调谐范围: 1315 - 2000 nm 输出功率: 1.5W 脉冲持续时间: 2000fs
Levante IRNSP PS是一种以1μm锁模皮秒激光为固定波长泵浦源的同步泵浦光参量振荡器。它的外壳、内部控制电子设备和软件都是全新开发的,便于操作和自动化控制。信号输出的可访问波长范围为1315。2000nm,可选闲频输出的波长范围为2150。4800nm(当泵浦@1031nm时)。这对于在IR中需要可调光的应用是理想的。G.振动光谱:OPO以周期性极化的fancrystal晶体作为增益介质。由于新的平台,调整将是自动化的,可以通过软件进行控制。还提供了TCP/IP接口。
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设备类型: Autocorrelator 可测量的脉冲宽度: 50 fs - 30 fs 波长范围: 340 nm - 3200 nm 输入极化: Horizontal, Vertical
APE的Mini TPA是无调谐自相关测量、紧凑尺寸和高灵敏度的完美结合。传统上,自相关器用于将光脉冲分成两个副本,并将它们重新组合以在非线性晶体中产生二次谐波(SHG)。相反,APE Mini TPA得益于双光子吸收原理。这消除了对SHG晶体角度调谐的需要,并使波长调谐过程变得不必要。与UV光学器件一起,Mini TPA可在340 nm至400 nm的UV范围内提供简单的脉冲宽度测量,而无需互相关。通过将传统的两步过程简化为单步解决方案,互相关方法的消除也使数据评估变得更加容易。APE提供了可交换光学组件的选择,范围从340nm的UV到3200nm的IR,用于在极宽的波长范围内进行灵敏测量。由于其紧凑的占地面积,迷你TPA也是您节省空间和方便携带要求的完美答案。
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波长: 516nm 平均输出功率: 4W 脉宽: 0 - 0.0025 ns 最大脉冲重复率: 80000kHz
APE PicoEmerald™系列光参量振荡器(OPO)是为日常使用的InPS相干拉曼测量、视频速率SRsimaging和其他应用提供优化的脉冲激光源而开发的。现在,Emerald Engine通过提供脉冲宽度仅为2 PS的独立红外光纤泵浦激光器,扩展了流行的Levante Emerald系列。泵浦激光器自带倍频单元,产生两个光束:倍频输出(516 nm),输出功率为3 W;未耗尽基波输出(1032 nm),输出功率为0.75 W。两个光束本身同步且无抖动(Emerald Engine–Basic–Duo)。对于需要更高输出功率的应用,Emerald Engine HP可提供6 W的倍频输出和3 W的未耗尽基波输出(Emerald EngineHP–Basic–Duo)。不需要未耗尽的基波光束,Emerald Engine–Green LongPulse具有倍频输出@516nm,输出功率为4 W,脉冲持续时间约为5个PS。
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设备类型: SPIDER 可测量的脉冲宽度: 30 - 500 fs 波长范围: 970 - 1070 nm 输入极化: Horizontal
SPIDER IR是一种精密工具,用于优化红外激光脉冲的完整光谱和时间特性。基于SPIDER*专利技术,它扩展了APE SPIDER模型的现有范围,以覆盖30至500 FS之间的更长脉冲,中心波长约为1μm。它还支持检测宽度大于2 PS的展宽脉冲的啁啾信号。使其成为脉冲压缩器对准的明智选择。SPIDER IR具有两个内部光谱仪(用于基频光谱和上转换干涉图),能够使用相同的脉冲同时测量和分析脉冲重建所需的两个光谱。这赋予了它真正的单发能力。此外,Spider IR控制软件支持实时计算时间振幅和相位。用户友好的设计具有高度自动化的软件,以指导操作员完成校准和校准程序,并使测量能够以较少的数据输入执行。
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激光波长: 0.905um 脉宽: 1 - 1 ns 中心波长附近的调谐范围: Not Applicable
近红外脉冲半导体激光器通常用于长距离飞行时间或相移测距仪或激光雷达系统。Excelitas提供各种理想的脉冲905 nm激光器设计,包括多腔单片结构,每个芯片多达4个有效区域,可产生高达100 W的峰值光输出功率。激光器芯片的物理堆叠也是可能的,从而产生高达300W的峰值光输出功率。板上芯片组件可用于混合集成。有6种金属密封封装类型可供选择,适用于恶劣环境应用。对于大批量应用,可提供模制环氧树脂TO-18型封装和表面贴装超模压陶瓷覆晶封装。关键参数是脉冲宽度和上升/下降时间。可以减小脉冲宽度,从而允许增加的电流驱动并导致更高的峰值光功率。量子阱激光器设计提供1ns的上升和下降时间,但驱动电路布局和封装电感在决定上升/下降时间方面起着更大的作用,因此应进行相应的设计。为此,Excelitas提供了具有不同电感值的多种封装类型。我们的核心竞争力包括:MOVPE晶圆生长;生长的GaAs晶片的晶片处理;使用环氧树脂或焊料芯片附着的组件;引线框架上激光器的环氧树脂封装密封产品符合MIL STD和客户要求。
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激光波长: 0.905um 脉宽: 1 - 1 ns 中心波长附近的调谐范围: Not Applicable
近红外脉冲半导体激光器通常用于长距离飞行时间或相移测距仪或激光雷达系统。Excelitas提供各种理想的脉冲905 nm激光器设计,包括多腔单片结构,每个芯片较多有4个有效区域,可产生高达100 W的峰值光输出功率。激光器芯片的物理堆叠也是可能的,从而产生高达300W的峰值光输出功率。板上芯片组件可用于混合集成。有6种金属密封封装类型可供选择,适用于恶劣环境应用。对于大批量应用,可提供模制环氧树脂TO-18型封装和表面贴装超模压陶瓷覆晶封装。关键参数是脉冲宽度和上升/下降时间。可以减小脉冲宽度,从而允许增加的电流驱动并导致更高的峰值光功率。量子阱激光器设计提供1ns的上升和下降时间,但驱动电路布局和封装电感在决定上升/下降时间方面起着更大的作用,因此应进行相应的设计。为此,Excelitas提供了具有不同电感值的多种封装类型。我们的核心能力包括:MOVPE晶圆生长;生长的GaAs晶片的晶片处理;使用环氧树脂或焊料芯片附着的组件;引线框架上激光器的环氧树脂封装密封产品符合MIL STD和客户要求。
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激光波长: 0.905um 脉宽: 1 - 1 ns 中心波长附近的调谐范围: Not Applicable
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